技术编号：6818771
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种包括具有大量绝缘栅场效应晶体管的高密度集成电路的半导体器件，特别涉及一种目的在于晶体管的高密度集成，同时减小影响晶体管性能的接触电阻效应的半导体器件。由于半导体元件的减小，集成密度提高，所以例如动态随机存取存储器(DRAM)的存储容量已比三年前增加了四倍。无需说，存储信息的存储单元的面积已经因元件尺寸的减小而减小。通过减小用于写入和读取存储在存储单元中的信息的外围电路的元件尺寸，已经提高了上述集成度。DRAM的重要外围电路之一是读出放大器。图...
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