专利名称：半导体集成电路器件的制造方法
技术领域：
本发明涉及半导体集成电路器件的制造方法，特别是涉及使器件特性和可靠性得到提高的氢处理方法。
在现有技术中，在存储器和逻辑等半导体集成电路器件的制造中，在衬底上形成各种元件构造并层叠层间绝缘膜，然后，在氢气氛中，在400℃条件下进行氢退火。
为了提高金属配线相互的电气连接特性以及硅衬底与金属配线的电气连接特性、提高器件的特性和可靠性、提高制造时的成品率而进行该氢退火，在半导体集成电路器件的制造中，该氢退火是非常重要的处理。例如，在DRAM中，在元件分离氧化膜和栅极氧化膜等的氧化硅膜与硅衬底之间存在界面能级，通过该界面能级使漏电流从扩散层流向衬底，而使DRAM的保持特性恶化。并且，当这样的界面能级存在时，由于阈值电压和电流-电压特性等的晶体管特性出现偏差，而从设计值上变动，就不能以高成品率来制造可靠性高的半导体集成电路器件。这样，为了能够使阈值电压和电流-电压特性等的晶体管特性稳定，而在除DRAM之外的逻辑等的半导体集成电路中使用氢退火。一般认为，引起这样的种种问题的界面能级起因于氧化硅膜与硅衬底的界面附近的硅的悬空键，在氢退火中，向界面提供氢，通过氢使悬空键终结，而能够降低界面能级。
但是，近年来，随着半导体集成电路器件的细微化以及高密度化、多层化的发展，并且随着新的多层构造以及电极材料·配线材料、绝缘材料的采用，通过氢退火而使氢充分地浸入·扩散到所希望的界面变得困难起来。因此，必须延长退火时间或者提高退火温度。但是，如果延长退火时间就会带来降低生产能力的问题。而且，对于退火温度，由于必须在铝配线等的金属配线已经形成之后的工序中进行，则当温度过高时，由于铝等金属配线材料引起尖峰和小丘等，而存在可靠性降低的问题。而且，如下述的那样，即使在高温中也不一定能够得到优良的氢退火效果。
氢的透过性随半导体集成电路器件的构成材料的不同而不同，对于层间绝缘膜和元件分离绝缘膜等的氧化硅膜，氢能够透过，但是，近年来，对于作为腐蚀阻挡和电容器绝缘膜、防污染膜等更广泛使用的氮化硅膜，氢几乎不能透过。特别是，通过减压CVD所形成的氮化硅膜是非常致密地形成，因此，成为氢的扩散障碍。而且，铝等金属配线材料和Ti、TiN等阻挡金属材料、在各种配线和电极中使用的多晶硅会吸收氢，使氢消耗在其中，在超过饱和吸收量的时刻，氢透过的扩散速度显著降低。
另一方面，当考虑到来自衬底里面的氢的侵入时，近年来，随着晶片的大口径化，其厚度也增大了。例如，在6英寸衬底上，使用超过675μm的厚度；在8英寸衬底上，使用超过725μm的厚度；在12英寸衬底上，使用超过770μm的厚度。这样的厚度增大，使氢的扩散距离增大了，来自衬底里面的氢的扩散变得困难起来。而且，在衬底表面的元件形成工序中，在形成多晶硅膜和氮化硅膜的过程中，同时在衬底里面形成或者附着这些氢的扩散阻挡膜，因此，来自衬底里面的氢的侵入是困难的。而且，由于例如EG(Extrinsic Gettering)作用，而存在在衬底里面形成多晶硅膜的情况。这样，来自衬底里面的氢的侵入是困难的，由于侵入后扩散距离变长，就需要进行长时间或者高温下的氢退火。
下面一边说明具体的器件构造一边说明在近年来的器件构造中氢退火变困难的情况。
在
图1中表示了层叠型DRAM的一个例子的平面图和剖面图。在该构造中，在具有预定的结晶方向的P型硅衬底1上形成元件分离2，在上部淀积了氮化硅膜6的由N型多晶硅膜和硅化钨膜(未图示)组成的栅极电极3形成在栅极绝缘膜4(氧化硅膜)上。在元件分离和栅电极上自对准地形成N型扩散层5，在栅极电极的侧壁上形成氮化硅膜6。在栅极电极间通过各向异性选择外延生成法而形成由n型多晶硅组成的衬垫9。在它们的上层层叠了由氧化硅膜组成的层间绝缘膜7，在该层间绝缘膜中形成接触孔并埋入N型多晶硅以便于到达n型多晶硅衬垫9的上表面，形成与电容下电极10导通的接触8。在由N型多晶硅组成的电容下电极上形成由ONO(氧化膜-氮化膜-氧化膜)组成的电容绝缘膜11，在其上形成由N型多晶硅组成的电容上电极12。而且，虽然未图示，在电容上电极上通过层间绝缘膜配置位线。而且，在每个晶体管中配置电容下电极10，而电容上电极12在每个单位单元阵列中分开形成。
