技术编号:6824209
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及利用3-5族氮化物系列化合物半导体的发光二极管和半导体激光器等发光器件用的,或高输出场效应晶体管用的GaN单晶衬底及其制造方法。特别是涉及n型GaN衬底的制造方法。由于问题在于半导体的传导型,所以这里将能形成传导型的杂质称为掺杂剂。除此以外的杂质简单地称为杂质,以示区别。在3-5化合物半导体中容易获得衬底晶体的物质是GaAs、InP、GaP等。采用布里兹曼法或丘克拉斯基法能使它们生长成大型的单晶。将单晶晶锭切断后制成衬底。可是至今还没有将GaN制...
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