技术编号：6819572
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制作半导体器件的方法，尤其涉及一种干法刻蚀硅层制备槽的方法。公知的刻蚀方法是通过使用抗蚀剂作为掩模来刻蚀多晶硅层的。近来要求这种刻蚀更块地完成。因此，使用抗蚀剂作为掩模来刻蚀多晶硅层采用了刻蚀气体，作为第一刻蚀步骤，在抗蚀剂完全从多硅晶上去除之前，该气体能快速地除去多晶硅但对抗蚀剂却有低选择性。这样，抗蚀剂和多晶硅同时被刻蚀。作为第二步，使用残余抗蚀剂作为掩模来刻蚀多晶硅层采用了对抗蚀剂有高选择性的刻蚀气体。照第二步方式在刻蚀多晶硅时几乎不刻...
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