技术编号：6821074
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种可降低漏电流的CMOS图像感测器。通常的CMOS感测元件，包括有感测器及读出电路，感测器结构如附图说明图1所示，其是现有的感测器剖面示意图。在基座11表面形成有场氧化层12，以作为绝缘层，使相邻的元件之间不会短路，然后再由杂质扩散或离子植入的方式，植入杂质(例如磷或硼等离子)以形成P－N接面感测区13。场氧化层12的成长是在含有水气的环境中，以湿式氧化法进行，因水分子与氧对场氧化层12的边缘进行水平方向的扩散，故在场氧化层12的边缘将被氧...
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