技术编号：6810461
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。,制造内存胞元数组之方法及内存胞元数组的制作方法本发明系关于，制造含此种金属位线之内存胞元数组之方法，及藉由这些方法所制造的内存元数组。特别是本发明系关于合适用于平面EEPROMS(用于一般称的”独立”应用及用于一般称的”嵌入式”应用)的方法及装置。本发明特别适合用于累积根据SONOS原则(SONOS＝硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅)而被建造的内存胞元。此种内存胞元可有利地被用于如虚拟-接地-NOR结构。在内存胞元领域的最重要发展目的之一为愈来愈小的内存胞...
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