技术编号:6811321
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制造LDD结构的MOS晶体管的方法,尤其涉及一种制造不对称LDD(轻掺杂漏)结构的MOS晶体管的方法。通常,在NMOS晶体管的源和漏之间存在着很大差别的寄生效应。源一侧的寄生电阻使有效栅电压有很大程度地减小,但对漏一侧的漏电流却只有很小的影响。因此,由于源和漏间的寄生效应的差别便产生了使VLSI半导体器件的驱动力减弱和热载流子效应增加的问题。因此,本发明的目的是提供一种制造不对称LDD结构的MOS晶体管的方法,以增加半导体器件的驱动力,减小热...
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