专利名称：半导体装置及其制造方法
技术领域：
本发明涉及半导体装置及其制造方法，特别是涉及在DRAM(Dynamic Rondom Access Memory，动态随机存取存储器)等的半导体存储装置中的电容电极的制造中应用的半导体装置及其制造方法。
在DRAM中，随着半导体制造技术的发展，器件不断向高集成化、微细化前进。这一情况虽然借助于占芯片面积的大部分的存储单元的面积缩小是可能的，但是在面积缩小的情况下，存在着每一单元的用来存储数据的电荷的存储电容器(storage capacitor)将减少的缺点。
为了克服这一缺点，作为在单位存储单元的有限的面积内使存储电容器增加的方法，一般应用增加电容器的存储电极(下部电极)的表面积的方法。作为其构造，人们已提出了堆叠式电容器、沟槽式电容器、堆叠沟槽合并式电容器构造。在其中，由于和沟槽式比较堆叠式电容器的构造简单，所以多为人们所研究。
但是，在64Mbit级以上的DRAM中，若用一般性的单纯使3维堆叠式电容器的存储电极的高度增加来赢得面积的话，则除难于确保足够的电容之外，存储单元部分与周边部分之间的绝对阶差(高低差)也将变大，则对其上部的布线加工(特别是，光刻技术)将变得困难，所以，例如在特开平5-67747号公报、特开平6-204428号公报和特开平5-267214号公报中，提出了各种各样的改型的3维堆叠式电容器。
其中，特开平6-204428号公报的DRAM装置的圆筒构造的堆叠式电容器，由于不仅圆筒的外壁，内壁的表面积也可以利用，所以是一种适合于高集成化存储单元的构造。
参照图26到图33说明此构造。各图是用于说明具有常规所用的圆筒构造的堆叠式电容器的半导体装置及其制造方法的工序顺序剖面图。
首先，如图26所示，用通常的器件隔离方法把p型硅衬底1划分为有源区和把场氧化膜2形成得比周围更厚的非有源区。在有源区中，使位线B和在其下部的漏区D共有，用通常的半导体制造方法形成每一个皆具有一个源区S和栅极电极3的晶体管。
接着，形成层间绝缘膜4，以将随后要形成的导电层与上述晶体管绝缘。用减压CVD(Chemical Vapor Deposition，化学汽相淀积)法或常压CVD法生长BPSG(Boro Phspho Silicate Glass，硼磷硅玻璃)膜5，并施行回流处理。
其次，在整个面上生长氮化硅膜(SiN)6，用光刻技术和各向异性刻蚀技术，在存储单元的单元节点部分上开电容接触孔7。
接着，如图27和图28所示，在氮化硅膜6和电容接触孔7的整个面上顺次生长第1多晶硅膜12和NSG(Nondope Silicate Glass，非掺杂硅玻璃)膜13。之后，如在图29中用箭头Y1所示，进行NSG膜13和第1多晶硅膜12的图形化，使其变成为堆叠式电容器的存储电极的形状(圆筒形状)。
接着，如图30所示，在整个面上生长第2多晶硅膜17。之后，如图31所示，全面进行各向异性刻蚀，在第1多晶硅膜12和NSG膜13的侧面上形成由第2多晶硅膜17形成的侧壁18。
其次，如图32所示，用氟化铵溶液仅仅除去NSG膜13，使存储电极的表面露出来。用这种方法，如在图33中用标号8所示，将电容接触孔7连接到p型硅衬底1上，在本身为绝缘膜的氮化硅膜6的上边向水平方向扩张，形成在任意位置上具有向上升起的侧壁18的形状的存储电极8。之后，在整个面上形成电介质膜9，接下来，采用形成第3多晶硅膜的办法，形成电容器的平板电极10。应用以上的工序，就将完成DRAM的电容器构造。
