OLED显示面板以及OLED显示装置的制作方法

本发明涉及OLED显示技术领域，特别是涉及一种OLED显示面板以及OLED显示装置。

背景技术：

目前，显示装置所采用的薄膜晶体管的背板需要考虑显示装置的电性均一性，漏电流，有效驱动长度，面积效率，迟滞作用等多方面的因素。针对不同显示技术的显示装置，需要采用不同的薄膜晶体管结构，以达到期望的目的。

现有技术的柔性OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示装置需要具备良好的弯折稳定性，采用OTFT(有机薄膜晶体管)，由于OTFT相对于无机薄膜晶体管的电子迁移率低，导致无法提供足够的栅极驱动电流。

技术实现要素：

本发明主要解决的技术问题是提供一种OLED显示面板以及OLED显示装置，能够提高电子迁移率，保证足够的栅极驱动电流。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种OLED显示面板，其包括显示区域和GOA区域，GOA区域设置有至少一个第一薄膜晶体管，显示区域设置有至少一个第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管为无机薄膜晶体管，第二薄膜晶体管为有机薄膜晶体管。

其中，第一薄膜晶体管包括：

柔性基板；

阻挡层，设置在柔性基板上；

第一多晶硅层，设置在阻挡层上；

第一源漏极层，设置在阻挡层上，第一源漏极位于第一多晶硅层的两侧；

第一绝缘层，设置在第一多晶硅层和第一源漏极层上；

第一栅极层，设置在第一绝缘层上，并且设置在第一多晶硅层的上方。

其中，第二薄膜晶体管包括：

柔性基板和阻挡层；

第二多晶硅层，设置在阻挡层上；

第一绝缘层设置在第二多晶硅层上；

第二栅极层，设置在第一绝缘层上，并且设置在第二多晶硅层的上方；

ILD层，设置在第二栅极层和第一绝缘层上；

IOBP层，设置在ILD层上；

第二源漏极层，设置在IOBP层上。

其中，第一栅极层和第二栅极层为同一层设置。

其中，第一绝缘层为栅极绝缘层。

其中，第一薄膜晶体管包括：

柔性基板；

阻挡层，设置在柔性基板上；

IGZO层，设置在阻挡层上；

第一绝缘层，设置在IGZO层上；

第一栅极层，设置在第一绝缘层上，并且设置在IGZO层的上方；

ILD层，设置在第一栅极层和第一绝缘层上；

IOBP层，设置在ILD层上；

第一通孔和第二通孔，均穿过IOBP层、ILD层以及第一绝缘层，并且设置在第一栅极层的两侧；

第一源极层，设置在IOBP层上，并通过第一通孔与IGZO层连接；

第一漏极层，设置在IOBP层上，并通过第二通孔与IGZO层连接。

其中，第二薄膜晶体管包括：

柔性基板、阻挡层以及第一绝缘层；

第二栅极层，设置在第一绝缘层上；

ILD层，设置在第二栅极层和第一绝缘层上；

IOBP层，设置在ILD层上；

第二源漏极层，设置在IOBP层上。

其中，第一栅极层和第二栅极层为同一层设置。

其中，ILD层和IOBP层为栅极绝缘层。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种OLED显示装置，其包括上述OLED显示面板。

本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明的OLED显示面板包括显示区域和GOA区域，GOA区域设置有至少一个第一薄膜晶体管，显示区域设置有至少一个第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管为无机薄膜晶体管，第二薄膜晶体管为有机薄膜晶体管；在同一个OLED显示面板中，GOA区域采用无机薄膜晶体管，能够提高电子迁移率，保证足够的栅极驱动电流，显示区域采用有机薄膜晶体管，保证OLED显示面板具有良好的弯折性，并且降低成本。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要采用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：

图1是本发明第一实施例的OLED显示面板的结构示意图；

图2是图1中第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的剖面图；

图3是本发明第二实施例的OLED显示面板中第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的剖面图；

图4是本发明第一实施例的OLED显示装置的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参见图1-2所示，图1是本发明第一实施例的OLED显示面板的结构示意图；图2是图1中第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的剖面图。如图1所示，本实施例所揭示的OLED显示面板10包括显示区域12和GOA(Gate on Array，闸极驱动电路基板)区域11，显示区域12用于显示画面，GOA区域11用于产生驱动信号，该驱动信号用于驱动显示区域12显示画面。其中，GOA区域11设置有至少一个第一薄膜晶体管111，显示区域12设置有至少一个第二薄膜晶体管121，第一薄膜晶体管111为无机薄膜晶体管，第二薄膜晶体管121为有机薄膜晶体管。

如图2所示，第一薄膜晶体管111为LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低温多晶硅技术)晶体管，第二薄膜晶体管121为OTFT。第一薄膜晶体管111包括柔性基板1111、阻挡层1112、第一多晶硅层1113、第一源漏极层1114、第一绝缘层1115以及第一栅极层1116，其中，阻挡层1112设置在柔性基板1111上，阻挡层1112能够降低柔性基板1111的粗糙度，并且起到阻挡水氧的作用；第一多晶硅层(ploy-Si)1113设置在阻挡层1112上；第一源漏极层1114设置在阻挡层1112上，并且第一源漏极层1114位于第一多晶硅层1113的两侧，以形成第一薄膜晶体管111的源极和漏极；第一绝缘层1115设置在第一多晶硅层1113和第一源漏极层1114上；第一栅极层1116设置在第一绝缘层1115上，并且设置在第一多晶硅层1113的上方，以形成第一薄膜晶体管111的栅极。第一薄膜晶体管111采用的是顶栅结构，以保证第一多晶硅层1113的平整和均匀性。此外，第一栅极层1116与第一多晶硅层1113组成电容。

