专利名称：带有槽隔离结构的场效应晶体管及其制造方法
技术领域：
本发明涉及带有槽隔离结构的场效应晶体管及其制造方法，特别涉及带有利用LOCOS方法形成的场绝缘膜的场效应晶体管和带有例如槽DRAM单元的槽隔离结构的场效应晶体管，本发明还涉及上述场效应晶体管的制造方法。
在形成半导体器件的元件隔离区情况下，已经广泛使用了适于微型结构的槽隔离方法。图1A-1E是按照制造步骤的顺序表示该槽隔离方法的截面图。如图1A所示，在硅衬底3上形成硅氧化膜6，在此硅氧化膜6上形成硅氮化膜5。另外，选择去掉位于将要形成槽隔离部分的位置的那部分硅氧化膜6的硅氮化膜5。
然后，如图1B所示，用硅氮化膜5和硅氧化膜6作掩模，腐蚀硅衬底3，从而在硅衬底3中形成槽7。
此后，如图1C所示，去掉硅氮化膜5和硅氧化膜6，然后以被掩埋在槽7中的状态形成用于元件隔离的绝缘膜2。
接下来如图1D所示，在整个表面上形成氧化膜30，然后在整个表面上形成栅极膜1，如图1E所示。
另外，应指出对于微型结构来说，基于LOCOS(硅的局部氧化)方法的元件隔离方法没有槽隔方法更适合，但是其包括简单的制造步骤。
图2A-2D是按照制造步骤顺序表示基于LOCOS方法的元件隔离方法的截面图。如图2A所示，在硅衬底3上形成硅氧化膜6和硅氮化膜5，然后选择去掉位于将要形成元件隔离部分的位置的那部分硅氧化膜6和硅氮化膜5，以暴露衬底的表面。
接着，如图2B所示，用硅氮化膜5作掩模，氧化该衬底的表面，从而在衬底表面上形成硅氧化膜31，其中该膜用作元件隔离部分。
然后，如图2C所示，去掉硅氧化膜6和硅氮化膜5，在硅氧化膜31的部分之间形成元件区域32。
接下来，如图2D所示，形成栅绝缘膜33，然后形成栅极膜1。
在如上所述利用氧化形成绝缘膜的情况下，在没有，例如绝缘膜的图形存在于硅衬底上时，从硅衬底的表面均匀地输送氧，从而形成具有均匀厚度的氧化膜。但是，在绝缘膜的图形存在于硅衬底上的情况下，从硅衬底的表面输送氧会不均匀，这样，在所述图形的端部附近的部分氧化膜变薄。
图3A-3E是按照制造步骤的顺序表示制造槽DRAM的方法的截面图。如图3A所示，在硅衬底3表面上形成衬底平板电极(plateelectrode)16，另外，还形成场绝缘膜19、硅氧化膜14、硅氮化膜13和硅氧化膜12。此后，形成槽20，并且，在位于衬底平板电极16下面的所述槽20的内表面部分中利用叠置或堆叠形成电容电极17和电容绝缘膜18，在场绝缘膜19的侧表面上形成硅氧化膜15。
接下来如图3B所示，以掩埋在槽20中的状态形成硅膜21，并且，如图3C所示，去掉位于硅氧化膜12上的部分硅膜21。结果，由硅形成的存储电极22留在槽20中。
然后，如图3D所示，去掉硅氧化膜12，之后，为了把由含杂质的硅形成的存储电极22和相邻单元的传输栅(transfer gate)的栅极24隔离开，氧化存储电极24的上部分，从而形成氧化膜34。
此后，如图3E所示，去掉硅氮化膜13和硅氧化膜14，并形成栅绝缘膜25，形成栅极24和侧壁绝缘膜26，另外再形成源-漏区27。
接着，如图3F所示，在硅氧化膜15上形成电极28。
另一方面，在日本专利申请特许公开7-94503中，公开了一种方法，根据此方法，在氧化衬底表面之前，杂质注入到硅衬底中，用以控制氧化膜的厚度。具体地讲，根据日本专利申请特许公开7-94503中公开的方法，氮离子和氩离子注入到硅衬底中，然后热氧化硅衬底的表面，从而控制氧化速率。如图10中所示，如果注入到硅衬底中的杂质的量增加，那么得到的氧化膜的厚度也改变了。
