元件、曝光装置、及制造方法

元件、曝光装置、及制造方法
【专利摘要】本发明实现一种多射束形成元件，其利用互补光刻法，能稳定地加工微细的线图案。本发明提供一种元件及应用这种元件的曝光装置，该元件是使射束成形并偏向的元件，具备：孔径层，具有使从元件的第1面侧入射的射束成形并通过的第1开孔；及偏向层，使通过孔径层的射束通过并偏向；且偏向层具有：第1电极部，具有与对应于第1开孔的偏向层内的射束通过空间相对的第1电极；及第2电极部，具有在偏向层内独立于相邻层并朝向射束通过空间延伸的延伸部、及在端部隔着射束通过空间而与第1电极对向的第2电极。
【专利说明】
元件、曝光装置、及制造方法
技术领域
[0001]本发明涉及一种元件、曝光装置、及制造方法。
【背景技术】
[0002]以往，已知有一种互补光刻法，其利用使用电子束等带电粒子束的曝光技术对线宽为数十纳米左右的利用光学曝光技术而形成的单纯的线图案进行加工，由此形成微细的配线图案(例如，参照专利文献I及2)。另外，还已知有一种多射束曝光技术，其使用了形成具有多个带电粒子束的多射束的元件(例如，参照专利文献3及4)。
[0003]专利文献I:日本专利特开2013-16744号公报
[0004]专利文献2:日本专利特开2013-157547号公报
[0005]专利文献3:日本专利特开2010-267962号公报
[0006]专利文献4:日本专利平9-293654号公报

【发明内容】

[0007][发明要解决的问题]
[0008]然而，在这种方法中，通过使用以往的多射束形成元件的多射束曝光，难以对以不同线宽及不同间距制作的线图案进行加工。另一方面，应该加工的线图案逐渐更微细化，而期待一种能稳定地加工微细的线图案的多射束形成元件。
[0009][解决问题的技术手段]
[0010]在本发明的第I方面中，提供一种元件及曝光装置，该元件使射束成形并偏向，具备:孔径层，具有使从该元件的第I面侧入射的射束成形并通过的第I开孔;及偏向层，使通过孔径层的射束通过并偏向；且偏向层具有:第I电极部，具有与对应于第I开孔的偏向层内的射束通过空间相对的第I电极;及第2电极部，具有在偏向层内独立于相邻层并朝向射束通过空间延伸的延伸部、及在端部隔着射束通过空间而与第I电极对向的第2电极。
[0011 ]在本发明的第2方面中，提供一种制造方法，制造使射束成形并偏向的元件，具备:孔径层处理阶段，形成具有使从元件的第I面侧入射的射束成形并通过的第I开孔的孔径层;及偏向层处理阶段，形成使通过孔径层的射束通过并偏向的偏向层;且偏向层处理阶段是形成第I电极部及第2电极部，该第I电极部具有与对应于第I开孔的偏向层内的射束通过空间相对的第I电极，该第2电极部具有在偏向层内独立于相邻层并朝向射束通过空间延伸的延伸部、及在端部隔着射束通过空间而与第I电极对向的第2电极。
[0012]此外，所述发明的概要并未列举出本发明的全部必要特征。另外，这些特征群的子组合也可成为发明。
【附图说明】
[0013]图1表示本实施方式的曝光装置100的构成例。
[0014]图2表不本实施方式的曝光装置100扫描阵列射束而形成在样品116的表面的一部分上的可照射区域200的一例。
[0015]图3表示本实施方式的曝光装置100的动作流程。
[0016]图4表示应该形成在样品116上的切割图案的信息的一例。
[0017]图5表示本实施方式的扫描控制部190将阵列射束的照射位置移动至图框的开始点的情况的一例。
[0018]图6表不本实施方式的选择部160的一例。
[0019]图7表示本实施方式的曝光控制部140向消隐电极64供给的控制信号的时序图的一例。
[°02°]图8表不形成在样品116的表面的线图案802的一例。
[0021 ]图9表不形成在样品116的表面的配线图案900的一例。
[0022]图1OA表示本实施方式的元件10所具有的孔径层50的XY平面上的构成例。
[0023]图1OB表不本实施方式的孔径层50的截面的构成例。
[0024]图1IA表示本实施方式的元件10所具有的偏向层60的XY平面上的构成例。
[0025]图1IB表示本实施方式的偏向层60的第I截面的构成例。
[0026]图1IC表示本实施方式的偏向层60的第2截面的构成例。
[0027]图12是将图1IA的一部分放大的俯视图。
[0028]图13表示从射束通过空间62a侧观察本实施方式的偏向层60的一部分的立体图的一例。
[0029 ]图14表示本实施方式的偏向层60及挡板70的截面的构成例。
[0030]图15A表示本实施方式的第2电极64c的第I例。
[0031]图15B表示本实施方式的第2电极64c的第2例。
[0032]图15C表示本实施方式的电极延长量与射束行进方向的电极长度T6的关系的一例。
[0033]图16表示本实施方式的元件10的第I变化例。
[0034]图17表示本实施方式的元件10的第2变化例。
[0035]图18表示图16所示的第I变化例的元件10的制造流程。
[0036]图19表示通过图18所示的制造流程而形成的元件10的剖视图的一例。
[O O3 7 ]图2 O表不实际形成的偏向层6 O的电极部的一例。
[0038]图21表示本实施方式的曝光装置100的变化例。