在该结构中，通过氢退火而侵入的氢首先被由多晶硅组成的位线所吸收，然后，被形成以单元排列单位所形成的电容上电极12的多晶硅层所吸收·消耗。然后，通过层间绝缘膜7到达衬底1与栅极绝缘膜4和元件分离绝缘膜2的交界面上。并且，虽然未图示，在具有在电容下电极10和晶体管之间配置位线的结构(电容器上位线构造COB构造)的情况下，通过形成该位线的多晶硅层而吸收·消耗掉氢。
这样，在近年来的细微化·高密度化的同时，在单位面积上占据的位线与字线的比例增大了，而且，单元排列间隔变窄了，因此，氢退火变得更加困难了。
特别是，在具有电容器下位线构造(CUB构造)的16M版中，为了位线与衬底扩散层的接触而形成开口部，该开口部是氢的重要扩散路径之一，但是，在具有COB构造的细微化的16M缩微版中，由于位线处于电容下电极之下，则不需要该开口部，氢的扩散路径只有电容上电极之间的间隙。当成为64M版、64M缩微版时，由于细微化·高密度化进一步提高，则位线·字线的间隔和电容下电极的间隔变得更加窄。
在图2中表示了具有自对准接触构造(SAC构造)的层叠型DRAM的模式断面图。该图表示具有COB构成的构成，并且，表示了一个电容上电极(平板电极)单位的构成。并且，在图3中表示了DRAM的芯片的简要平面图。
在该构造中，在向层间绝缘膜7的接触孔的形成时，为了保护栅极电极3和元件分离2而形成氮化硅膜6，在孔埋入前除去仅接触部的氮化硅膜。而且，在衬底里面，在向表面形成氮化膜的同时，形成或者附着氮化膜。这样，由于由不透过氢的氮化硅膜几乎覆盖了全部表面，则氢退火变得非常困难。而且，电容下电极10被分开形成在每个晶体管中，而电容上电极12如图3所示的那样被分开形成在每个单位单元排列中，因此，氢的侵入路径仅是电容上电极12间的间隙。而且，具有在电容下电极10与晶体管之间配置位线13的COB构造，而由形成该位线13的多晶硅层吸收·消耗了氢。
在图4中表示了在现有的方法中对图1所示的上述构成的硅衬底进行氢退火时的氢退火时间所对应的漏电流的变化。氢退火在400℃的恒定温度、氢/氮(1∶1)的常压气氛中进行。并且，漏电流是在并联连接全部的单位单元块的晶体管的状态下测定的。
从图4所示的结果，具有图1所示的构成的层叠型DRAM从具有CUB构造的16M版(a)高密度化为具有COB构造的16M缩微版(b)、64M版(c)、64缩微版(d)，因此，漏电流的降低时间变慢，必须延长氢退火处理的时间。
而且，在图5中表示了对于除具有图2所示的SAC构造的层叠型DRAM和没有SAC构造之外的具有相同构成的DRAM，氢退火后的与反向电压相对应的反向电流的测定结果。氢退火在400℃的恒定温度、氢/氮(1∶1)的常压气氛中进行。并且，对于φ0.5μm的触点排列，在衬底与触点之间测定对np结施加反向偏置的电压时所流过的电流。
从该结果可以看出，在具有SAC构成的情况下，虽然退火时间比240分钟长，但是相对于没有退火时间为40分钟的SAC构造的情况，反向漏电流显著变大，即，氢的侵入·扩散变得非常困难。
因此，本发明的目的是提供一种方法，其与衬底表面的元件构造无关，而通过氢退火来提高器件特性和可靠性，以高成品率制造半导体集成电路器件。
本发明的半导体集成电路器件的制造方法，具有氢退火工序，形成氢并在氢气氛下对层叠了层间绝缘膜的半导体衬底进行退火，其特征在于，在氢退火时，在超过脱离开始温度的温度下进行氢退火，该脱离开始温度是到达半导体衬底与绝缘性区域的界面且使界面能级降低的氢在惰性气氛下从该界面开始脱离时的温度，然后，在氢气氛中原样地到达该脱离开始温度以下的温度之后，使上述要形成元件的衬底出炉。