此外，特开平5-67747号公报中的上述存储电极，是在纵向有多个孔的构造。特开平5-267214号公报，是在上边说过的电容接触孔内，大体上收容有用形成2个环状环和硅纵凸片(fin)的办法形成的存储电极的构造。
但是，在现有技术中存在着下述问题。
用参照上述的图说明的制造方法，为了缩小单元尺寸，增加存储电容器，虽然采用增高侧壁18的办法可以展宽存储电极8的表面积，但在增高侧壁18的情况下，存在着存储单元部分与周边部分件的绝对阶差将变大，其上部形成布线的加工将变得困难的问题。此外，还存在着随着侧壁18的高度变高，其强度将变弱，侧壁18的一部分有可能倒塌的问题。
此外，在特开平5-67747号公报的发明中，也存在着下述问题虽然用多个纵形孔会使表面积扩展，但为了进一步扩展而增高侧壁18的情况下，存储单元部分与周边部分之间的绝对阶差将变大，布线的加工将变得困难。特开平5-267214号公报的发明由于存储电极大体上收容于电容接触孔内，所以存在着不能象上述2个引用例那种程度地增加存储电容器的问题。
本发明就是有鉴于上述问题而发明的，目的是提供一种用单纯的工序就可以制造大存储容量的存储电容器更大的半导体装置而不会减少半导体装置的集成度的半导体装置及其制造方法。
本发明的半导体装置具有半导体衬底；在该半导体衬底上形成的绝缘膜；具有使在该绝缘膜上开口的接触孔与半导体衬底连接，并沿着绝缘膜的上表面扩展的筒状部分的存储电极；覆盖该电极表面的电介质膜；以覆盖该电介质膜的形态形成于存储电极上的平板电极，且在存储电极的筒状部分的内面上已形成了凸出部分。
此外，凸出部分可以与筒状部分形成一个整体。
此外，也可以形成为使之向筒状部分的内径方向延伸，还可以形成多个。
此外，也可以形成为沿着筒状部分的内周绕一圈的环状。
此外，也可以形成为凸片(fin)状。
这些凸出部分，也可以在筒状部分的高度方向上间隔形成。
此外，在存储电极的底面与绝缘膜之间，还可以有规则地形成间隙。
此外，本发明的半导体装置的制造方法包括在半导体衬底上形成第1绝缘膜的工序；在第1绝缘膜上形成第2绝缘膜的工序；除掉第1和第2绝缘膜，形成接触孔，使半导体衬底露出来的工序；在上述工序生成物的整个面上形成第1导电层的工序；在第1导电层整个面上形成3层以上的多层构造的绝缘膜的工序；使第1导电层和多层构造的绝缘膜柱状地图形化的工序；对多层构造的绝缘膜进行刻蚀，仅仅使被上下层夹在中间的中间层的绝缘膜凹陷以形成凹坑的工序；在前述工序生成物整个面上形成第2导电层的工序；对第2导电层进行整个面各向异性刻蚀，在已形成了凹坑的多层构造的绝缘膜的侧面上形成筒状的第2导电层形成的侧壁的工序；除掉多层构造的绝缘膜，形成存储电极的工序；在存储电极的表面上形成电介质膜的工序；在所述电介质膜上形成第3导电层以形成平板电极的工序。
还有，第2绝缘膜也可以使之含有氮化硅膜。
此外，可以使将形成凹坑的绝缘层的刻蚀速率比其它的绝缘层的刻蚀速率快。
附图的简单说明
图1的剖面图示出了本发明的实施例1的具有圆筒构造的堆叠式电容器的半导体装置的构成。
图2是用于说明在本发明的实施例1的半导体装置的制造方法中的p型衬底上已形成了绝缘膜后，到形成电容接触孔为止的工序的剖面图。
图3是用于说明在本发明的实施例1的半导体装置的制造方法中的第1多晶硅膜的形成工序的剖面图。
图4是用于说明在本发明的实施例1的半导体装置的制造方法中的3层构造的绝缘膜的形成工序的剖面图。
图5是用于说明在本发明的实施例1的半导体装置的制造方法中的存储电极的形状形成工序的剖面图。
图6是用于说明在本发明的实施例1的半导体装置的制造方法中的用来形成凸片的凹坑的形成工序的剖面图。