【具体实施方式】
[0039]以下，通过发明的实施方式对本发明进行说明，但以下的实施方式并不限定权利要求书所涉及的发明。另外，实施方式中所说明的特征的所有组合未必为发明的解决手段所必需。
[0040]图1表示本实施方式的曝光装置100的构成例。曝光装置100对与基于预先设定的栅格而以不同线宽及不同间距形成的样品上的线图案对应的位置，照射具有与该栅格对应的照射区域的带电粒子束而将该线图案曝光。曝光装置100具备平台部110、柱部120、CPU(Central Processing Unit，中央处理器)130、及曝光控制部140。
[0041]平台部110载置样品116并使样品116移动。此处，样品116可为由半导体、玻璃、及/或陶瓷等所形成的基板，作为一例，该样品116是由硅等所形成的半导体晶片。样品116是利用金属等导电体而在表面形成有线图案的基板。本实施方式的曝光装置100为了将该线图案切断来进行微细的加工(电极、配线、及/或通孔等的形成)，而将形成在该线图案上的抗蚀剂曝光。
[0042]平台部110具有平台装置112、及平台位置检测部114。平台装置112搭载样品116，并使该样品116在图1所示的XY平面上移动。平台装置112可为XY平台，另外，除了XY平台以夕卜，也可与Z平台、旋转平台、及倾斜平台中的I个以上组合。
[0043]平台装置112将形成在样品116上的线图案的长方向设为预先设定的方向而使样品116移动。平台装置112是以线图案的长方向成为与例如X方向或Y方向等平台的移动方向大致平行的方式搭载样品116。对如下例子进行说明:本实施方式的平台装置112是在图1中沿着X方向及Y方向移动的XY平台，且是以线图案的长方向与X方向大致平行的方式搭载样品 116 0
[0044]平台位置检测部114对平台装置112的位置进行检测。作为一例，平台位置检测部114对移动的平台照射激光，通过检测反射光来检测该平台的位置。理想的是，平台位置检测部114以大致Inm以下的精度检测平台的位置。
[0045]柱部120对载置在平台部110的样品116，照射具有电子及离子的带电粒子束。在本实施方式中，对柱部120照射电子束的例子进行说明。本实施方式的柱部120是在形成在样品116上的线图案的宽度方向上产生照射位置不同的多个带电粒子束的射束产生部。柱部120具有元件10、电子枪20、孔径板30、射束形状变形部40、挡板70、调整部80、及对位部82。
[0046]元件10使输入的带电粒子束成形并偏向。元件10包含孔径层50、及偏向层60。关于孔径层50及偏向层60将在下文叙述。
[0047]电子枪20通过电场或热而发射电子，并对该发射的电子施加预先设定的电场，使该电子沿着成为图1的-Z方向的样品116的方向加速而以电子束的形式输出。电子枪20可施加预先设定的加速电压(作为一例为50keV)而输出电子束。电子枪20可设置在从与XY平面平行的样品116的表面来看与Z轴平行的垂线上。
[0048]孔径板30设置在电子枪20与样品116之间，屏蔽电子枪20所发射的电子束的一部分。作为一例，孔径板30具有圆形的开孔32，利用该开孔32而屏蔽一部分电子束，并使剩余的电子束通过。开孔32的中心可形成为与连结电子枪20和样品116的垂线相交。也就是说，孔径板30使从电子枪20发射的电子束之中的预先设定的发射角度以内的电子束通过。
[0049]射束形状变形部40设置在孔径板30与样品116之间，使通过孔径板30的电子束的大致圆形的截面形状变形。射束形状变形部40例如可为静电四极电极等电子透镜，使电子束的截面形状变形为椭圆等向单向延伸的截面形状。在图1的例子中，射束形状变形部40使电子束的截面形状变形为沿着与Y轴平行的方向延伸的截面形状。
[0050]孔径层50设置在射束形状变形部40与样品116之间，使通过射束形状变形部40而变形的截面形状的电子束的一部分通过，并屏蔽剩余的一部分。孔径层50具有沿单向排列的多个第I开孔52，利用该多个第I开孔52而屏蔽一部分电子束，并使剩余的电子束通过。
[0051]在图1的例子中，多个第I开孔52是在与Y轴平行的方向上隔开预先设定的间隔而排列，并且是以由沿着与Y轴平行的方向延伸的截面形状的电子束形成多个电子束的方式切割而成。孔径层50使所输入的电子束以与多个第I开孔52对应的阵列状电子束群(在本实施例中，设定为阵列射束)的形式输出。
[0052]偏向层60设置在孔径层50与样品116之间，对是否使孔径层50所输出的多个带电粒子束分别照射至样品116进行切换。也就是说，偏向层60分别对是否使各阵列射束偏向于与样品116的方向不同的方向进行切换。偏向层60对应于各阵列射束，而具有沿单向排列的多个开孔6 2、及对该多个开孔6 2内施加电场的多个消隐电极64。
[0053]在图1的例子中，多个开孔62在与Y轴平行的方向上隔开预先设定的间隔而排列，使各阵列射束个别地通过。例如，在不对消隐电极64供给电压的情况下，在对应的开孔62内不产生施加于电子束的电场，因此入射至该开孔62的电子束未偏向而朝着样品116的方向通过(成为射束持续(ON)状态)。另外，在对消隐电极64供给电压的情况下，在对应的开孔62内产生电场，因此入射至该开孔62的电子束偏向于与沿着样品116的方向通过的方向不同的方向(成为射束断开(OFF)状态)。
