技术编号：6819571
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及半导体器件，特别涉及包含布线层且能够防止该布线层与不同电位的布线层或与半导体衬底短路的改进的半导体器件。图3是现有的具有多层布线结构的半导体存储器等半导体器件的剖面图。参照图3，在半导体衬底1上设置层间绝缘膜5a。在层间绝缘膜5a上设置第一导电层2。在层间绝缘膜5a上设置层间绝缘膜5b，以便覆盖第一导电层2。在层间绝缘膜5b上设置第二导电层3。在层间绝缘膜5b上设置层间绝缘膜5c，以便覆盖第二导电层3。在层间绝缘膜5a、5b、5c中，设置用于...
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