图1是表示堆栈型DRAM一例的示意性结构图。
图2是具有自对准结构的栈型DRAM一例的模式剖面图。
图3是DRAM的芯片示意性平面图。
图4是表示采用以往方法的情况下相对于退火时间的漏电流变化的曲线图。
图5是表示用以往方法进行氢退火后相对于反向电压测定反向电流的测定结果的图。
图6是现有技术氢退火的工序流程图。
图7是表示现有技术氢退火中结电流的氢退火时间与温度的依存关系的曲线图。
图8是表示本发明方法中氢退火温度顺序的图。
图9是本发明方法中氢退火温度顺序的图。
图10是表示实施例和比较例的在氢退火之后，相对于氢退火时间的反向电流的测定结果的图。
图11是表示实施例和比较例的在氢退火之后，相对于氢退火时间的反向电流的测定结果的图。
下面对本发明的优选实施例进行说明。
首先，为了便于理解本发明，在图6中表示了现有技术的氢退火的工序流程图。如图6所示的那样，现有的氢退火首先把要形成元件的衬底放入处于400℃的恒定温度的氮气氛中的加热炉内(a)。接着，仍在该恒定的温度下形成氢气氛(a～b)，进行预定时间的氢退火(b～c)。然后，仍形成温度恒定的氮气氛(c～d)，使要形成元件的衬底出炉(d)。入炉前和出炉后的炉内温度并不仅限于炉内是大气压和氮气氛等惰性气氛，在连续地处理多个要形成元件的衬底的情况下，也可以是在入炉前和出炉后在与氢退火处理温度相同的温度下保持恒定。
本发明人使用这种以往的氢退火方法，在不同温度下进行氢退火，如图7所示，获得表示结漏电流的氢退火时间与温度的依存关系的结果。所用的要形成元件的衬底没有如图2所示结构中的氮化硅膜，而是在硅衬底上有氧化硅绝缘膜的DRAM。此外，纵轴与横轴分别为相对值。
如果氢退火温度从400℃提高到420℃，那么由于提高氢的扩散速度的结漏电流过快地变小，因而可知界面能级会在短时间内降低，退火时间会被缩短。如果进一步将氢退火温度提高到450℃，那么由于结漏电流更快地变小，因而最终的结漏电流在400℃和420℃下相对于氢退火的情况下变高。由此，一旦提高退火温度，则以往容易引起上述铝布线等的溅射等常见的问题，不能充分地降低界面能级。
基于该结果，本发明人深入研究了即使将退火温度从420℃提高到450℃结漏电流也不可能足够低的原因，认为该原因在于高温下从炉中取出要形成元件的衬底的工序。
在从炉中取出要形成元件的衬底时，用大气和氮气等的惰性气体气氛置换炉内的氢气气氛之后，从炉中取出要形成元件的衬底，但是如果此时的温度较高，那么考虑曾经到达界面处并使半导体衬底与绝缘性区域之间的界面能级降低的氢从该界面脱离的现象。在上述试验例中，由于超过420℃时结漏电流就变得十分低，因而该420℃被称为氢脱离开始温度。在比该脱离开始温度高的450℃进行氢退火时，由于在将氢气气氛置换为惰性气氛期间仍维持在450℃的高温，因而曾经到达界面且使界面能级降低的氢脱离，其结果，认为结漏电流不能足够低。
其中，本发明人深入研究抑制该氢脱离的结果，在低于脱离开始温度(以下称为‘脱离开始温度’)的温度之后从炉内取出要形成元件的衬底，以完成本发明。其中脱离开始温度是到达半导体衬底与绝缘性区域之间的界面且使界面能级降低的氢在惰性气氛下脱离的温度。
即，本发明特征在于，在氢退火工序中，在超过脱离开始温度的温度下进行氢退火，然后，仍在氢气气氛下低于脱离开始温度以下的温度之后，从炉子中取出要形成元件的衬底。
由于通过在超过脱离开始温度的比较的高温下进行氢退火，氢的扩散速度较快，因而过快地降低界面能级缩短氢退火时间。此外，在从炉子中取出要形成元件的衬底时，通过在氢气气氛的仍低于脱离开始温度的温度之后，由于没有脱离界面的氢，因而可充分降低界面能级。其结果，与衬底表面的元件结构无关，可提高器件特性和可靠性，此外能够以高成品率制造半导体集成电路装置。
