技术编号:6812580
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在很多应用场合需要具有用硅处理工艺的可写可擦的只读存储单元,即所谓的快速EEPROM(电可擦可编程只读存储)的只读存储单元装置。这些快速EEPROM装置也在不供电的情况下保存被存储的数据。在技术上,这些存储单元大多由一只MOS晶体管实现,该MOS晶体管在沟道区具有一种第一电介质、一个浮栅、一种第二电介质和一个控制栅。如果在浮栅上存储有电荷,则该电荷影响MOS晶体管的阈电压。在这种存储单元装置中,“浮栅上有电荷”状态被赋予一个第一逻辑值,“浮栅上无电荷”状态...
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