技术编号:6816847
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置,特别涉及采用在绝缘膜上的半导体层内形成SOI(Silicon On Insulator,绝缘体上的硅)元件的MIS(Metal Insulator Semicoductor,金属—绝缘体—半导体)型半导体装置。背景技术 随着半导体集成电路的低功耗及高密度,要求构成半导体集成电路的各个元件实现微细化,工作电压要采用低电压。对于这样的要求,已经知道有能够高速动作、低功耗的SOI(Silicon On Insulator)元件。图12(a)...
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