图8表示上述试验例中优选的温度顺序。图中的实线(a)和实线(b)中的任一条表示氢气气氛状态下的温度变化。
在放入超过脱离开始温度的温度的加热炉中，在一定温度下保持预定时间进行氢退火，随后经过预定的时间使温度逐渐降低同时进行氢退火，接着在低于脱离开始温度的一定温度下保持预定的时间。然后，在低于脱离开始温度的温度下从炉中取出。
更具体地说，如果说明在最大退火温度为450℃的情况(实线(a))，那么在放入超过脱离开始温度(420℃)的温度(450℃)的惰性气氛(大气与氮气气氛等)的加热炉中之后，炉内为氢气气氛(a1)、在一定温度下保持预定时间(a1～a2)、接着在预定的时间内使温度逐渐降低(a2～a3)进行氢退火、然后在低于脱离开始温度的一定温度下保持预定的时间(a3～a4)、随后在低于脱离开始温度的一定温度下并且在惰性气氛下取出要形成元件的衬底。由于退火温度从450℃升高到480℃时的氢扩散加快，因而可缩短退火时间，成为实线(b)所示的顺序。
氢退火的温度顺序不限于上述情况，例如，也可以为图9所示的实线(c)、(d)、(e)。
实线(c)表示，放入温度高于脱离开始温度的加热炉中，在预定时间内使温度逐渐降低，同时进行氢退火，在降低到低于脱离开始温度的温度之后出炉。
实线(d)表示，放入温度高于脱离开始温度的加热炉中，在预定时间内使温度逐渐降低，同时进行氢退火，接着在低于达到脱离开始温度的温度下保持预定时间，然后在低于脱离开始温度的条件下出炉。
实线(e)表示，放入温度高于脱离开始温度的加热炉中，在一定温度下保持预定时间进行氢退火，接着在预定时间内使温度逐渐降低，同时进行氢退火，随后在降低到低于脱离开始温度的条件之后出炉。
要形成元件的衬底的入炉也可以从大气向氢气氛中进行要形成元件的衬底的移动，要形成元件的衬底的出炉也可以从氢气氛向大气进行要形成元件的衬底的移动，但从安全的观点来看，通过惰性气氛进行较好。例如，入炉时，将要形成元件的衬底放入处于大气和氮气气氛等的惰性气氛的炉内，随后变成氢气气氛。出炉时，在炉内从氢气气氛变为惰性气氛之后取出要形成元件的衬底。
即使在这些温度顺序中，如图8所示的温度顺序在实际制造中也是最好的。由于在高于脱离开始温度的一定温度下保持预定的时间(a1～a2)，因而退火温度的控制变得容易，能够制造有均一元件特性的元件，提高成品率。此外，由于在低于脱离开始温度的一定温度下保持预定的时间(a3～a4)，因而可使出炉时的衬底温度一定，结果，能够减小检测温度与衬底温度的偏差和在衬底面内的温度离散度，并且减小了因炉子不同所造成的退火效果的不同。
在本发明中，在半导体衬底为硅衬底、与该衬底形成界面的绝缘性区域为氧化硅区域的情况下，氢的脱离开始温度为420℃，最好在超过420℃的温度下进行氢退火，然后仍在氢气气氛下且低于420℃的温度之后从炉中取出要形成元件的衬底。
氢退火温度的上限并不特别限于对形成于衬底上的元件不会造成损伤的范围，例如，在使用较低熔点的布线材料的情况下，最好低于该布线材料的熔点。作为具体实例，在采用铝布线材料的情况下，最好低于其熔点660℃。即，氢退火温度的范围从超过420℃的温度到660℃以下较好，在480℃～500℃最好。再有，其中所谓较好的氢退火温度范围指在氢气气氛下至少存在于该温度范围内的温度状态，也不必一定象图9的温度顺序(c)等那样进行氢退火。
氢退火时间，即保持高于脱离开始温度的温度的时间，最好进行至使界面能级的下降达到饱合，通过氢退火温度、温度顺序、元件构成等来进行适当调整。
本发明适用于具有半导体衬底与绝缘性区域的界面的要形成元件的衬底，上述说明主要针对半导体衬底为硅衬底、与该衬底形成界面的绝缘性区域为氧化硅区域的情况进行，但本发明也适用于半导体衬底为GaAs、InP、Ge、C、SiC、ZnSe等，与该衬底形成界面的绝缘性区域为SiON、SiN、Al2O3等的绝缘体，或Ta2O5、BST、PZT等的电介质之类的情况。
