技术编号:6819733
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种改善内连线(Interconnect)结构的电性质量的方法,特别是涉及一种改善半导体制程中内连线结构的内金属介电层(Inter-metalDielectric;IMD)的时依性介质击穿(Time-dependent Dielectric Breakdown;TDDB)寿命的方法。背景技术 随着半导体技术的进步,电子组件的尺寸也不断地朝微小化、可携式发展,因而导致集成电路的积集度(Integration)持续增加。另一方面,随着集成电路积集度的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。