技术编号:6823115
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,特别是涉及对具有DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器)的半导体集成电路装置适用且有效的技术。背景技术DRAM的存储单元配置在矩阵状地配置在半导体衬底的主面上的多条字线和多条位线的交点上,且由一个信息存储用电容元件和与之串联连接的一个存储单元选择用MISFET构成。该存储单元选择用MISFET形成于用器件隔离区域把周围围起来的半导体衬底的有源区域上,主要由栅极氧化膜、与栅极构成为一体的栅极电极和构...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。