技术编号:6823908
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于制造半导体器件的方法,更具体地说,其涉及具有自对准硅化物处理的。在半导体器件中,无论何时均希望能够实现更高的集成度以及进一步微型化。另一方面,当MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的栅等于或小于大约0.35μm时,将会出现诸如短沟道效应等问题。如果为了抑制此种短沟道效应而将扩散层作得很薄,又会使扩散层的阻值升高。因此,为了克服这些问题,目前所采用的常用方法是应用自对准硅化物处理,其中在源层,漏层和构成栅电极的多晶硅的表面上生长一层...
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