技术编号：6816694
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体上涉及SiC基半导体器件上的电接触，更具体地说，涉及硅的碳化物的半导体上的欧姆与整流接触。SiC在高温与高功率的固态电子元器件上有着极大的优点。此外，在高频与逻辑电路的应用上，它还提供潜在的优点，例如，功率转换(混合器二极管，MESFETs)、单片计算机(n-MOS、CMOS、双极晶体管)、永久性随机存取存储器SiCCCD可以保持电荷超过一千年，因此，就可以使硬盘成为过时之物。SiC电子元器件潜在的最大平均功率、最大操作温度、热稳定性、以及可靠性...
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