图7是用于说明在本发明的实施例1的半导体装置的制造方法中的第2多晶硅膜的形成工序的剖面图。
图8是用于说明在本发明的实施例1的半导体装置的制造方法中的存储电极的侧壁的形成工序的剖面图。
图9是用于说明在本发明的实施例1的半导体装置的制造方法中的存储电极的形状形成工序的剖面图。
图10的剖面图示出了本发明的实施例2的具有圆筒构造的堆叠式电容器的半导体装置的构成。
图11是用于说明在本发明的实施例2的半导体装置的制造方法中的p型衬底上边已形成了绝缘膜后，到形成电容接触孔为止的工序的剖面图。
图12是用于说明在本发明的实施例2的半导体装置的制造方法中的第1多晶硅膜和5层构造的绝缘膜的形成工序的剖面图。
图13是用于说明在本发明的实施例2的半导体装置的制造方法中的存储电极的形状形成工序的剖面图。
图14是用于说明在本发明的实施例2的半导体装置的制造方法中的用来形成凸片的凹坑的形成工序的剖面图。
图15是用于说明在本发明的实施例2的半导体装置的制造方法中的第2多晶硅膜的形成工序的剖面图。
图16是用于说明在本发明的实施例2的半导体装置的制造方法中的存储电极的侧壁的形成工序的剖面图。
图17是用于说明在本发明的实施例2的半导体装置的制造方法中的存储电极的形状形成工序的剖面图。
图18的剖面图示出了本发明的实施例3的具有圆筒构造的堆叠式电容器的半导体装置的构成。
图19是用于说明在本发明的实施例3的半导体装置的制造方法中的p型衬底上边已形成了绝缘膜后，到形成电容接触孔为止的工序的剖面图。
图20是用于说明在本发明的实施例3的半导体装置的制造方法中的第1多晶硅膜和3层构造的绝缘膜的形成工序的剖面图。
图21是用于说明在本发明的实施例3的半导体装置的制造方法中的存储电极的形状形成工序的剖面图。
图22是用于说明在本发明的实施例3的半导体装置的制造方法中的用来形成凸片的凹坑的形成工序的剖面图。
图23是用于说明在本发明的实施例3的半导体装置的制造方法中的第2多晶硅膜的形成工序的剖面图。
图24是用于说明在本发明的实施例3的半导体装置的制造方法中的存储电极的侧壁的形成工序的剖面图。
图25是用于说明在本发明的实施例3的半导体装置的制造方法中的存储电极的形状形成工序的剖面图。
图26是在现有的具有圆筒构造的堆叠式电容器的半导体装置的制造方法中的p型衬底上边已形成了绝缘膜后，到形成电容接触孔为止的工序的剖面图。
图27是用于说明在现有的半导体装置的制造方法中的第1多晶硅膜的形成工序的剖面图。
图28是用于说明现有的半导体制造方法中的NSG膜的形成工序的剖面图。
图29是用于说明在现有的半导体制造方法中的存储电极的形状形成工序的剖面图。
图30是说明现有的半导体装置的制造方法中的第2多晶硅膜的形成工序的剖面图。
图31是用于说明在现有的半导体装置的制造方法中的存储电极的侧壁的形成工序的剖面图。
图32是用于说明在在现有的半导体装置的制造方法中的存储电极的形成工序的剖面图。
图33的剖面图示出了现有的具有圆筒构造的堆叠式电容器的半导体置的构成。
以下，根据附图详细地说明本发明的实施例。实施例1图1的剖面图示出了本发明的实施例1的具有圆筒构造的堆叠式电容器的半导体装置的构成。
在图1中，1是p型硅衬底，2是场氧化膜，3是栅极电极，4是层间绝缘膜，5是BPSG膜，6是氮化硅膜，7是电容接触孔，8a是存储电极，9是电介质膜，10是平板电极，11是凸片(凸出部分)。其中，虽然省去了图26中的漏区D和源区S，但是它们与现有例一样地存在着。
