专利名称：晶体硅太阳能电池片控制二氧化硅厚度的方法
技术领域：
本发明涉及晶体硅太阳能电池领域，尤其是晶体硅太阳能电池片控制二氧化硅厚 度的方法。
背景技术：
扩散是晶体硅太阳能电池制作的核心工艺，与电池片效率息息相关。在实际生产 过程中，经常在硅片的扩散面发现一些黑点，做成成品电池后会产生外观不良，且对电池效 率也会有一定影响，导致太阳能电池片不合格，通过对这些黑点做元素分析，与正常片相 比，氧含量过高，其他无异，说明这些黑点处的二氧化硅太厚了。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种可将扩散产生的不良比例降低的晶体硅太 阳能电池片控制二氧化硅厚度的方法。本发明解决其技术问题所采用的技术方案是一种晶体硅太阳能电池片控制二 氧化硅厚度的方法，其方法为先将晶体硅太阳能扩散时的中心温度调整为840-850°C， 时间调整为30-40min，当二氧化硅沉积时，氮气大流量为20-30SLM，氮气小流量为 1000-1400SCCM,氧气干燥为300-500SCCM后，二氧化硅的厚度达到正常。本发明的有益效果是，本发明通过调整工艺，扩散后长生的不良比例得到大幅度 降低，二氧化硅的厚度达到正常，从而太阳能电池的效率得到提高。
具体实施例方式晶体硅太阳能电池片控制二氧化硅厚度的方法，其方法为先将晶体硅太阳能扩 散时的中心温度调整为840-850°C，时间调整为30-40min，当二氧化硅沉积时，氮气大流量 为20-30SLM，氮气小流量为1000-1400SCCM，氧气干燥为300-500SCCM后，二氧化硅的厚度 达到正常。以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完 全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术 性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
权利要求
一种晶体硅太阳能电池片控制二氧化硅厚度的方法，其方法为先将晶体硅太阳能扩散时的中心温度调整为840 850℃，时间调整为30 40min，当二氧化硅沉积时，氮气大流量为20 30SLM，氮气小流量为1000 1400SCCM，氧气干燥为300 500SCCM后，二氧化硅的厚度达到正常。
全文摘要
本发明涉及晶体硅太阳能电池领域，尤其是晶体硅太阳能电池片控制二氧化硅厚度的方法，其方法为先将晶体硅太阳能扩散时的中心温度调整为为840-850℃，时间调整为30-40min，当二氧化硅沉积时，氮气大流量为20-30SLM，氮气小流量为1000-1400SCCM，氧气干燥为300-500SCCM后，二氧化硅的厚度达到正常。本发明的有益效果是，本发明通过调整工艺，扩散后长生的不良比例得到大幅度降低，二氧化硅的厚度达到正常，从而太阳能电池的效率得到提高。
文档编号H01L31/18GK101976647SQ20101023831
公开日2011年2月16日 申请日期2010年7月28日 优先权日2010年7月28日
发明者华永军 申请人:常州天合光能有限公司