采用槽隔离结构(见图1A-1E)的场效应晶体管的栅绝缘膜30不具有鸟嘴状物，并且在氧化过程中，氧不能均匀地从硅衬底表面输送，所以位于槽隔离部分的端部附近部分栅绝缘膜变薄。结果，与所希望的氧化膜厚度相比，在槽隔离部分端部附近的氧化膜的击穿电压劣化，从而氧化膜的可靠性降低了。
在利用基于热氧化方法(见图2A-2D)的LOCOS(硅的局部氧化)形成元件隔离部分的情况下，位于元件隔离部分的端部附近的那部分栅绝缘膜33的厚度由于鸟嘴状物(硅氧化膜31的端部)而比栅绝缘膜的中间部分厚，并且不会比设计所希望的绝缘膜厚度的厚度薄。结果，绝缘膜的击穿电压不会比具有希望厚度的绝缘膜的击穿电压坏。但是，在场效应晶体管进一步微型结构化的情况下，由于鸟嘴状物，所以很难形成窄元件区域32。
另外，在槽DRAM单元中(见图3A-3F)，在把包括含杂质的硅的存储电极22和相邻单元的传输栅的栅极24隔离情况下，氧化存储电极22的上部，从而形成硅氧化膜34(见图3D)。在此情况下，没有均匀输送氧，所以位于元件隔离部分端部附近的那部分氧化膜34变薄。结果，与希望的氧化膜厚度的可靠性相比，隔离击穿电压变坏。
另一方面，在该方法情况下，根据该方法在进行氧化之前，把杂质注入到硅衬底中，由此控制氧化膜厚度(专利申请特许公开7-94503)，如果注入硅衬底的杂质的量增加，那么得到的氧化膜的特性会变坏，因此在如上述专利申请特许公开7-94503中所述高密度条件下不能使用。
本发明的目是提供一种带有槽结构的场效应晶体管，其绝缘膜的绝缘击穿电压不会劣化。本发明目的还在于提供这种场效应晶体管的制造方法。
本发明另一目的是提供形成场绝缘膜的方法，该绝缘膜是通过抑制鸟嘴状物的LOCOS方法形成的。
本发明又一目的是提供一种形成用于把槽DRAM单元的存储电极和相邻单元的传输栅的栅极隔离开且没有使绝缘击穿电压变坏的绝缘膜的方法。
根据本发明，带有槽隔离结构的场效应晶体管，其特征在于位于槽隔离部分的端部附近的那部分栅绝缘膜厚度等于或大于栅绝缘膜中部的厚度。
根据本发明，制造带有槽隔离部分的场效应晶体管的栅绝缘膜的方法包括下列步骤形成用于槽腐蚀的第一掩模绝缘膜；进行槽腐蚀；注入氩、硼、磷或硅；以掩埋在槽中的状态形成用于槽隔离的第一绝缘膜；在去掉第一掩模绝缘膜后形成栅绝缘膜；形成栅极；形成接触和布线。
本发明还提供用于制造带有槽隔离部分的场效应晶体管的栅绝缘膜的方法。该方法包括下列步骤形成用于槽腐蚀的第一掩模绝缘膜；进行槽腐蚀；以掩埋在槽中的状态形成用于槽隔离的第一绝缘膜；去掉第一掩模绝缘膜；在槽隔离部分的侧壁上形成第二绝缘膜；注入氮；去掉槽隔离部分的侧壁上的第二绝缘膜；形成栅绝缘膜和栅极；形成接触和布线。
本发明还提供用于制造带有场绝缘膜的场效应晶体管的方法，该方法包括下列步骤形成用于形成场绝缘膜的第一掩模绝缘膜；注入氮；进行热氧化，以形成场绝缘膜；去掉第一掩模绝缘膜；形成栅绝缘膜和栅极；形成接触和布线。
本发明还提供制造槽DRAM单元的方法，该方法包括下列步骤形成用于槽腐蚀的第二掩模绝缘膜；形成衬底侧(substrate-side)的电容电极和电容绝缘膜；淀积含杂质的硅；深腐蚀硅；把氩、硼、磷、或硅倾斜地离子注入到衬底中；氧化该硅，用以形成第三绝缘膜；去掉第二掩模绝缘膜；形成栅极和传输栅的源-漏区；形成用于连接传输栅的漏区和硅的电极；形成接触和布线。
本发明还提供用于制造槽DRAM单元的方法，该方法包括下列步骤形成用于槽腐蚀的第二掩模绝缘膜；形成衬底侧电容电极和电容绝缘膜；淀积含杂质的硅；深腐蚀硅；在第二掩模的绝缘膜侧壁上形成第四绝缘膜；离子注入氮；去掉第二掩模的绝缘膜和第四绝缘膜；氧化该硅，用以形成第三绝缘膜；形成栅极和传输栅的源-漏区；形成用于把传输栅的漏区和硅相互连接的电极；形成接触和布线。
