技术编号:6811933
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种干法加工气体例如含有CF3I作为一种成分的浸蚀气体,一种使用所述气体对导电氧化物如氧化锡铟(ITO)进行干法浸蚀的方法以及一种对因进行干法浸蚀,真空沉积和其它操作而污染的设备内部的干法净化方法。ITO薄膜已被广泛用于液晶显示的透明电极,通过浸蚀ITO薄膜形成透明电极。这种浸蚀传统的采用湿法工艺。然而,该湿法浸蚀工艺使浸蚀形状变得各向同性,因而难以加工出精细的图案。另外,由加工产生大量的废水从保护环境的观点来说是个问题。近来通过使用活性离子浸蚀...
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