第二薄膜晶体管121包括柔性基板1111、阻挡层1112、第二多晶硅层1211、第一绝缘层1115、第二栅极层1212、ILD(层间绝缘层)层1213、IOBP(Inorganic Barrier Passivation Layer,无机阻隔钝化层)层1214以及第二源漏极层1215。其中，柔性基板1111以及阻挡层1112与第一薄膜晶体管111的柔性基板1111以及阻挡层1112相同。第二多晶硅层1211设置在阻挡层1112上，第一绝缘层1115设置在第二多晶硅层1211上；第二栅极层1212设置在第一绝缘层1115上，并且设置在第二多晶硅层1211的上方，以形成第二薄膜晶体管121的栅极；ILD层1213设置在第二栅极层1212和第一绝缘层1115上；IOBP层1214设置在ILD层1213上；第二源漏极层1215设置在IOBP层1214上，以形成第二薄膜晶体管121的源极和漏极；第二薄膜晶体管121采用的是底栅结构。

其中，第一栅极层1116和第二栅极层1212为同一层设置。此外，第一绝缘层1115为栅极绝缘层。

在本实施例中，在完成第一栅极层1116和第二栅极层1212后，先完成GOA区域11的第一薄膜晶体管111的阵列，然后完成显示区域12的第二薄膜晶体管121的阵列。

本实施例的OLED显示面板10包括显示区域12和GOA区域11，GOA区域11设置有至少一个第一薄膜晶体管111，显示区域12设置有至少一个第二薄膜晶体管121，第一薄膜晶体管111为无机薄膜晶体管，第二薄膜晶体管121为有机薄膜晶体管；在同一个OLED显示面板10中，GOA区域11采用无机薄膜晶体管，能够提高电子迁移率，保证足够的栅极驱动电流，显示区域12采用有机薄膜晶体管，保证OLED显示面板10具有良好的弯折性。此外，GOA区域11和显示区域12采用不同的薄膜晶体管结构，制造的温度不同，优选进行高温制程，并且有机薄膜晶体管和无机薄膜晶体管的部分制程可以同时实现，例如第一栅极层1116和第二栅极层1212，降低成本。

本发明还提供第二实施例的OLED显示面板，本实施例所揭示的OLED显示面板与第一实施例所揭示的OLED显示面板10不同之处在于：如图3所示，第一薄膜晶体管211为IGZO(indium gallium zinc oxide，铟镓锌氧化物)晶体管，第二薄膜晶体管221为OTFT。

第一薄膜晶体管211包括柔性基板2111、阻挡层2112、IGZO层2113、第一绝缘层2114、第一栅极层2115、ILD层2116、IOBP层2117、第一通孔2118、第二通孔2119、第一源极层2200以及第一漏极层2201。其中，阻挡层2112设置在柔性基板2111上；IGZO层2113设置在阻挡层2112上；第一绝缘层2114设置在IGZO层2113和阻挡层2112上；第一栅极层2115设置在第一绝缘层2114上，并且设置在IGZO层2113的上方；ILD层2116设置在第一栅极层2115和第一绝缘层2114上；IOBP层2117设置在ILD层2116上；第一通孔2118和第二通孔2119均穿过IOBP层2117、ILD层2116以及第一绝缘层2114，并且设置在第一栅极层2115的两侧；第一源极层2200设置在IOBP层2117上，并通过第一通孔2118与IGZO层2113连接；第二源极层2201设置在IOBP层2117上，并通过第二通孔2119与IGZO层2113连接。由于ILD层2116和IOBP层2117为栅极绝缘层，厚度较大，因此第一薄膜晶体管211采用顶栅结构。

第二薄膜晶体管221包括柔性基板2111、阻挡层2112、第一绝缘层2114、第二栅极层2211、ILD层2116、IOBP层2117以及第二源漏极层2212。其中，柔性基板2111和阻挡层2112与第一薄膜晶体管211的柔性基板2111和阻挡层2112相同；第一绝缘层2114设置在阻挡层2112上；第二栅极层2211设置在第一绝缘层2114上；ILD层2116设置在第二栅极层2211和第一绝缘层2114上；IOBP层2117设置在ILD层2116上；第二源漏极层2212设置在IOBP层2117上。

其中，第一栅极层2115和第二栅极层2211为同一层设置。

在本实施例中，在完成第二源漏极层2212后，先完成GOA区域21的第一薄膜晶体管211的阵列，然后完成显示区域22的第二薄膜晶体管221的阵列。

如图4所示，本发明一实施例的OLED显示装置的结构示意图。如图4所示，该OLED显示装置40包括上述实施例所描述的OLED显示面板，在此不再赘述。该OLED显示装置40为柔性OLED显示装置。

综上所述，本发明的OLED显示面板包括显示区域和GOA区域，GOA区域设置有至少一个第一薄膜晶体管，显示区域设置有至少一个第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管为无机薄膜晶体管，第二薄膜晶体管为有机薄膜晶体管；在同一个OLED显示面板中，GOA区域采用无机薄膜晶体管，能够提高电子迁移率，保证足够的栅极驱动电流，显示区域采用有机薄膜晶体管，保证OLED显示面板具有良好的弯折性，并且降低成本。

以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。