[0054]挡板70设置在偏向层60与样品116之间，屏蔽经偏向层60偏向的电子束。挡板70具有开孔72。开孔72可具有向单向延伸的大致椭圆或大致长方形的形状，开孔72的中心可形成为与连结电子枪20和样品116的直线相交。在图1的例子中，开孔72具有沿着与Y轴平行的方向延伸的形状。
[0055]开孔72使未经偏向层60偏向而通过的电子束通过，并阻止经偏向层60偏向的电子束的行进。也就是说，柱部120使偏向层60及挡板70组合而控制供给至消隐电极64的电压，由此能对是(射束持续状态)否(射束断开状态)将阵列射束中所包含的各个电子束照射至样品116进行切换(实施消隐动作)。
[0056]调整部80设置在挡板70与样品116之间，使多个带电粒子束偏向而调整照射至样品116的阵列射束的照射位置。调整部80可具有对通过的电子束施加与所输入的驱动信号对应的电场而使该电子束偏向的偏向器，使阵列射束偏向而调整该阵列射束的照射位置。另外，调整部80也可具有I个或多个电磁线圈，对阵列射束施加磁场而调整该阵列射束的照射位置。
[0057]对位部82使通过孔径层50的第I开孔52的电子束对准偏向层60的开孔62。对位部82可具有偏向器，该偏向器在图1的XY平面内的预先设定的方向上产生电场或磁场而使电子束偏向。对位部82利用在XY平面内产生的电场或磁场，使通过孔径层50的第I开孔52的电子束偏向，而对准偏向层60的开孔62的位置。而且，对位部82可为在图1的XY平面内使偏向层60相对于孔径层50相对性地移动的驱动部。在该情况下，对位部82使偏向层60相对于孔径层50相对性地移动，而使偏向层60的开孔62的位置对准通过孔径层50的第I开孔52的电子束的通过位置。
[0058]以上的本实施方式的柱部120生成沿着预先设定的方向排列的多个电子束，并对是否将各电子束照射至样品116进行切换。在柱部120中，多个电子束的排列方向是由射束形状变形部40使射束截面形状变形的方向、孔径层50的多个第I开孔52的排列方向、偏向层60的多个开孔62及对应的消隐电极64的排列方向等决定。
[0059]如果使这些方向与正交于平台装置112的移动方向的线图案的宽度方向大体一致，那么由于平台装置112是以使该移动方向与样品116上的线图案的长方向大体一致的方式搭载样品116，所以柱部120沿着该线图案的宽度方向产生照射位置不同的多个电子束。在本实施方式中，对如下例子进行说明:柱部120照射排列在相对于与X方向大致平行的线图案垂直的方向即Y方向上的阵列射束。
[0060]CPU130对曝光装置100整体的动作进行控制。CPU130可具有输入来自使用者的操作指示的输入终端的功能。CPU130可为电脑或工作站等。CPU130连接于曝光控制部140，根据使用者的输入来控制曝光装置100的曝光动作。作为一例，CPU130经由总线132而与曝光控制部140所具有的各部分别连接，收发控制信号等。
[0061 ]曝光控制部140连接于平台部110及柱部120，根据从CPU130接收的控制信号等来控制平台部110及柱部120以执行样品116的曝光动作。另外，曝光控制部140可经由总线132而与外部存储部90连接，收发存储在外部存储部90中的图案的数据等。代替此，外部存储部90也可直接连接于CPU130。代替此，曝光控制部140也可在内部具有存储图案数据等的存储部。曝光控制部140具有存储部150、选择部160、照射控制部170、偏向量决定部180、及扫描控制部190。
[0062]存储部150分别存储切割图案以及通孔图案，所述切割图案是为了切断形成在样品116上的线图案而由曝光装置100曝光的图案，所述通孔图案是为了在样品116上形成通孔而由存储曝光装置100曝光的图案。存储部150例如从外部存储部90接收切割图案及通孔图案的信息并加以存储。另外，存储部150也可经由CPUl 30来接收由使用者输入的切割图案及通孔图案的信息并加以存储。
[0063]另外，存储部150存储样品116的配置信息及形成在样品116上的线图案的配置信息。存储部150可在进入曝光动作之前，存储预先测定的测定结果来作为配置信息。存储部150可存储例如样品116的缩率(制造工艺所致的变形误差)、(搬送等所致的)旋转误差、基板等的形变、及高度分布等成为定位误差的因素的信息来作为样品116的配置信息。
[0064]另外，存储部150存储与阵列射束的照射位置和线图案的位置之间的位置偏移相关的信息来作为线图案的配置信息。理想的是，存储部150针对样品116的配置信息及线图案的配置信息，将通过对载置在平台装置112上的样品116进行测量而取得的信息作为配置信息。代替此，存储部150也可存储样品116的过去的测定结果、或同一批次的其他样品的测定结果等。
[0065]选择部160连接于存储部150，读出切割图案及通孔图案的信息而判别线图案上的长方向的照射位置的指定。选择部160在线图案上的长方向的指定的照射位置，选择柱部120所产生的多个带电粒子束中应该照射至样品116的至少I个带电粒子束。选择部160基于切割图案及通孔图案的信息而选择阵列射束中应该照射的电子束，并将选择结果供给至照射控制部170。