参照图2到图9说明用这样的要素构成的半导体装置的制造方法。首先，如图2所示，用常规的器件隔离方法，把p型硅衬底1划分为有源区和把场氧化膜2形成得比周围更厚的非有源区。在有源区中，使位线B和在其下部的漏区D共有，用常规的半导体制造方法形成每一个皆具有一个源区S和栅极电极3的晶体管。
接着，形成层间绝缘膜，以使其后形成的导电层与上述晶体管绝缘，用减压CVD法或常压CVD法生长BPSG膜5，并施行回流处理。其次，在整个面上生长氮化硅膜6，用光刻技术和各向异性刻蚀技术，在存储单元的单元节点部分上开电容接触孔7。接着，如图3所示，用减压CVD法在整个面上生长第1多晶硅膜。到此为止的工序与现有的制造方法是一样的。
其次，如在图4中用标号13、14、13所示，顺次形成3层的氧化膜。这里所形成的氧化膜，只要是比起第1层和第3层来，第2层在湿法各向同性刻蚀中刻蚀速率快且可以充分地得到选择比，什么膜都行。在这里，使用的是NSG膜13，PSG(Phospho Silicate Glass，磷硅玻璃)膜14，NSG膜13这样的3层构造的氧化膜。
其次，如图5所示，在NSG膜13上边形成光刻胶15，顺次进行3层构造的氧化膜13、14、13和第1多晶硅膜12的图形化，使得变成为堆叠式电容器的存储电极的形状。在图形化后，除去光刻胶15。
其次，对图形化后的3层构造的氧化膜，用DHF(DiliuteHydrofluric Acid，稀的氢氟酸)液进行整个面各向同性刻蚀。这时，由于对DHF液PSG膜12比NSG膜13刻蚀速率快约10倍，所以图形化后的3层构造的氧化膜13、14、13，仅仅第2层的PSG膜14被选择性地刻蚀。这时，如图6所示，要使刻蚀进行得不要完全除去PSG膜14，以形成凹坑16。
其次，如图7所示，以填埋凹坑的形式在整个面上生长第2多晶硅膜17，并采用对多晶硅的整个面进行各向同性刻蚀的办法，如图8所示，在第1多晶硅膜12和3层构造的氧化膜13、14、13的侧面上形成由第2多晶硅膜构成的侧壁18。对该第2多晶硅膜17，由于敷层是100％，所以无须用特殊的方法，用与第1多晶硅相同的方法，例如，用减压CVD法就可以形成。
其次，采用从上层开始顺次用氟化铵溶液，DHF液，氟化铵溶液除去3层构造的NSG膜13，PSG膜14，NSG膜13的办法，如图8所示，使存储电极露出来。这时，圆筒形状的存储电极8a中，与侧壁一体性地形成使第2多晶硅膜17进入在凹坑16里边形成的凸片11。该凸片11向着圆筒的中心变成为向水平方向突出来的形状。即，变成为沿着圆筒的内周面绕一圈的环状。
接着，如图1所示，用减压CVD法形成电介质膜9，其次，生长第3多晶硅膜，进行图形化，形成平板电极10。作为电介质膜9的材质，可以利用例如表面已氧化的SiN(氮化硅)等。此外，对于形成平板电极10的第3多晶硅膜，也可以与第2多晶硅膜17一样，用减压CVD法形成。
实施例1的半导体装置，由于如上所述那样地制造构成，故具有如下效果。
由于在圆筒形状的存储电极8a的内侧形成了凸片11，故有效面积比未形成凸片的现有的存储电极8将增加。即，增加了大体上与凸片11的表面积相当的数额，存储电容器可以增加这么一个分额。此外，由于在圆筒的内侧已形成了凸片11，所以侧壁18的强度得以增强。
在形成存储电极8a之际，一般认为在侧壁18形成后，再形成凸片11。但是，在本实施例中，由于在形成侧壁的同时与侧壁一体性地形成凸片11，所以，侧壁18和凸片11之间的交界部分上就不存在自然氧化膜，就可以得到可靠性高的电容器。实施例2其次，在图10中示出了实施例2的半导体装置的剖面构成图，以下，对其进行说明。