本发明的制造方法，优选适用于DRAM，该DRAM具有形成于衬底上的元件、由多晶硅或吸附储藏氢的金属材料构成的电容上电极和电容下电极、以及包含在该电极之间的氮化硅膜的电容绝缘膜。例如如图1所示的结构。此外，本发明适用于具有使用非透氢性材料的自对准接触结构的要形成元件的衬底。作为非透氢性材料，可例举出SiN等的氮化膜、SiON等的氮化氧化膜、Mo、W、Ta、Ti等的高熔点金属膜，MoSi2、WSi2、TaSi2、TiSi2等的硅化物膜等。特别是，如图2所示，适用于具有使用氮化硅膜的自对准接触结构的DRAM。此外，即使对于采用电容器上位线结构和在阻挡金属上Ti或TiN的DRAM来说也是适用的。
以上，用DRAM说明了本发明，但本发明也适用于混载DRAM的逻辑电路和在使用自对准接触的大致整个衬底表面上具有氮化硅膜等作为氢阻挡层的绝缘膜等的非透氢性材料的半导体集成电路中。实施例下面，说明本发明的最佳实施例，但本发明并不限于此。
下面表示图2所示堆栈型DRAM的制造中采用本发明的实例。
在图2所示的制造中，在P型硅衬底1上形成元件隔离部分2，在栅绝缘膜(氧化硅膜)4上形成由N型多晶硅膜和硅化钨膜(未示出)构成的栅电极3。与这些元件隔离部分和栅电极自对准地形成N型扩散层5。在元件隔离部分和栅电极上形成氮化硅膜6，在其上形成由氧化硅膜构成的层间绝缘膜7。在该层间绝缘膜中形成达到扩散层5的接触孔，这部分的氮化硅膜被除去。在接触孔中掩埋N型多晶硅，形成与电容下电极10导通的触点8。在由N型多晶硅构成的电容下电极上形成由ONO(氧化膜-氮化膜-氧化膜)构成的电容绝缘膜11，在其上形成由N型多晶硅构成的电容上电极12。此外，电容下电极10对各晶体管是清楚的，但因如图3所示那样将电容上电极12分割成各单位单元阵列，因而氢的侵入路径只有电容上电极12之间的间隙。并且，有在电容下电极10与晶体管之间配置位线13的COB结构，因形成该位线13的多晶硅层而使氢吸收和消耗。
作为实施例1和实施例2，分别按图8中所示的实线(a)和实线(b)的温度顺序对上述要形成元件的衬底进行氢退火。此外，作为比较例，还分别在400℃(比较例1)、420℃(比较例2)、435℃(比较例3)、500℃(比较例4)的一定温度下，进行240分钟的按照以往方法的氢退火。
作为实施例1，在放入超过作为脱离开始温度的420℃的温度、即450℃的氮气气氛的加热炉中之后，在炉内为氢气气氛(氢/氮(1∶1)、常压)(a1)、450℃的一定温度下保持240分钟(a1～a2)、接着在20分钟内使温度逐渐降低(a2～a3)至420℃、然后在420℃的一定温度下保持10分钟(a3～a4)、随后在420℃下于惰性气氛中取出要形成元件的衬底。
在实施例2中，在放入480℃的氮气气氛的加热炉中之后，在炉内为氢气气氛(氢/氮(1∶1)、常压)、480℃的一定温度下保持120分钟(a1～a2)、接着在40分钟内使温度逐渐降低至420℃、然后在420℃的一定温度下保持10分钟、随后在420℃下于惰性气氛中取出要形成元件的衬底。
图10表示比较例1～4中相对氢退火时间的反向电流的测定结果。在φ0.5μm的触点阵列中衬底与触点之间，评价相对np结施加作为反向偏压的电压时流过的电流。由该结果可知，400℃左右的较低的低温中，氢的扩散非常慢。此外，可以看出，如果为了提高扩散速度而提高退火温度(比较例3、4)，那么在饱合区域(退火时间在1300分钟以后)中，漏电流与较低温度下进行的情况(比较例1、2)相反，比较低温度下进行的情况更大。
图11表示在实施例1、2和比较例1、4中相对氢退火时间的反向电流的测定结果。再有，采用与图10同样的评价方法，图1的实施例1和2的退火时间表示第1段的退火时间。由该结果可知，按照本发明能够有效率地降低界面能级。