[0066]照射控制部170连接于选择部160，接收选择部160的选择结果。照射控制部170连接于柱部120，以使所选择的至少I个带电粒子束向样品116照射的方式进行控制。照射控制部170经由放大器172，而对偏向层60的消隐电极64供给切换电子束的持续状态及断开状态的信号。放大器172可包含具有预先设定的放大度的放大电路。
[0067]偏向量决定部180连接于存储部150，读出样品116的配置信息及线图案的配置信息，根据样品116的位置误差及阵列射束的照射位置误差的信息而计算出应该对阵列射束的照射位置加以调整的调整量，并决定与该调整量对应的偏向量。偏向量决定部180连接于柱部120，基于所决定的偏向量来调整阵列射束的照射位置。偏向量决定部180经由偏向部驱动电路182而将根据所决定的偏向量使阵列射束偏向的控制信号供给至调整部80。此处，偏向部驱动电路182将与从偏向量决定部180输出的偏向量对应的控制信号转换成输入至调整部80的驱动信号。
[0068]扫描控制部190连接于平台部110，使多个带电粒子束的照射位置沿着线图案的长方向扫描。本实施方式中的扫描控制部190通过使搭载样品116的平台装置112与X方向大致平行地移动，而使阵列射束沿着线图案的长方向扫描。扫描控制部190经由平台驱动电路192而供给使平台装置112移动的控制信号。平台驱动电路192将与从扫描控制部190输出的移动方向及移动量对应的控制信号转换成平台装置112的对应的驱动信号。
[0069]扫描控制部190连接于平台位置检测部114，接收平台装置112的平台位置的检测结果。扫描控制部190可基于检测结果而取得平台装置112实际移动的移动量及平台的位置误差(即移动误差)等，并将其反馈给平台装置112的移动控制。另外，扫描控制部190可连接于偏向量决定部180，根据因平台部110所致的样品116的移动误差来调整带电粒子束的通过路径。
[0070]另外，扫描控制部190分别连接于选择部160及照射控制部170，将平台装置112的位置信息供给至选择部160及照射控制部170。照射控制部170基于平台装置112的位置信息而取得对样品116的线图案照射阵列射束的时序。
[0071]另外，扫描控制部190以使阵列射束的照射位置也沿着线图案的宽度方向移动而使样品116的表面上的预先设定的区域为阵列射束的可照射区域的方式进行阵列射束扫描。使用图2对扫描控制部190扫描阵列射束的一例进行说明。
[0072]表不本实施方式的曝光装置100扫描阵列射束而形成在样品116的表面的一部分上的可照射区域200的一例。图2表示与XY面大致平行的样品116的表面，以fw表示曝光装置100所照射的阵列射束的沿着Y方向(线图案的宽度方向)排列的多个电子束整体的射束宽。此处，作为一例，射束宽fw大致为30μηι。
[0073]扫描控制部190在维持带电粒子束的通过路径的状态下，通过平台部110使样品116向线图案的长方向移动。图2表示扫描控制部190使平台装置112向-X方向移动的例子。由此，阵列射束的照射位置210在样品116的表面上沿着+X方向扫描，该阵列射束将带状的区域220作为电子束的可照射区域。也就是说，扫描控制部190使平台装置112在X方向上移动预先设定的距离，而将第I图框232作为可照射区域。此处，作为一例，第I图框232具有30μm X 30mm的面积。
[0074]其次，扫描控制部190使平台装置112向-Y方向移动射束阵列的射束宽fw的距离，其次，使平台装置112以倒退前次向-X方向移动的预先设定的距离的方式向+X方向移动。由此，阵列射束的照射位置210在与第I图框232不同的样品116的表面上沿着-X方向扫描，而使与第I图框232面积大致相同且在+Y方向上相邻的第2图框234为可照射区域。同样地，扫描控制部190使平台装置112向-Y方向移动射束阵列的射束宽fw的距离，并再次使平台装置112向-X方向移动该预先设定的距离而使第3图框236为可照射区域。
[0075]如此，扫描控制部190使平台装置112在线图案的长方向即X方向上往返动作，而使样品116表面上的预先设定的区域为阵列射束的可照射区域200。此处，作为一例，扫描控制部190使30 X 30mm的正方形区域为可照射区域200。
[0076]此外，虽然在本实施方式中，对扫描控制部190通过使平台装置112往返动作而使正方形区域为阵列射束的可照射区域200进行了说明，但并不限定于此，扫描控制部190也可使阵列射束的照射方向偏向而扫描。在该情况下，扫描控制部190可对偏向量决定部180供给与扫描的距尚对应的偏向量而扫描阵列射束。另外，虽然对扫描控制部190使阵列射束的可照射区域200为矩形的形状进行了说明，但并不限定于此，也可将通过阵列射束的扫描而形成的预先设定的区域作为阵列射束的可照射区域200。
[0077]以上的本实施方式的曝光装置100—边使平台装置112在线图案的长方向即X方向上往返动作，一边照射与线图案上的照射位置对应的阵列射束来对样品116进行曝光。也就是说，曝光装置100对于阵列射束的可照射区域200内的线图案，对与应该形成的切割图案及通孔图案对应的曝光位置照射带电粒子束而进行曝光。使用图3对曝光装置100的曝光动作进行说明。
