技术编号:6820967
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件,具体涉及一种浮栅闪存场效应晶体管。背景技术 自从提出浮栅闪存场效应晶体管概念以后,经过了几十年的发展,浮栅闪存场效应晶体管已在工业界普遍应用,但是随着器件尺寸的不断缩小,浮栅闪存场效应晶体管的缩小能力的不足逐渐显露出来。普通的浮栅闪存场效应晶体管器件包括参考图1,源区5、漏区5、体3以及顶栅,顶栅由浮栅2和多晶硅控制栅1组成,浮栅2与多晶硅控制栅1之间设有栅氧4,浮栅2与体3之间也设有栅氧4。由于浮栅结构的存在,导致其等比例缩小受...
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