由以上的说明可知，按照本发明，与衬底表面的元件结构无关，通过氢退火可提高器件特性和可靠性，此外能够以高成品率制造半导体集成电路装置。
权利要求
1.一种半导体集成电路器件的制造方法，具有氢退火工序，在氢气氛下对层叠了层间绝缘膜的要形成元件半导体衬底进行退火，其特征在于，在氢退火中，在超过脱离开始温度的温度下进行氢退火，所述脱离开始温度是到达半导体衬底与绝缘性区域的界面且使界面能级降低的氢在惰性气氛下从该界面开始脱离时的温度，然后，仍在氢气氛中并在低于该脱离开始温度的温度下，使所述要形成元件的衬底出炉。
2.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件的制造方法，其特征在于，仍在氢气氛中并在低于该脱离开始温度的温度下，形成惰性气氛，使所述要形成元件的衬底出炉。
3.根据权利要求1或2所述的半导体集成电路器件的制造方法，其特征在于，所述半导体衬底是硅衬底，所述绝缘性区域是氧化硅区域。
4.根据权利要求1或2所述的半导体集成电路器件的制造方法，其特征在于，所述半导体衬底是化合物半导体衬底。
5.根据权利要求3所述的半导体集成电路器件的制造方法，其特征在于，所述脱离开始温度是420℃。
6.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件的制造方法，其特征在于，放入到温度高于脱离开始温度的加热炉中，经过预定时间而逐渐地降低温度，进行氢退火，在降低到低于所述脱离开始温度的温度之后出炉。
7.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件的制造方法，其特征在于，放入到温度高于脱离开始温度的加热炉中，经过预定时间而逐渐地降低温度，进行氢退火，接着，在脱离开始温度以下的恒定温度中保持预定时间，然后，在低于所述脱离开始温度的温度下出炉。
8.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件的制造方法，其特征在于，放入到温度高于脱离开始温度的加热炉中，在恒定温度下保持预定时间来进行氢退火，接着，经过预定时间而逐渐地降低温度，进行氢退火，在降低到所述脱离开始温度以下的温度后出炉。
9.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件的制造方法，其特征在于，放入到温度高于脱离开始温度的加热炉中，在恒定温度下保持预定时间来进行氢退火，接着，经过预定时间而逐渐地降低温度，同时进行氢退火，接着，在脱离开始温度以下的恒定温度中保持预定时间，然后，在低于所述脱离开始温度的温度下出炉。
10.权利要求1～9任一项所述的半导体集成电路器件的制造方法，其中在衬底上形成的元件具有DRAM部。
11.权利要求1～10任一项所述的半导体集成电路器件的制造方法，其中在衬底上形成的元件具有使用不透氢性材料的自对准接触构造。
12.权利要求1～9任一项所述的半导体集成电路器件的制造方法，其中在衬底上形成的元件具有由Ti或者TiN组成的阻挡金属。
全文摘要
在本发明的半导体集成电路装置的制造方法中,设有在氢气气氛下对层叠了层间绝缘膜的要形成元件的半导体衬底进行氢退火的工序,在氢退火时,在超过脱离开始温度的温度下进行氢退火,该脱离开始温度是到达半导体衬底与绝缘性区域的界面且使界面能级降低的氢在惰性气氛下从该界面开始脱离时的温度,然后,仍在氢气气氛下且低于该脱离开始温度的温度下,取出所述要形成元件的衬底。
文档编号H01L21/768GK1256513SQ9912542
公开日2000年6月14日 申请日期1999年12月7日 优先权日1998年12月7日
发明者宫崎周司 申请人:日本电气株式会社