根据本发明，在形成用于把已经通过热氧化法形成的场效应晶体管的绝缘膜或槽DRAM单元的传输栅的栅极与存储电极隔离开的绝缘膜的情况下，把提高氧化速率的杂质注入到图形端部附近的区域中，或者把降低氧化速率的杂质注入到除图形端部附近以外的区域中，从而使位于图形端部附近的那部分绝缘膜的厚度等于或大于绝缘膜中部的厚度，由此形成具有极好的绝缘击穿电压的绝缘膜。另外，在利用热氧化形成场绝缘膜时，把降低氧化速率的杂质注入到形成鸟嘴状物的区域中，由此形成几乎不带鸟嘴状物的场绝缘膜。
图1A-1E是按照制造步骤的顺序表示制造带有槽隔离结构的场效应晶体管的常规方法的截面图。
图2A-2D是按照制造步骤的顺序表示制造带有利用LOCOS方法形成的场绝缘膜的场效应晶体管的常规方法的截面图。
图3A-3F是按照制造步骤的顺序表示形成槽单元结构的常规方法的截面图。
图4是表示根据本发明实施例带有槽隔离结构的场效应晶体管的栅绝缘膜的结构的截面图。
图5A-5E是按照制造步骤的顺序表示根据本发明第一实例制造带有槽隔离结构的场效应晶体管的方法的截面图。
图6A-6E是按照制造步骤的顺序表示根据本发明第二实施例制造带有槽隔离结构的场效应晶体管的方法的截面图。
图7A-7E是按照制造步骤的顺序表示根据本发明第三实施例制造带有利用LOCOS方法形成的场绝缘膜的场效应晶体管的方法的截面图。
图8A-8F是按照制造步骤的顺序表示根据本发明第四实施例形成槽单元结构的方法的截面图。
图9A-9F是按照制造步骤的顺序表示根据本发明第五实施例形成槽单元结构的方法的截面图。
图10是表示在氮注入到硅衬底之后已经进行氧化的情况下氧化膜厚度和氧化膜可靠性(QBD)之间的关系曲线。
图11是表示在Ar+注入到硅衬底之后已经进行氧化的情况下氧化膜度和氧化膜可靠性(QBD)之间的关系曲线。
图12A-12D是表示本发明相对于常规方法的优点的截面图。
下面参照
本发明的实施例。图4是表示根据本发明实施例带有槽隔离结构的场效应晶体管的结构的截面图。在硅衬底3上形成绝缘膜4，然后形成栅极1，在衬底表面形成槽隔离部分2。在本例中，在与槽隔离部分2相邻的栅绝缘膜4的端部附近的部分的厚度等于绝缘膜4中部的厚度，或者比绝缘膜4的中部的厚度大至多15％，从而使在栅极端部的栅绝缘膜的击穿电压没有变坏。另外，由于槽是圆形的，所以防止了电场在槽边缘的会聚。
图5A-5E是按照制造步骤的顺序表示根据本发明第一实施例制造带有槽隔离结构的场效应晶体管的方法的截面图。如图5A所示，在硅衬底3上形成由硅氮化膜5和硅氧化膜6组成的第一掩模绝缘膜，用于槽腐蚀。
接着，如图5B所示，进行干腐蚀，以形成槽7，然后在注入杂质的量为1×1013-1×1025cm-2，加速能量为10-80kev，注入角度为0-45度的条件下离子注入氩、硼、磷或硅，由此在构成槽7侧表面的部分硅衬底3中形成杂质区35。
然后，如图5C所示，以掩埋在槽7中的状态形成用于槽隔离的第一绝缘膜2，并去掉第一掩模绝缘膜5和6。
此后，如图5D所示，利用热氧化形成厚度为2-5nm的栅绝缘膜4。
