技术编号:6819279
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件,特别是,涉及一种半导体器件,其是由优选形状的微导线组成,以用于高频半导体器件。近来,在开发由几GHz至100GHz的宽范围上的高频集成半导体如GaAs集成半导体,已经取得了进步。在其中的布线即集成半导体的微线(参见图4(a))中,由于使用在高频中所带来的集肤效应而由电阻的增加引起传输损耗以成为问题。在图4(a)中,12表示绝缘膜,13表示电镀供料层,和15表示镀金。为了降低由于集肤效应而使电阻的增加,可考虑有效地增加布线的表面积,...
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