技术编号:6811725
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及例如在SOI(绝缘体上的硅)衬底上设置了非SOI区域的元件形成用衬底及其制造方法。再者,涉及使用了该衬底的半导体装置。背景技术 近年来,为了提高LSI(大规模集成电路)的系统性能而在同一半导体芯片上集成逻辑电路和DRAM的技术正受到注目。另一方面,为了谋求以MOSFET为中心而构成的逻辑电路的高性能化,不是在现有的硅衬底上而是在薄膜SOI衬底上形成的SOI-MOSFET正在崭露头角,在高性能逻辑用途方面已开始了实用化。在这些趋势中,当务之急是开发...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。