技术编号:6816846
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,特别是涉及具有STI结构的。背景技术 近年来,伴随半导体集成电路的高集成化,采用了浅槽隔离(STI)作为元件隔离方法。在该方法中,在衬底上设置浅的槽,通过用绝缘膜填埋该槽来形成元件隔离区。在STI的形成工序中,利用化学机械研磨(CMP)等来研磨在衬底上淀积的绝缘膜。在元件隔离区大的情况下,由于在CMP工序中引起槽内的绝缘膜被过度研磨的被称为表面凹陷(dishing)的现象,所以使用在有源区以外的区域中形成虚设图形的方法。作为这样的元件隔离区的形...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。