最后，如图5E所示，形成栅极膜1、接触和布线，由此形成场效应晶体管。当进行氧化形成栅绝缘膜4时，抵达的氧的量小，所以位于槽隔离部分2附近的那部分栅绝缘膜4通常地变薄了，但是，在本例中，由于促进氧化的杂质，例如氩，只注入到位于槽隔离部发2附近的部分硅衬底中(图5B中的杂质区35)，从而位于槽隔离部分附近的那部分栅绝缘膜部分的厚度等于栅绝缘膜4中部的厚度，或比栅绝缘膜4中部的厚度大至多15％(见图11)。因此，防止了由于在栅极端部的栅绝缘膜变薄造成的绝缘击穿电压的劣化。栅绝缘膜包括利用热氧化形成的硅氧化膜，但是既使使用通过热氮化等方法形成的硅氮化膜或者既使硅氧化膜和硅氮化膜都使用，也能得到相同的效果。通过把上述杂质，例如氩的注入量设置为1×1013-1×1015cm-2，由于注入杂质而引起的绝缘膜的变坏是很小的，如图11所示。
下面说明根据本发明第二实施例制造带有槽隔离结构的场效应晶体管的方法。图6A-6E是按照制造步骤的顺序表示根据第二实施例制造方法的截面图。首先，如图6A所示，形成由硅氮化膜5和硅氧化膜6组成的第一掩模绝缘膜，用于槽腐蚀。
接着，如图6B所示，形成槽7。
然后，如图6C所示，以掩埋在槽7中的状态形成用于槽隔离的第一绝缘膜2，去掉第一掩模绝缘膜5和6。然后CVD方法或借助于深腐蚀形成由硅氮化膜形成的且宽度等于或小于0.1μm的第二绝缘膜(侧壁绝缘膜)8。
接着，在氮注入量为1×1013-5×1013cm-2、加速能量为10-80kev、和注入角度为0度的条件下离子注氮，由此在硅衬底3中形成杂质区36。
此后，如图6D所示，去掉第二绝缘膜8，然后热氧化形成厚度为2-50nm的栅绝缘膜4。
最后，如图6E所示，形成栅极膜1、接触和布线，由此形成场效应晶体管。
当进行氧化形成栅绝缘膜4时，位于槽隔离部分2附近的那部分栅绝缘膜4的厚度等于栅绝缘膜4中部的厚度，或比栅绝缘膜4中部的厚度大至多10％(见图10)，这是由于用于抑制氧化的氮只注入到栅绝缘膜4中部，以形成杂质区36(见图6C)。
结果，可以防止由于位于栅极端部的那部分绝缘膜的厚度变薄而引起的绝缘膜击穿电压的变坏。而且，通过把上述注入的氮的量设置为1×1013-5×1013cm-2范围内，可以把由于杂质的注入引起的绝缘膜的变坏抑制到无关紧要的程度。同时使用上述第一和第二制造方法，可以使在栅绝缘膜4的端部的氧化速率和在栅绝缘膜4的中部的氧化速率之间存在差别。
下面参照图7A-7E的截面图描述根据本发明的实施例制造具有通过LOCOS方法形成的场绝缘膜的场效应晶体管的方法。首先，如图7A所示，利用LOCOS方法形成由硅氮化膜5和硅氧化膜6组成的第一掩模绝缘膜，用于形成场绝缘膜。
然后，如图7B所示，在注入的氮的量为1×1013-1×1014cm-2、加速能量为10-80kev、和注入角度为5-45度的条件下离子注入氮，由此形成杂质区37。
接着，如图7C所示，进行热氧化，以形成场绝缘膜9。
另外，如图7D所示，去掉第一掩模绝缘膜5和6，之后，如图7E所示，通过热氧化形成厚度为2-50nm的栅绝缘膜11。最后，形成电极绝缘膜1、接触和布线，由此形成场效应晶体管。
当进行氧化形成场绝缘膜9时，用第一掩模绝缘膜作为掩模，倾斜注入用于抑制氧化速率的氮，因此，在元件区域10的窄部分中，氮只注入到位于第一掩模绝缘膜的端部附近的那部分硅衬底中，由此形成杂质区37(见图7B)。结果，在第一掩模绝缘膜下边没有形成鸟嘴状物，从而可以容易地形成窄元件区域10。在各个元件区域10的中部，没有注入氮，因此形成厚的氧化膜9。在各个元件区域10的宽部分中，由于从硅衬底表面输送足量的氮，所以生长厚的氧化膜9。但是，注入的氮的量设置成最大值为1×1014cm-2；如果注入过多量的氮，则不能生长用于元件隔离的足够厚的氧化。另外，即使形成含氮的鸟嘴状物(氧化膜9)，它也是很薄的氧化膜，很容易被去掉，所以不会影响其可靠性。