[0078]图3表示本实施方式的曝光装置100的动作流程。在本实施方式中，对曝光装置100通过执行S300至S370的处理而在样品116表面的线图案上曝光切割图案的例子进行说明。
[0079]首先，平台部110载置形成有线图案且涂布有抗蚀剂的样品116(S300)。其次，曝光装置100取得所载置的样品116的配置信息及线图案的配置信息(S310)。曝光装置100将所取得的配置信息存储在存储部150中。
[0080]作为一例，曝光装置100通过观察设置在样品116上的多个定位标记等而取得样品116的配置信息及/或线图案的配置信息。在该情况下，曝光装置100可将电子束照射至该定位标记，从通过检测二次电子或反射电子等而获得的样品116的表面图像检测出该定位标记的位置与电子束的照射位置，从而取得线图案的配置信息等。
[0081]另外，曝光装置100也可将激光等照射至该定位标记，通过检测反射光或散射光等而取得样品116的配置信息等。在曝光装置100如此地通过测定而取得样品116的配置信息及线图案的配置信息的情况下，曝光装置100可还具备检测二次电子或反射电子等的检测部、激光照射装置、及光检测部等。
[0082]其次，扫描控制部190以阵列射束的照射位置位于应该曝光的图框的开始点的方式，使平台装置112移动至与该开始点对应的位置(S320)。扫描控制部190在使平台装置112向+X方向移动(使阵列射束的照射位置向-X方向移动)而将图框曝光的情况下，将该图框的+X方向侧的端部作为图框的开始点。
[0083]另外，扫描控制部190在使平台装置112向-X方向移动(使阵列射束的照射位置向+X方向移动)而将图框曝光的情况下，将该图框的-X方向侧的端部作为图框的开始点。扫描控制部190在针对每一图框而使平台装置112在线图案的长方向即X方向上往返动作的情况下，根据该往返动作而交替地切换-X方向的端部及+X方向的端部来作为该图框的开始点。
[0084]扫描控制部190可在曝光动作的开始阶段使图框的开始点为预先设定的位置。作为一例，扫描控制部190将位于最-Y方向侧的图框的-X方向侧的端部作为图框的开始点。
[0085]其次，选择部160从存储部150取得应该曝光的图框内的切割图案的信息(S330)。图4表示应该形成在样品116上的切割图案的信息的一例。切割图案的信息可具有以矩形表示的切割图案的大小及位置的数据。图4表示将切割图案的两边的长度、及预先设定的部分(-X方向侧及-Y方向侧的顶点，在图中为左下方的顶点)的坐标作为切割图案数据的例子。
[0086]更具体地讲，将第I图案410的切割图案数据的{(位置)，大小}表示为{(XeI，Yc I)，SxI，Sy I}。同样地，将第2图案420的切割图案数据的{(位置)，大小}表示为{(Xe2，Yc2)，512，572}，将第3图案430的切割图案数据的{(位置)，大小}表示为{0(:3，￥(33)，513，573}。
[0087]此外，图4的X方向与将切割图案重叠的对象即线图案的长方向大体一致。另外，在图4中，用虚线表示在Y方向上每隔间隔g而排列且与X方向平行的多个线段来作为线图案及切割图案的设计中所使用的栅格400。例如，间隔g为栅格宽度，该栅格宽度g大致等于线图案的短方向(Y方向)的线宽的最小值。另外，在线图案具有多种线宽的情况下，多个线宽都可使用栅格宽度g的η倍的值(此处，η是I以上的自然数)。另外，相邻线图案的Y方向的图案间隔可使用栅格宽度8的111倍的值(此处，m是I以上的自然数)。
[0088]同样地，切割图案的Y方向的长度、及Y方向的图案间隔可使用栅格宽度g的(I以上的)自然数倍的值。例如，第I图案410的Y方向的长度大致等于4g，第2图案420的Y方向的长度大致等于2g，另外，第I图案410及第2图案420的Y方向的图案间隔大致等于2g。另外，图4的例子表示切割图案的Y坐标是以在栅格400上大致相等的方式设计的例子。如此，本实施方式的切割图案及线图案是以栅格400的坐标值为基准而设计Y坐标的图案。
[0089]图5表示本实施方式的扫描控制部190将阵列射束的照射位置移动至图框的开始点(图框的-X方向侧的端部)的情况的一例。也就是说，图5是表示形成在样品表面上的线图案402与阵列射束500的照射位置的位置关系的一例的XY俯视图。另外，图5也是表示线图案40 2与图4所示的切割图案的位置关系的一例的XY俯视图。
[0090]图5的例子表示如下情况:I个图框具有4条线图案402，各线图案402的线宽、及相邻的线图案402之间的间隔都大致等于栅格400的栅格宽度g。另外，在图中，第I图案410是从最上部同时切割两条线图案402的图案，第2图案420是切割最下部的线图案402的图案，第3图案430是同时切割中央的两条线图案402的图案。
[0091]另外，在图5中，对阵列射束500具有BI至B8的共计8个电子束的例子进行说明。阵列射束500对样品116上的多个照射区域502分别照射电子束。电子束BI至B8的线图案的宽度方向(也就是Y方向)的射束宽分别具有与栅格宽度g大致相等的射束宽。另外，电子束BI至B8在样品116上的各自的照射位置是在Y方向上分别均错开栅格宽度g而排列，具有共计约8g的宽度，而在图框内对具有约8g的宽度的范围进行曝光。也就是说，阵列射束500在Y方向上，具有该阵列射束500所具有的电子束的个数加上栅格宽度g所得的值的射束宽，而将具有大致等于该射束宽的Y方向的宽度的图框曝光。
