半导体器件及其制造方法技术资料下载

技术编号:6819734

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本发明涉及具有电容器的。背景技术 已知具有铁电物质的FeRAM(铁电随机访问存储器)作为非易失存储器,即使电源关闭也能够存储信息。FeRAM具有通过利用铁电物质的电滞特性存储信息的结构,能够在高速下工作并具有较低的功耗,并且预计其未来的发展是作为频繁重写的非易失存储器。图1A和1B示出了FeRAM的存储单元的例子的电路图。图1A示出了两个晶体管T11、T12和两个电容器C11、C12用来存储1位信息的类型(下文中称作2T2C型)的电路图。在2T2C型FeR...
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