技术编号:6823909
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件,特别涉及铁电电容器及其制造方法。现代数据处理系统要求储存在它的存储器中的大部分信息是可随机存取的以保证快速存取这些信息。由于在半导体技术中进行的存储器的高速度操作,所以已经发展了随机存取存储器(“RAM”),其中少量的二进制信息储存在单个存储单元中,其可以包括仅仅一个晶体管和相关的电容器,大量的储存单元组合在一起成为阵列。利用典型的集成电路电容器电介质的通常适用的RAMs包括动态RAMs(“DRAMs”)和静态RAMs(“SRAMs”...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。