[0092]此处，柱部120在能使多个电子束的照射位置均错开栅格宽度g而排成一列的情况下，可将该排成一列的阵列射束500照射至样品116。代替此，柱部120也可将多个电子束的照射位置具有多列的阵列射束500照射至样品116。
[0093]图5表示阵列射束500具有在线图案的长方向上相隔间隔δ而排列的两列电子束的例子。另外，各列中所包含的多个电子束的照射位置是以与栅格宽度g大致相等的距离相隔而排列在线图案的宽度方向上。因此，具有电子束B1、B3、B5、及B7这些奇数编号的电子束的列(设为第I列)具有共计约7g的Y方向的宽度。同样地，具有偶数编号的电子束的列(设为第2列)也具有共计约7g的Y方向的宽度。
[0094]另外，在扫描控制部190将阵列射束500的照射位置移动至图框的开始点的阶段S320，多个电子束的照射位置分别配置在对应的栅格间。图5表示如下例子:配置在从-Y方向侧起第I个的电子束BI的照射位置位于从-Y方向侧起第I与第2个栅格之间，同样地，配置在从-Y方向侧起第η个的电子束Bn的照射位置位于从-Y方向侧起第η个与第n+1个栅格之间。
[0095]为了将如上所述以栅格400的坐标值为基准而设计的切割图案曝光，扫描控制部190使阵列射束500的照射位置移动至基于该栅格400的位置。由此，扫描控制部190通过沿着线图案的长方向扫描具有η个电子束的阵列射束500的照射位置，能将对应的第I个至第η+1个栅格之间的具有nXg的宽度的图框曝光。
[0096]其次，选择部160选择用于曝光的带电粒子束(S340)。选择部160可基于从扫描控制部190接收到的阵列射束的照射位置的信息来判断应该曝光的切割图案。切割图案的Y坐标是以在栅格400上大致相等的方式设计，因此选择部160例如通过一边沿着线图案的长方向扫描阵列射束500的照射位置，一边照射电子束B5至B8这4个电子束，能将具有4g的宽度的第I图案410曝光。
[0097]也就是说，为了将第I图案410曝光，选择部160选择电子束B5至B8这4个电子束作为用于曝光的电子束。而且，电子束B5曝光第I图案410的部分图案418，电子束B6曝光第I图案410的部分图案416，电子束B7曝光第I图案410的部分图案414，电子束B8曝光第I图案410的部分图案412。
[0098]此处，选择部160能根据切割图案的Y坐标的值来选择用于曝光的电子束。例如，选择部160根据第2图案420的Y坐标的值位于从-Y方向侧起第I个与第3个之间，而选择该区域成为照射位置的电子束BI及B2。另外，选择部160根据第3图案430的Y坐标的值位于从-Y方向侧起第3个与第7个之间，而选择该区域成为照射位置的电子束B3至B6。
[0099]由此，电子束BI曝光第2图案420的部分图案422，电子束B2曝光第2图案420的部分图案424。另外，电子束B3曝光第3图案430的部分图案432，电子束B4曝光第3图案430的部分图案434，电子束B5曝光第3图案430的部分图案436，电子束B6曝光第3图案430的部分图案438。
[0100]另外，选择部160检测应该照射所选择的电子束的照射位置。选择部160检测根据切割图案而应该照射的照射位置作为指定的照射位置。选择部160根据多个带电粒子束的照射位置经过线图案的长方向上的预先设定的基准位置之后的经过时间来检测指定的照射位置。
[0101]图5表示在线图案的长方向上预先设定有第I基准位置及第2基准位置这两个基准位置的例子。也就是说，将第I基准位置及第2基准位置之间的区域作为曝光范围，选择部160根据阵列射束500的照射位置经过第I基准位置之后的经过时间，而分别检测多个电子束的指定的照射位置。
[0102]除此以外，也可在线图案的长方向上预先设定3个以上基准位置。也就是说，可将I个图框分割成多个曝光范围，选择部160在每个曝光范围分别检测多个电子束的指定的照射位置。在该情况下，选择部160根据在线图案的长方向上的多个基准位置之中多个带电粒子束的照射位置最后经过的基准位置、及经过该基准位置之后的经过时间来检测指定的照射位置。使用图6及图7，对选择部160的电子束的选择、及照射位置的检测进行说明。
[0103]图6表示本实施方式的选择部160的一例。选择部160包含数据转换电路162、射束选择电路164、及经过时间运算电路166。
[0104]数据转换电路162从存储部150取得切割图案数据，并将该切割图案数据转换成与样品116上的线图案的配置相关的坐标系。数据转换电路162例如从存储部150取得(Xci，Yci)，Sxi，Syi(i = l、2、3、...)作为切割图案数据，并将其转换成样品116上的坐标系的曝光数据0吐丨，￥^^)，511^，571^(丨=1、2、3^")。此处，由于切割图案数据的￥坐标的值￥(^、Syi是栅格宽度g的整数倍的值，所以转换后的Ycb1、Sybi也成为离散的值。
