技术编号:6824574
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路器件及其制造方法,特别涉及一种有效地用于具有静态存储器(SRAM;静态随机存取存储器)和逻辑电路的半导体集成电路器件的技术。SRAM是一种利用触发电路作存储元件的存储器,其双稳态分别存储与“1”和“0”有关的信息,其特征在于其容易应用,因为与DRAM(动态随机存取存储器)不同,其不需要刷新操作。触发电路由两个反相电路构成。一个反相电路的输出电连接到另一反相电路的输入,另一反相电路的输出电连接到第一个反相电路的输入。每个反相电路包括有助于信...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。