技术编号:6824334
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体存储器,特别涉及备有用于执行闪速存储器的存取控制的控制电路的半导体存储器。近年来,对非易失性存储器的需求越来越大,该存储器在电源关掉的情况下仍能保持存储内容。特别是,能够擦除数据块中的单元所存储的内容的闪速存储器越来越引起人们的注意。与普通的动态随机存取存储器(DRAM)或静态随机存取存储器(SRAM)不同,闪速存储器要求不同于电源电压Vdd和地电压GND的电压用于写或擦除数据,也即,该电压不落在电源电压Vdd与地电压GND间的范围内。在日...
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