[0105]此外，数据转换电路162所执行的数据转换是用来修正在将样品116装载在平台装置112上时产生的旋转误差、及样品116经历蚀刻或成膜等元件制造工艺而导致的样品116的变形误差等。也就是说，如果平台装置112的精度、及制造工艺的精度等足够高，那么该修正成为例如将距离修正1ppm左右以下、将角度修正Imrad左右以下的数据转换。
[0106]例如，在图案宽度Sx1、Syi为数10?10nm的情况下，即便执行该数据转换也不会发生0.1nm以上的变化。也就是说，在该情况下，如果对0.1nm以下进行舍去处理，那么Sxi =Sxb1、Syi = Sybi成立。因此，当在样品116产生的旋转误差及变化误差等处于预先设定的范围内的情况下，选择部160也可将数据转换电路162的有关于Sx1、Syi的数据转换省略。
[0107]射束选择电路164基于曝光数据(Xcb, Ycb)，Sxb ,Syb而选择用于曝光的电子束。例如，在图5所示的栅格400的Y方向的坐标是从-Y方向侧起的Yc 1、Yc2、…、Yc8的情况下，射束选择电路164选择电子束BI作为用于坐标Ycl至Yc2的范围的曝光的电子束。也就是说，射束选择电路164对于位于坐标Ycb至坐标Ycb+Syb的切割图案，选择与该坐标的范围对应的电子束作为用于曝光的电子束B1、B2、…、Bn。
[0108]经过时间运算电路166对于射束选择电路164所选择的电子束BI至Bn，分别检测将电子束切换成持续状态或断开状态的时序。经过时间运算电路166基于曝光数据的X坐标而检测该时序，作为一例，将该时序作为经过时间而输出。此处，所谓经过时间是指以阵列射束500通过基准位置的时间为起点至使阵列射束中所包含的各电子束为持续状态及断开状态为止的时间。
[0109]扫描控制部190沿着线图案的长方向即+X方向或-X方向扫描阵列射束500。在用曝光数据(Xcb ,Ycb), Sxb，Syb表示切割图案，且扫描控制部190沿着+X方向扫描阵列射束500的情况下，于在X轴坐标上对应的电子束的照射位置到达Xcb的位置的时间点，使该电子束成为持续状态，在到达Xcb+Sxb的位置的时间点使该电子束成为断开状态，由此该电子束能将该切割图案的图案区域内曝光。也就是说，经过时间运算电路166检测如下时间作为经过时间，该时间为从阵列射束500通过曝光范围的-X侧的第I基准位置的时间点开始至将电子束切换成持续状态及断开状态为止的时间。
[0110]另一方面，在扫描控制部190沿着-X方向扫描阵列射束500的情况下，于在X轴坐标上对应的电子束的照射位置到达Xcb+Sxb的位置的时间点，使该电子束成为持续状态，在到达Xcb的位置的位置的时间点，使该电子束成为断开状态，由此该电子束能将该切割图案的图案区域内曝光。在该情况下，经过时间运算电路166检测如下时间作为经过时间，该时间为从阵列射束500通过曝光范围的+X侧的第2基准位置的时间点开始至将电子束切换成持续状态及断开状态为止的时间。
[0111]另外，当在图框内设定有多个基准位置的情况下，经过时间运算电路166可检测如下时间作为经过时间，该时间为从通过多个基准位置中的最后一个基准位置的时间点至将电子束切换成持续状态及断开状态为止的时间。作为一例，经过时间运算电路166根据扫描控制部190沿着线图案的长方向扫描阵列射束500的速度而计算出经过时间。在该情况下，理想的是扫描控制部190—边使阵列射束500在图框内连续地移动、一边进行曝光，在沿着线图案的长方向进行扫描的情况下，也可以阵列射束500的速度V至少不会成为O而使速度V平缓地变化的方式进行控制。
[0112]如果扫描控制部190沿着+X方向扫描阵列射束500，并将第I基准位置的X坐标设为S，将应该曝光的切割图案的图案开始位置设为Xcb，将图案的宽度(X轴方向的图案宽度)设为Sxb，那么经过时间运算电路166能利用以下的关系式而计算出直到使电子束成为持续状态为止的经过时间(DLa)。此外，经过时间运算电路166可从扫描控制部190接收速度V的信息。
[0113](数学式I)
[0114]DLa=(Xcb-S)/V
[0115]另外，经过时间运算电路166能利用以下的关系式而计算出直到在图案结束位置Xcb+Sxb使电子束成为断开状态为止的经过时间(DLb)。
[0116](数学式2)
[0117]DLb = (Xcb+Sxb —S)/V
[0118]经过时间运算电路166对于利用射束选择电路164而选择的电子束B1、B2、…、Bn，分别计算出直到使电子束成为持续状态为止的经过时间为DLla、DL2a、…、DLna。另外，经过时间运算电路166计算出直到使电子束成为断开状态为止的经过时间为DLlb、DL2b、…、DLnb0
[0119]如上所述，射束选择电路164及经过时间运算电路166对应于应该曝光的切割图案，而分别执行应该曝光的电子束的选择与经过时间的检测。选择部160将射束选择电路164的选择结果及经过时间运算电路166的检测结果供给至照射控制部170。
