技术编号：6818852
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，特别是涉及在DRAM(Dynamic Rondom Access Memory，动态随机存取存储器)等的半导体存储装置中的电容电极的制造中应用的。在DRAM中，随着半导体制造技术的发展，器件不断向高集成化、微细化前进。这一情况虽然借助于占芯片面积的大部分的存储单元的面积缩小是可能的，但是在面积缩小的情况下，存在着每一单元的用来存储数据的电荷的存储电容器(storage capacitor)将减少的缺点。为了克服这一缺点，作为在单位存储单元的有限...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。