技术编号:6812100
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种生产半导体器件的工艺,特别涉及一种在半导体衬底上形成器件隔离绝缘膜的方法。为了使半导体器件相互间进行电学隔离,在半导体衬底上形成了一层器件隔离的绝缘膜。在常规技术中,已经提出过各种各样的器件隔离技术。后面就要描述的硅的局部氧化(LOCOS)隔离就是常规器件隔离技术中的一种。挖槽的LOCOS隔离是另一种常规器件隔离技术。挖槽的LOCOS隔离,譬如在特开平2-119137中,即在未经审查的日本专利公报No.119137/1990中公开的,也要在后...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。