技术编号:6819729
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种为集成电路形成隔离(isolation)的方法,特别是涉及一种形成浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation,STI)的方法。半导体集成电路(ICs)的发展方向为增加密度与缩小元件。在集成电路制造中,隔离结构是一种重要技术。形成在硅基底上的元件必须与其它元件隔离。在次微米集成电路中建立有效的隔离,降低表面隔离空间,是一种复杂且具挑战性的目标。一种现有浅沟槽隔离的方法为,在一高温氧化炉管内氧化一硅晶圆,成长一约150至250埃...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。