在图10中，1是p型衬底，2是场氧化膜，3是栅极电极，4是层间绝缘膜，5是BPSG膜，6是氮化硅膜，7是电容接触孔，8b是存储电极，9是电介质膜，10是平板电极，11是凸片(凸出部分)。其中，虽然省去了图26中的漏区D和源区S，但是它们与现有例一样地存在着。
参照图11到图17说明用这样的要素构成的半导体装置的制造方法。首先，如图11所示，在开过电容接触孔7之后，如图12所示，到生长第1多晶硅膜12为止的工序，与在实施例1中已说明过的制造方法是一样的。
其次，如在图12中用标号13、14、13、14、13所示，顺次生成5层的氧化膜。这时成膜的氧化膜，只要是比起第1、3、5层来，第2、4层在湿法各向同性刻蚀中的刻蚀速率快，且选择比可以取得充分的膜，什么膜都行。
在这里，使用的是把第1、3、5层作成为NSG膜13，把第2、4层作成为PSG膜14的5层构造。
其次，如图13所示，顺次进行5层构造的氧化膜13、14、13、14、13和第1多晶硅膜12的图形化，使得变成为堆叠式存储电极的形状。
其次，用DHF液对已图形化的5层构造的氧化膜整个面进行各向同性刻蚀。这时，与在实施例1中说明的原理一样，仅仅第2、4层的PSG膜14被进行选择性地刻蚀，这时，如图14所示，要使刻蚀进行得不要完全除去PSG膜14，以在第2、4层上形成凹坑16。
接着，如图15所示，在整个面上用减压CVD法生长第2多晶硅膜17，并采用进行多晶硅的整个面各向同性刻蚀的办法，如图16所示，在第1多晶硅膜12和5层构造的氧化膜13、14、13、14、13的侧面上形成由第2多晶硅构成的侧壁18。
其次，采用使用氟化铵溶液和DHF液除去5层构造的氧化膜的办法，如图17所示，使存储电极8b露出来。这时，圆筒形状的存储电极8b中，与侧壁18一体性地形成使第2多晶硅膜17进入到隔开规定的间隔的凹坑16里边形成的凸片11。各个凸片11，都向着圆筒的中心变成为向水平方向突出来的形状。
接着，如图10所示，在整个面上用减压CVD法形成由SiN等构成的电介质膜9，其次，用相同的方法生长第3多晶硅膜，进行图形化，形成平板电极10，用以上的工序，就可以得到实施例2的半导体装置。
实施例2的半导体装置，由于如上所述那样地制造构成，故具有如下效果。
由于在圆筒形状的存储电极8b的内侧2层构造地形成了凸片11，故有效面积比实施例1的存储电极8a还要增加作成2层构造的那么多的分额，可以与此分额相应地增加存储电容器。
2层构造的凸片11也与实施例1一样，在形成侧壁的同时与侧壁一体性地形成凸片11，所以，在交界部分上就不存在自然氧化膜，就可以得到可靠性高的电容器。实施例3其次，在图18中，示出了实施例3的半导体装置的剖面构成图，现在对其进行说明。
在图18中，1是p型衬底，2是场氧化膜，3是栅极电极，4是层间绝缘膜，5是BPSG膜，6是氮化硅膜，7是电容接触孔，8c是存储电极，9是电介质膜，10是平板电极，11是凸片(凸出部分)。其中，虽然省去了图26中的漏区D和源区S，但是它们与现有例一样地存在着。
参照图19到图25说明用这样的要素构成的半导体装置的制造方法。首先，如图19所示，在生长如图19所示的BPSG膜5，施行了回流处理之后，到在整个面上生长氮化硅膜6为止的工序，与在实施例1中已说明过的制造方法是一样的。
其次，在整个面上，形成NSG膜13，并用光刻技术和各向异性刻蚀技术，在存储单元单元节点部分上开电容接触孔。接着，如图20所示，用减压CVD法生长第1多晶硅膜12，其次，与实施例1一样，顺次形成3层的氧化膜13、14、13，然后，如图21所示，顺次进行3层构造的氧化膜13、14、13和第1多晶硅膜12的图形化，使得变成为堆叠式电容器的存储电极的形状。
