技术编号:6811638
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体存储器,更具体地说,涉及,它用于提高封装密度并降低能耗。目前,在半导体存储器市场上,人们已非常重视快速存储器(flash memory)-一种非易失半导体存储器,这是因为预期这种快速存储器将取代目前计算机中应用最广泛的一种外存储器-硬磁盘驱动器(HDD)。目前,使用电可读/写的静态随机取存储器(SRAM)或动态随机存取存储器(DRAM)作为计算机系统的高速缓冲存储器和主存储器。但是,这些存储器是易失性的,因而在切断电源后不可挽回地失去所存储...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。