一种用于晶体硅片的回刻装置的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种用于晶体硅片的回刻装置，包括回刻槽、HF承载槽和H2O2承载槽，还设有控温槽，所述HF承载槽设于控温槽之内；所述HF承载槽的顶部通过气体导管和H2O2承载槽联通；H2O2承载槽与回刻槽通过管道联通；回刻槽和HF承载槽不联通。本实用新型通过在HF承载槽外围设置控温槽，控制HF的挥发性，再使用压缩干燥空气携带挥发的HF气体进入到H2O2液体中，形成了浓度稳定的回刻液，最终稳定地控制了回刻浓度，可稳定的去除扩散后死层。
【专利说明】
一种用于晶体硅片的回刻装置
技术领域
[0001] 本实用新型涉及一种用于晶体硅片的回刻装置，属于太阳能电池技术领域。
【背景技术】
[0002] 常规的化石燃料日益消耗殆尽，在所有的可持续能源中，太阳能无疑是一种最清 洁、最普遍和最有潜力的替代能源。目前，在所有的太阳电池中，晶体硅太阳电池是得到大 范围商业推广的太阳能电池之一，这是由于硅材料在地壳中有着极为丰富的储量，同时晶 体硅太阳电池相比其他类型的太阳能电池有着优异的电学性能和机械性能，因此，晶体硅 太阳电池在光伏领域占据着重要的地位。
[0003] 目前广泛采用的晶体硅太阳能电池的制造工艺也已经标准化，主要步骤为:化学 清洗及表面结构化处理(制绒)_扩散制结-回刻-沉积减反射膜-印刷电极-烧结。其中，扩散 制结是该工艺的核心步骤。扩散之后，在硅片表面会形成一层死层，需要进行回刻去除。现 有的工艺是将扩散后的硅片在一定配比的HF/H 202混合液中进行腐蚀回刻;其相应的装置参 见附图1所示，主要包括回刻槽1、HF承载槽2和H 202承载槽3，HF承载槽和H202承载槽分别通 过管路与回刻槽联通;HF承载槽是给回刻槽补加 HF的，而H2O2承载槽是给回刻槽补加双氧水 的。
[0004] 然而，实际应用发现：由于补加 HF和H202溶液的量很难精确计量，造成回刻槽中HF/ H202混合液的浓度经常出现波动;而由于死层较薄，腐蚀溶液的浓度波动易造成过度回刻， 很难控制回刻速率及回刻后方阻，这给最终的电池片造成了不良影响。
【发明内容】
[0005] 本实用新型的发明目的是提供一种用于晶体硅片的回刻装置。
[0006] 为达到上述发明目的，本实用新型采用的技术方案是：一种用于晶体硅片的回刻 装置，包括回刻槽、HF承载槽和H20 2承载槽，还设有控温槽，所述HF承载槽设于控温槽之内；
[0007] 所述HF承载槽的顶部通过气体导管和H202承载槽联通;H20 2承载槽与回刻槽通过 管道联通;回刻槽和HF承载槽不联通。
[0008] 本实用新型在HF承载槽外围设置控温槽，控制HF的挥发性，再使用压缩干燥空气 (CDA)携带挥发的HF气体进入到H20 2液体中，形成回刻液;利用HF在常温常压下，其挥发度和 溶解度一定，即常温常压下，溶解在H20 2里的浓度也就一定，从而形成稳定的回刻液，从而实 现了调整回刻液的浓度及控制腐蚀速率。
[0009] 优选的，所述h2〇2承载槽的底部通过管道与回刻槽联通。
[0010] 上述技术方案中，所述管道上设有阀门。
[0011] 优选的，还设有压缩干燥空气通入管，该压缩干燥空气通入管的底部插入HF承载 槽的液面之下。即利用压缩干燥空气(CDA)携带挥发的HF气体进入到H 202承载槽中。也可以 通入惰性气体，通过惰性气体携带挥发的HF气体进入到H2O2液体中。
[0012]优选的，所述气体导管的一端位于HF承载槽的顶部，另一端位于H202承载槽的液面 之上。
[0013] 由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：
[0014] 1、本实用新型设计了一种新的用于晶体硅片的回刻装置，通过在HF承载槽外围设 置控温槽，控制HF的挥发性，再使用压缩干燥空气携带挥发的HF气体进入到H 2〇2液体中，形 成了浓度稳定的回刻液，最终稳定地控制了回刻浓度，可稳定的去除扩散后死层；
[0015] 2、试验证明，采用本装置回刻后的方阻更均匀，提高了光电转换效率；
[0016] 3、本实用新型的装置结构简单，成本较低，适于推广应用。
【附图说明】
[0017] 图1是【背景技术】中的回刻装置的结构示意图。
[0018] 图2是本实用新型实施例一的结构示意图。
[0019] 其中：1、回刻槽;2、HF承载槽;3、H2〇2承载槽;4、控温槽;5、气体导管;6、管道;7、压 缩干燥空气通入管;8、硅片。
【具体实施方式】
[0020] 下面结合实施例对本实用新型进一步描述。
[0021] 实施例一：
[0022]参见图2所示，一种用于晶体硅片的回刻装置，包括回刻槽1、HF承载槽2和H202承载 槽3，还设有控温槽4，所述HF承载槽设于控温槽之内；
[0023]所述HF承载槽的顶部通过气体导管5和H202承载槽联通;H20 2承载槽与回刻槽通过 管道6联通;回刻槽和HF承载槽不联通。
[0024]硅片8设于回刻槽1内，参见图2所示。
[0025]所述H202承载槽的底部通过管道与回刻槽联通。所述管道上设有阀门。
[0026]还设有压缩干燥空气通入管7,该压缩干燥空气通入管的底部插入HF承载槽的液 面之下。
[0027]所述气体导管的一端位于HF承载槽的顶部，另一端位于H202承载槽的液面之上。
[0028] 对比例一
[0029] 采用【背景技术】中的回刻装置进行回刻，其装置的结构示意图参见图1所示。
[0030] 分别测定实施例和对比例中硅片去死层前和去死层后的方阻，结果如下：（单位都 是 Ω/口）
[0031] 表1对比例一
[0033] 表2实施例一
[0035]由上面2个表格可见，与对比例的现有回刻装置相比，采用本实用新型的装置回刻 后的方阻更均匀，提高了光电转换效率。
【主权项】
1. 一种用于晶体硅片的回刻装置，包括回刻槽（1)、HF承载槽(2)和H2〇 2承载槽(3)，其特 征在于:还设有控温槽(4 )，所述HF承载槽设于控温槽之内； 所述HF承载槽的顶部通过气体导管（5)和H2〇2承载槽联通;H2〇 2承载槽与回刻槽通过管 道(6)联通；回刻槽和HF承载槽不联通。2. 根据权利要求1所述的用于晶体硅片的回刻装置，其特征在于:所述H2〇2承载槽的底 部通过管道与回刻槽联通。3. 根据权利要求2所述的用于晶体硅片的回刻装置，其特征在于：所述管道上设有阀 门。4. 根据权利要求1所述的用于晶体硅片的回刻装置，其特征在于:还设有压缩干燥空气 通入管(7)，该压缩干燥空气通入管的底部插入HF承载槽的液面之下。5. 根据权利要求1所述的用于晶体硅片的回刻装置，其特征在于:所述气体导管的一端 位于HF承载槽的顶部，另一端位于H2〇 2承载槽的液面之上。
【文档编号】H01L31/18GK205645847SQ201620427498
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年5月12日
【发明人】周军, 晏文春, 党继东
【申请人】盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司