接下来，参照图8A-8F中按照制造步骤的顺序所表示的代表性的截面图说明根据本发明实施例制造槽DRAM单元的方法。如图8A所示，形成第二掩模绝缘膜，用于形成槽，其中该绝缘膜是由厚度为100-800nm的硅氧化膜12、厚度为10-100nm的硅氧化膜13和厚度为10-20nm的硅氧化膜14组成的，然后，形成作为衬底面电容电极17的杂质层和作为电容绝缘膜18的硅氧化/氮化膜。
然后，如图8B中所示，在整个衬底表面上淀积含0.1-3×1020cm-3磷的硅膜21。
此后，如图8C中所示，深腐蚀硅膜21，从而使硅膜22的表面与硅氧化膜13齐平，之后，在注入的杂质的最为1×1013-1×1015cm-2、加速能量为10-80kev、和注入角度为5-45度的条件下离子注入氩、硼、磷或硅，由此形成杂质区38。
接着，如图8D中所示，去掉第二掩模绝缘膜之一的硅氧化膜12，然后通过硅层22表面的热氧化，形成包括厚度为10-100nm的硅氧化膜的第三绝缘膜23。
然后，如图8E中所示，去掉第二掩模的绝缘膜的硅氮化膜23和硅氧化膜14，此后形成栅绝缘膜25、栅极24、侧壁绝缘膜26和传输栅的源-漏区27。
此后，如图8F中所示，形成电容电极28，以便连接到传输栅的源-漏区27。另外，形成接触和布线，从而形成DRAM单元。
利用第二掩模绝缘膜12、13和14作掩模，倾斜注入用于促进氧化的杂质，例如氩，以便只注入到场绝缘膜19的附近区域中，由此形成杂质区38(见图8C)。当进行氧化用于形成第三绝缘膜23时，位于场绝缘膜19附近的那部分硅绝缘膜23的厚度等于硅绝缘膜23中部的厚度，或比硅绝缘膜23中部的厚度最大大15％。结果，由于在栅极端部绝缘膜变薄而引起的绝缘膜的击穿电压的变坏可以被防止。
下面描述根据本发明制造槽DRAM单元的方法。图9A-9F是按照制造步骤的顺序表示该制造方法的代表性的截面。图9A所示，形成用于形成槽的第二掩模绝缘膜，该膜包括厚度为100-800nm的硅氧化膜12、厚度为10-100nm的硅氮化膜13、和厚度为10-20nm的硅氧化膜14，此后形成作为衬底侧电容电极17的杂质层和含硅氧化/氮化膜的电容绝缘膜18。
然后如图9B所示，在整个衬底表面上淀积含0.1-3×1020cm-3的磷的磷膜21。
接着如图9C所示，深腐蚀硅膜21，使硅膜21的表面与硅氧化膜13齐平，然后在第二掩模绝缘膜12的侧壁上形成由宽度为0.1μm或小于0.1μm的硅氧化膜形成的第四绝缘膜。
接着，在注入的氮量为1×1013-5×1013cm-2、加速能量为10-80kev、和注入角度为0度的条件下离子注入氮，从而用第四绝缘膜29作掩模，在电容电极12的侧壁上形成杂质区39。
然后如图9D所示，去掉第二掩模绝缘膜之一的硅氧化膜12和第四绝缘膜之一的硅氧化膜29，之后利用热氧化，形成包括厚度为10-100nm的硅氧化膜的第三绝缘膜。
接下来，如图9E所示，去掉第二掩模的绝缘膜的硅氮化膜13和硅氧化膜14，然后形成栅绝缘膜25、栅极24、侧壁绝缘膜26和传输栅的源-漏区27。
然后如图9F所示，形成电容电极28，以便连接到传输栅的源-漏区27。另外，形成接触和布线，由此形成DRAM单元。
当进行氧化用于形成第三绝缘膜23时，只在硅膜22的中部注入用于抑制氧化的杂质，例如氮，从而形成杂质区39(见图9C)。因此，硅氧化膜23的端部的厚度等于硅氧化膜23中部的厚度，或比硅氧化膜23中部的厚度最大大15％。结果，由于在栅极端部绝缘膜变薄引起的绝缘膜击穿电压的变坏被防止了。
