技术编号:6818800
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件,特别是,涉及一种具有多层互连结构的半导体器件。对于一种高集成和高速半导体器件的方法,多层互连(或布线)结构是适用的,其中在上和下布线层上的上和下布线图形可通过布线层之间层间(或中间)绝缘膜上所形成的通孔来连接。在具有该多层互连结构的常用半导体器件中,通孔具有的宽度要比下布线图形的通孔窄。由于该结构,可防止该通孔超越下布线图形,即使出现通孔的位置错误或处理条件的改变。由此,可以避免可靠性的降低和产量的下降。然而,长期以来人们一直在需...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。