技术编号：6811075
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及包括薄膜晶体管(TFT)的。特别是，本发明涉及包括薄膜晶体管的，在该半导体器件中，半导体层(有源区)由通过使非晶半导体膜结晶获得的晶体半导体膜形成。本发明可适用于有源矩阵液晶显示器件、有机EL显示器件、接触图像传感器和三维IC。背景技术近年来，在本领域中人们已经尝试着在绝缘衬底如玻璃衬底或绝缘膜上形成高性能半导体元件，目的是为了实现具有更大尺寸和更高分辨率的液晶显示器件和有机EL显示器件、以更高速度操作并具有更高分辨率的接触图像传感器、三维IC等...
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