技术编号:6822447
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明通常涉及数据逻辑电路,更具体而言,涉及用于提高稳定性的高性能静态随机存取存储器(SRAM)的设计。背景技术 对于L1高速缓冲存储器所考虑的多个因素包括用于实现L1高速缓存的此类存储器的尺寸和性能。通常,当L1高速缓存嵌入在CPU(中央处理器)时,其性能(如存取速度)必须与CPU周期时间相容。静态随机存取存储器(SRAM)与动态随机存取存储器(DRAM)相反,它主要用于L1高速缓冲存储器。诚然,就存取速度而言,SRAM能够提供小于1纳秒的存取时间,而现...
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