技术编号:6819903
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,特别是,涉及具有双极性晶体管和MOS晶体管的BiCMOS。对于混合配置双极性晶体管和MOS晶体管的BiCMOS,在现有技术中提出了各种方案。在此,参照附图来对其一般的制造方法的一例(第一现有方法)和另一例(第二现有方法)进行说明。第一现有方法图5是说明现有的BiCMOS半导体器件的一般的制造方法的一例(第一现有方法)的图,是由[工序A]~[工序D]组成的制造工序顺序纵截面图。在第一现有方法中,如图5的[工序A]所示的那样,在半导体衬底(p型半导...
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