技术编号：6815362
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明关于一种半导体材料，特别是关于一种具有凹陷抵抗层的绝缘层上有半导体的基材。背景技术 传统上的绝缘层上有硅(Silicon-on-insulator；SOI)的集成电路形成于SOI基材上。附图说明图1A说明一SOI基材的剖面图。SOI基材典型的具有一薄的硅层，如同所熟知的硅主动层130，形成于一绝缘层120之上，例如是一埋入氧化层(Buried Oxide Layer；BOX Layer)。此绝缘层120或埋入氧化层形成于一硅基材110之上。埋入氧化层...
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