技术编号：6825330
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，特别是涉及使器件特性和可靠性得到提高的氢处理方法。在现有技术中，在存储器和逻辑等半导体集成电路器件的制造中，在衬底上形成各种元件构造并层叠层间绝缘膜，然后，在氢气氛中，在400℃条件下进行氢退火。为了提高金属配线相互的电气连接特性以及硅衬底与金属配线的电气连接特性、提高器件的特性和可靠性、提高制造时的成品率而进行该氢退火，在半导体集成电路器件的制造中，该氢退火是非常重要的处理。例如，在DRAM中，在元件分离氧化膜和栅极氧化膜等的氧化硅膜与硅衬底...
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