技术编号:6813764
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及晶体硅太阳能电池领域,尤其是晶体硅太阳能电池片控制二氧化硅厚 度的方法。背景技术扩散是晶体硅太阳能电池制作的核心工艺,与电池片效率息息相关。在实际生产 过程中,经常在硅片的扩散面发现一些黑点,做成成品电池后会产生外观不良,且对电池效 率也会有一定影响,导致太阳能电池片不合格,通过对这些黑点做元素分析,与正常片相 比,氧含量过高,其他无异,说明这些黑点处的二氧化硅太厚了。发明内容本发明要解决的技术问题是提供一种可将扩散产生的不良比例降低的晶体硅太 ...
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