专利名称：制造ldd结构的mos晶体管的方法
技术领域：
本发明涉及一种制造LDD结构的MOS晶体管的方法，尤其涉及一种制造不对称LDD(轻掺杂漏)结构的MOS晶体管的方法。
通常，在NMOS晶体管的源和漏之间存在着很大差别的寄生效应。源一侧的寄生电阻使有效栅电压有很大程度地减小，但对漏一侧的漏电流却只有很小的影响。因此，由于源和漏间的寄生效应的差别便产生了使VLSI半导体器件的驱动力减弱和热载流子效应增加的问题。
因此，本发明的目的是提供一种制造不对称LDD结构的MOS晶体管的方法，以增加半导体器件的驱动力，减小热载流子效应。
为实现上述目的，制造LDD结构的MOS晶体管的方法包括以下步骤通过第一离子注入工艺，将N-型杂质离子注入到在其上形成栅极的半导体基片内；通过第二离子注入工艺，将N+型杂质离子注入到在其上形成源极的半导体基片区域内；进行退火工艺，激活已注入到半导体基片内的N+和N-型杂质离子，由此形成由N-型杂质区构成的漏和由N+型杂质区构成的源。
制造LDD结构的MOS晶体管的方法包括以下步骤通过第一离子注入工艺，将N-型杂质离子注入到在其上形成栅极的半导体基片内；通过第二离子注入工艺，将N+型杂质离子注入到在其上形成漏极的半导体基片区域之外的区域内；和进行退火工艺，激活已注入到半导体基片内的N+和N-型杂质离子，由此形成由N-型杂质区及N+杂质区构成的漏和由N+型杂质区构成的源。
为了充分理解本发明的性质和目的，下面将参照附图对本发明进行详细描述。
图1A～1C是用来解释根据本发明的第一个实施例制造LDD结构的MOS晶体管方法的器件剖面图。
图2A～2C是用来解释根据本发明的第二个实施例制造LDD结构的MOS晶体管方法的器件剖面图。
在各附图中，相同的参考标记代表相同的部件。
下面将参照附图对本发明进行详细描述。
图1A～1C是用来解释根据本发明的第一个实施例制造LDD结构MOS晶体管方法的器件剖面图。
图1A是一器件的剖面图，它表示的是在半导体基片1上形成场氧化膜2，由常规工艺在半导体基片上形成栅氧化膜3和栅极4，用栅极4作掩膜，由第一离子注入工艺，将N-型杂质离子注入到半导体基片1内。
第一离子注入工艺所用N-型杂质离子是P31，所用P31剂量是1.5E13，所用能量为60KeV。
图1B是一器件的剖面图，它表示的是形成光刻胶图形5，以在将要形成源的半导体基片1区域上开口，然后，用光刻胶图形5作掩膜，由第二离子注入工艺，将N+型杂质离子注入到半导体基片1内。
第二离子注入工艺所用N+型杂质离子是As75，所用As75剂量为6.0E15，所用能量为60KeV。
图1C是一器件的剖面图，它表示的是在除去光刻胶图形5后，进行退火工艺，激活已注入到半导体基片1内的N-和N+杂质离子，由此形成由N-型杂质区构成的漏6A和由N+型杂质区构成的源6B。
图2A～2C是用来解释根据本发明的第二个实施例制造LDD结构MOS晶体管方法的器件剖面图。
图2A是一器件的剖面图，它表示的是在半导体基片1上形成场氧化膜2，由常规工艺在半导体基片上形成栅氧化膜3和栅极4，用栅极4作掩膜，由第一离子注入工艺，将N-型杂质离子注入到半导体基片1内。
第一离子注入工艺所用N-型杂质离子是P31，所用P31剂量为1.5E13，所用能量为60KeV。并且，最好是将具有约为5～10度斜度的N-型杂质离子投射到将要形成LDD的一侧。