根据本发明，在利用热氧化形成绝缘膜的情况下，用于提高氧化速率的杂质注入到图形端部附近的区域中。或者，用于降低氧化速率的杂质注入到除图形端部以外的区域中。因此，位于图形端部附近的那部分绝缘膜的厚度等于或大于绝缘膜中部的厚度。这样，可以形成在图形端部附近绝缘击穿电压不变坏的绝缘膜。另外，在具有槽隔离部分的场效应晶体管中，槽边缘是圆形的，所以可以防止电场在槽边缘上会聚。而且，在通过热氧化形成场绝缘膜情况下，用于降低氧化速率的杂质注入到形成鸟嘴状物的区域中，从而形成几乎不带鸟嘴状物的场绝缘膜。
图12A-12D是表示本发明相对于常规方法的优点的截面图。图12A对应于表示常规晶体管的图1D，重点突出了常规晶体管的缺陷。热氧化膜30与绝缘膜2接触的用于槽隔离的部分的厚度小于该热氧化膜30的中部的厚度。在这个部位，绝缘膜的击穿电压劣化。
图12B对应于表示常规晶体管的图3D，重点表示氧化膜34。此时，氧化膜34的边缘厚度也小于其中部厚度。因此，该常规晶体管中的击穿电压被降低。
图12C对应于表示本发明实施例的图8D。图12C重点表示的是第三绝缘膜23的厚度。该绝缘膜23的边缘的厚度大于或等于其中部的厚度。因此，防止了其击穿电压的降低。
图12D对应于表示本发明实施例的图9D。绝缘膜23的边缘的厚度也大于或等于其中部的厚度。因此，防止了击穿电压变低。
权利要求
1．一种带有槽隔离结构的场效应晶体管，其特征在于位于槽隔离部分的端部附近的那部分栅绝缘膜的厚度等于或大于栅绝缘膜中部的厚度。
2．一种制造带有槽隔离结构的场效应晶体管的方法，包括下列步骤形成用于槽腐蚀的第一掩模绝缘膜；进行槽腐蚀；注入氩、硼、磷或硅；以掩埋在槽中的状态形成用于槽隔离的第一绝缘膜；在去掉所述第一掩模绝缘膜之后形成栅绝缘膜；形成栅极；和形成接触和布线。
3．一种制造带有槽隔离结构的场效应晶体管的方法，包括下列步骤形成用于槽腐蚀的第一掩模绝缘膜；进行槽腐蚀；以掩埋在槽中的状态形成用于槽隔离的第一绝缘膜；去掉所述第一掩模绝缘膜；在所述槽隔离部分的侧壁上形成第二绝缘膜；注入氮；去掉所述槽隔离部分的侧壁上的第二绝缘膜；形成栅绝缘膜；和形成接触和布线。
4．一种制造带有槽绝缘膜的场效应晶体管的方法，包括下列步骤形成用于形成场绝缘膜的第一掩模绝缘膜；注入氮；进行热氧化，以形成场绝缘膜；去掉所述第一掩模绝缘膜；形成栅绝缘膜和栅极；形成接触和布线。
5．一种制造槽DRAM单元的方法，包括下列步骤形成用于槽腐蚀的第二掩模绝缘膜；形成衬底侧电容电极和电容绝缘膜；淀积形成含杂质的硅膜；深腐蚀所述硅膜；把氩、硼、磷或硅倾斜地离子注入到衬底中；氧化所述硅膜，形成第三绝缘膜；去掉所述第二掩模绝缘膜；形成栅极和传输栅的源-漏区；形成用于把所述传输栅的漏区连接到所述硅膜的电极；和形成接触和布线。
6．一种制造槽DRAM单元的方法，包括下列步骤形成用于槽腐蚀的第二掩模绝缘膜；形成衬底侧电容电极和电容绝缘膜；淀积形成含杂质的硅膜；腐蚀所述硅膜；在所述第二掩模的绝缘膜侧壁上形成第四绝缘膜；离子注入氮；去掉所述第二掩模绝缘膜和所述第四绝缘膜；氧化所述硅膜，形成第三绝缘膜；形成栅极和传输栅的源-漏区；形成用于把所述传输栅的漏区和所述硅膜相互连接起来的电极；和形成接触和布线。
全文摘要
在位于槽隔离部分附近的部分硅衬底中注入用于提高氧化速率的离子,例如氩。或者,在除槽隔离部分附近的部分以外的硅衬底部分中注入用于降低氧化速率的氮离子。然后,进行热氧化,从而形成厚度等于或大于其中部的厚度的栅绝缘膜。因此,防止了由于在栅极端部的栅绝缘膜变薄造成的绝缘击穿电压的劣化。
文档编号H01L21/265GK1213860SQ9812022
公开日1999年4月14日 申请日期1998年9月30日 优先权日1997年10月1日
发明者东乡光洋 申请人:日本电气株式会社