技术编号:6811995
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种局部硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)结构及其制造方法。背景技术 通常,用于存储数据的半导体存储器分为易失性存储器和非易失性存储器,易失性存储器易于在电源中断时丢失其数据,而非易失性存储器即使在电源中断时仍可保存其数据。与其它的非易失性存储技术(例如,磁盘驱动器)相比,非易失性半导体存储器相对较小。因此,非易失性存储器已广泛地应用于移动通信系统、存储卡等。近来,已经提出了具有硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)结构的非易失性...
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