其次，和实施例1一样，采用用DHF液对已图形化后的3层构造的氧化膜进行整个面各向同性刻蚀的办法，如图22所示，形成凹坑16。
接着，如图23所示，用同样的减压CVD法，在整个面上生长第2多晶硅膜17，并采用对多晶硅的整个面进行各向异性刻蚀的办法，如图24所示，在第1多晶硅膜12和3层构造的氧化膜13、14、13的2侧面上，形成由第2多晶硅构成的侧壁18。
其次，采用使用氟化铵溶液和DHF液除去3层构造的氧化膜13、14、13和氮化硅膜6上边的NSG膜13的办法，如图25所示，使存储电极8c露出来。这时，圆筒形状的存储电极8c上，与实施例1一样，形成凸片11。此外，与实施例1不同之处是，在存储电极8c的底面与氮化硅膜6之间形成规定间隔的间隙19。
接着如图18所示，在整个面上形成电介质膜9，其次，生长第3多晶硅膜，进行图形化，形成平板电极10，用以上的工序，就可以得到实施例3的半导体装置。
实施例3的半导体装置，由于如上所述那样地制造构成，故具有如下效果。
在圆筒形状的存储电极8c中，与实施例1一样，由于除凸片11外存储电极8c的底面也作为表面积使用，所以有效表面积比实施例的存储电极8a还要进一步增加，存储电容器也可以与此增加量对应的增加。此外，同样地与现有的存储电极8比，有效表面积将显著地增加，且可以与此增加量相对应地增加存储电容器。
还有，在本实施例中，虽然应用的是具有堆叠式电容器的半导体装置，但是本发明并不受限于此，在本发明的应用方面，可以应用于例如半导体存储装置等合适的半导体装置中去。
此外，上述构成构件的数量、位置、形状等，都不限于上述实施例，在实施本发明方面可以变成为合适的数量、位置和形状。例如，存储电极的形状不限于圆筒形状，也可以是椭圆形状，方筒形状等。
还有，在各图中，对同一构成要素赋予同一标号。
由于本发明象上述那样地构成，故具有如下的效果。
倘采用第1到第9方面所述的本发明的半导体装置，由于在存储电极的筒状部分的内面上形成了1层或隔开规定的间隔形成了多层水平的凸出部分，所以与此凸出相对应地存储电极的表面积将变宽，可以使电荷的存储电容器增加。
此外，由于已做成为使得可以在存储电极的底面与其下边的绝缘膜之间形成间隙，所以，存储电极的底面也将成为用于增加存储电容器的表面积，因此还可以进一步增加存储电容器。
由于可以象这样地增加存储电容器，故具有消除象现有技术那样，为了使存储电容器增加，采用增高存储电极的侧壁的办法增大了存储单元部分和周边电路部分之间的绝对阶差，从而使将形成于其上部的布线的加工变得困难的事项的效果。此外，由于在存储电极的内侧上设有与侧壁一体化的凸出部分，故具有增强侧壁的强度的效果。因此，基本上消除随着侧壁的增高其强度变弱，从而使侧壁倒塌的可能性。
倘采用第10到第14方面所述的本发明的半导体装置的制造方法，由于在存储电极上形成凸出部分之际，与侧壁同时一体性地形成凸出部分，故在侧壁与凸出部分之间的交界处不会存在自然氧化膜，因而可以得到可靠性高的电容器。
此外，在形成凸出部分之际，在多层构造之内，在被上下层夹在中间的中间层的绝缘膜中，虽然用的是刻蚀速率快的绝缘膜，但是，采用使其刻蚀用氢氟酸溶液进行的办法，也可以使中间层比上下层还快地进行恰当地刻蚀而形成凹坑。
还有，在第2绝缘膜中，虽然用的是氮化硅膜，但是，这是因为由于氮化硅膜不溶解于氢氟酸溶液，故在第2绝缘膜形成后，即便是进行上述刻蚀也不会溶解第2绝缘膜，可以确保剩下半导体装置所需要的绝缘膜的缘故。
