技术编号：6820185
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，特别涉及带有利用LOCOS方法形成的场绝缘膜的场效应晶体管和带有例如槽DRAM单元的槽隔离结构的场效应晶体管，本发明还涉及上述场效应晶体管的制造方法。在形成半导体器件的元件隔离区情况下，已经广泛使用了适于微型结构的槽隔离方法。图1A-1E是按照制造步骤的顺序表示该槽隔离方法的截面图。如图1A所示，在硅衬底3上形成硅氧化膜6，在此硅氧化膜6上形成硅氮化膜5。另外，选择去掉位于将要形成槽隔离部分的位置的那部分硅氧化膜6的硅氮化膜5。然后，如图1B所...
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