技术编号:6819276
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,特另涉及层间绝缘膜的结构及其形成方法。为了形成半导体器件的层间绝缘膜,使用硅化合物例如硅烷气(SiH4)和过氧化氢(H2O2)用CVD(化学气相淀积)法形成的氧化硅膜,由于能够埋入0.25μm以下的极微细的配线之间,而且,流动性优良,由此表现出的自身的平坦化作用,所以正成为引人注目的作为替代以往使用的SOG法等(在玻璃上旋涂)的下一代层间绝缘膜的平坦化手段。例如,可参照“NOVEL SELF-PLANARIZING CVD OXIDE FOR ...
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