附图中符号的说明B.位线1.p型半导体基板2.场氧化膜3.栅极电极4.层间绝缘膜(第1绝缘膜)5. BPSG膜(第2绝缘膜)6. 氧化硅膜(第二绝缘膜)7. 电容接触孔8. 8a、8b、8c存储电极9. 电介质膜10.平板电极11.凸片12.第1多晶硅膜(第1导体层)13.NSG膜14.PSG膜15.光刻胶膜16.凹坑17.第2多晶硅膜(第2多晶硅导电层)18.侧壁(筒状部分)19.间隙
权利要求
1.一种半导体装置，其特征是具有半导体衬底；在该半导体衬底上形成的绝缘膜；在该绝缘膜上开口的接触孔，其与半导体衬底连接，以及沿着绝缘膜的上表面扩展的筒状部分的存储电极；覆盖该电极的表面的电介质膜；以覆盖该电介质膜的形态形成于存储电极上的平板电极，且在存储电极的筒状部分的内面上已形成的凸出部分。
2.权利要求1所述的半导体装置，其特征是所述凸出部分与所述筒状部分形成为一个整体。
3.权利要求1或2所述的半导体装置，其特征是所述凸出部分沿着所述筒状部分的内径方向延伸。
4.权利要求1到3中任何一项所述的半导体装置，其特征是所述凸出部分形成有多个。
5.权利要求1到4中任何一项所述的半导体装置，其特征是所述凸出部分形成为沿着所述筒状部分的内周绕一圈的环状。
6.权利要求1到5中任何一项所述的半导体装置，其特征是所述凸出部分形成为凸片(fin)状。
7.权利要求1到6中任何一项所述的半导体装置，其特征是所述凸出部分，在所述筒状部分的高度方向上间隔形成。
8.权利要求1到7中任何一项所述的半导体装置，其特征是所述存储电极的底面和所述绝缘膜之间具有规定间隙。
9.权利要求1到8中任何一项所述的半导体装置，其特征是所述绝缘膜形成于已形成于所述半导体衬底上的晶体管上。
10.一种半导体装置的制造方法，其特征是具有下述步骤在半导体衬底上形成的第1绝缘膜；在第1绝缘膜上形成第2绝缘膜；去除第1和第2绝缘膜，形成接触孔，使半导体衬底暴露出来；在上述步骤所得产物的整个面上形成第1导电层；在所述第1导电层整个面上形成3层以上的多层构造的绝缘膜的工序；使所述第1导电层和多层构造的绝缘膜柱状地图形化；对多层构造的绝缘膜进行刻蚀，仅仅使被上下层夹在中间的中间层的绝缘膜凹陷以形成凹坑；在上述步骤所得产物的整个面上形成第2导电层；对所述第2导电层进行全面各向异性刻蚀，在已形成了凹坑的多层构造的绝缘膜的侧面上形成筒状，其侧壁由所述第2导电层形成；除掉多层构造的绝缘膜，形成存储电极；在存储电极的表面上形成电介质膜；以及采用在所述电介质膜上形成第3导电层而形成平板电极。
11.权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征是所述第2绝缘膜含有氮化硅膜。
12.权利要求10或11所述的半导体装置的制造方法，其特征是形成所述凹坑的绝缘层的刻蚀速率比其它的绝缘层的刻蚀速率快。
13.权利要求10到12中的任何一项所述的半导体装置的制造方法，其特征是所述刻蚀是湿法刻蚀。
14.权利要求10到13中的任何一项所述的半导体装置的制造方法，其特征是所述湿法刻蚀处理，含有氢氟酸溶液。
全文摘要
本发明提供半导体装置及其制造方法,其中在半导体衬底上形成绝缘膜,在绝缘膜上开接触孔,使接触孔与半导体衬底连接,在绝缘膜的上边形成存储电极,形成覆盖存储电极的表面的电介质膜,在被电介质膜覆盖的存储电极的上边形成平板电极。
文档编号H01L21/8242GK1199928SQ9810185
公开日1998年11月25日 申请日期1998年5月12日 优先权日1997年5月12日
发明者木村笃史 申请人:日本电气株式会社