图2B是一器件的剖面图，它表示的是形成光刻胶图形5以覆盖从栅极4到0.1～0.3微米范围的将要形成漏的半导体基片1的区域，用光刻胶图形5作掩膜，由第二离子注入工艺，将N+型杂质离子注入到半导体基片1内。
第二离子注入工艺所用N+型杂质离子是As75，所用As75剂量为6.0E15，所用能量为60KeV。
图2C是一器件的剖面图，它表示的是在除去光刻胶图形5后，进行退火工艺，激活已注入到半导体基片1内的N-和N+杂质离子，由此形成由N-型杂质区及N+型杂质区构成的漏6A和由N+型杂质区构成的源6B。
N-型杂质区处于栅极4和N+型杂质区之间，其长度为0.1～0.3微米。
如上所述，发明的MOS晶体管具有不对称结构，其中，漏是由N-型杂质区或N-/N+型杂质区构成，源是由N+型杂质区构成。
因此，由于在源和漏间具有相同的寄生效应，不对称结构的MOS晶体管能改善驱动力，并能减小热载流子效应。
尽管上面参照实施例对本发明作了一定程度地说明，但上述说明只是对本发明原理的说明。应该理解到，发明并不限于这里所公开和说明的优选实施例。所以，根据本发明的精神和实质所作的任何变型皆包含在本发明进一步的实施例中。
权利要求
1 一种制造LDD结构MOS晶体管的方法，包括以下步骤通过第一离子注入工艺，将N-型杂质离子注入到在其上形成栅极的半导体基片内；通过第二离子注入工艺，将N+型杂质离子注入到在其上将要形成源的半导体基片内；和进行退火工艺，激活已注入到半导体基片内的N+和N-型杂质离子，由此形成由N-型杂质区构成的漏和由N+型杂质区构成的源。
2 根据权利要求1的制造LDD结构MOS晶体管的方法，其特征是所说第一离子注入工艺所用N-型杂质离子是P31，所用P31剂量为1.5E13，所用能量为60KeV。
3 根据权利要求1的制造LDD结构MOS晶体管的方法，其特征是所说第二离子注入工艺所用N+型杂质离子是As75，所用As75剂量为6.0E15，所用能量为60KeV。
4 一种制造LDD结构MOS晶体管的方法，包括以下步骤通过第一离子注入工艺，将N-型杂质离子注入到在其上形成栅极的半导体基片内；通过第二离子注入工艺，将N+型杂质离子注入到在其上将要形成源极的半导体基片区域内；和进行退火工艺，激活已注入到半导体基片内的N+和N-型杂质离子，由此形成由N-型杂质区及N+型杂质区构成的漏，和由N+型杂质区构成的源。
5 根据权利要求4的制造LDD结构MOS晶体管的方法，其特征是所说第一离子注入工艺所用N-型杂质离子是P31，所用P31剂量是1.5E13，所用能量为60KeV。
6 根据权利要求4的制造LDD结构MOS晶体管的方法，其特征是所说第一离子注入工艺是将具有5～10度斜度的N-型杂质离子投射到将要形成LDD的一侧。
7 根据权利要求4的制造LDD结构MOS晶体管的方法，其特征是所说第二离子注入工艺所用N+型杂质离子是As75，所用As75剂量为6.0E15，所用能量为60KeV。
8 根据权利要求4的制造LDD结构MOS晶体管的方法，其特征是所说N-型杂质区处于栅极和N+型杂质区之间。
9 根据权利要求4的制造LDD结构MOS晶体管的方法，其特征是在栅和和N+型杂区之间以0.1～0.3微米的长度形成所说N-型杂区。
全文摘要
本发明的MOS晶体管具有LDD结构，其特征是，漏是由N
文档编号H01L21/265GK1143830SQ96105548
公开日1997年2月26日 申请日期1996年3月22日 优先权日1995年3月22日
发明者黄儁 申请人:现代电子产业株式会社