[0120]其次，曝光控制部140—边扫描阵列射束500的照射位置，一边控制带电粒子束的照射(S350)。也就是说，扫描控制部190移动平台装置112而以速度V扫描阵列射束500的照射位置，并将基于平台位置检测部114的位置检测结果的阵列射束500的照射位置供给至照射控制部170。照射控制部170根据阵列射束500的照射位置与经过时间，对偏向层60的对应的消隐电极64供给控制信号以控制所选择的电子束的照射。
[0121]图7表示本实施方式的照射控制部170对消隐电极64供给的控制信号的时序图的一例。也就是说，图7表示例如相对于将图5所示的曝光范围的切割图案曝光的电子束BI至B8的消隐动作的时序。图7的横轴表不时间，纵轴表不电压。
[0122]图7所示的8个控制信号是对与电子束BI至B8对应的消隐电极64供给的控制信号的一例。也就是说，照射控制部170在该控制信号的电压电平为高状态的情况下，对消隐电极64供给与该控制信号对应的信号电压而使对应的电子束偏向，因此使该电子束成为射束断开状态。另外，照射控制部170在该控制信号的电压电平为低状态的情况下，不对消隐电极64供给信号电压，而使对应的电子束通过，因此使该电子束成为射束持续状态。
[0123]此处，在时间轴上，Tl所示的时间点表示具有电子束B2、B4、B6、及B8的第2列通过第I基准位置的时间点。另外，T2所示的时间点表示具有电子束B1、B3、B5、及B7的第I列通过第I基准位置的时间点。也就是说，T2 — TI = δ/V。
[0124]图7的BI及Β2所示的信号是使用电子束BI及Β2将图5所示的切割图案的第2图案420曝光的控制信号。也就是说，图7表示如下例子:选择部160基于第2图案420的切割图案数据来选择电子束BI及Β2而检测经过时间。然后，照射控制部170根据经过时间而生成控制信号BI及Β2。
[0125]照射控制部170于在电子束BI的照射位置通过第I基准位置的时间点T2之后经过了经过时间DLla的时间点Τ4，将该电子束BI从断开状态切换成持续状态。然后，照射控制部170于在时间点Τ2之后经过了经过时间DLlb的时间点Τ6，将该电子束BI从持续状态切换成断开状态。
[0126]另外，照射控制部170于在电子束Β2的照射位置通过第I基准位置的时间点Tl之后经过了经过时间DL2a的时间点Τ3，将该电子束Β2从断开状态切换成持续状态。然后，照射控制部170于在时间点TI之后经过了经过时间DL2b的时间点T5，将该电子束B2从持续状态切换成断开状态。
[0127]如此，照射控制部170能根据选择部160的选择结果及经过时间、以及利用扫描控制部190而扫描的照射位置的位置信息，而生成控制电子束的照射的控制信号。而且，通过将照射控制部170所生成的控制信号供给至消隐电极64，柱部120能将切割图案的第2图案420曝光在样品116上。
[0128]同样地，照射控制部170生成由选择部160所选择的电子束B3至B8的控制信号，而在样品116上将第I图案410及第3图案430曝光。如上所述，本实施方式的照射控制部170基于从照射位置通过基准位置的时间点的经过时间，而控制电子束的持续状态及断开状态的切换动作。因此，从第I基准位置到第2基准位置之间的曝光范围的长度是根据对经过时间进行计数的时钟的位数而规定。
[0129]此处，时钟的最小周期可根据预先设定的位置分辨率及平台速度而设定。例如，在曝光位置的数据间隔为0.125nm的情况下，如果将位置分辨率设定为其一半的0.0625nm，将平台的最大移动速度设定为50mm/sec，那么要求时钟的周期最小为1.25ns。此处，如果将时钟计数器的计数位数设定为12位(=4096)，那么甚至能计数约5ys的经过时间。在该经过时间内，平台以最大移动速度50mm/sec移动0.25μηι。
[0130]如此，本实施方式的曝光装置100能基于时钟周期而预先设计曝光范围的长度。而且，曝光装置100通过设置多个基准位置，而基于从通过各个基准位置的经过时间来控制电子束的照射，能将具有比该曝光范围长的曝光范围的图框曝光。
[0131]也就是说，曝光控制部140对于I个图框中所包含的全部曝光范围，一边使阵列射束500的照射位置扫描，一边针对所通过的每个基准位置而基于从通过该基准位置的经过时间来控制电子束的照射。也就是说，曝光控制部140对图5的例子所示的从第I基准位置到下一第2基准位置的曝光范围，通过一边使阵列射束500的照射位置扫描、一边控制多个电子束的照射而进行曝光。
[0132]而且，当在该图框存在其他基准位置的情况下，曝光控制部140返回到选择带电粒子束的阶段S340，以使该图框的曝光继续进行(S360:No)而将从第2基准位置到第3基准位置为止的下一曝光范围曝光。曝光控制部140反复进行S340至S350的动作，直到在该图框不再存在供阵列射束500的照射位置通过的基准位置为止。此外，在扫描控制部190对从阵列射束500的照射位置最后通过的基准位置到下一基准位置为止的曝光范围进行扫描期间，选择部160可执行与紧接着该下一基准位置以后的下一曝光范围对应的电子束的选择及经过时间的检测。由此，曝光控制部140能在时间上连续地将相邻的曝光范围曝光。
[0133]当在该图框不存在其他基准位置的情况下，曝光控制部140结束该图框的曝光(3360:￥68)。然后，在存在接下来应该曝光的图框的情况下(3370:如)，返回到3320，使阵列射束500的照射位置移动至下一图框的开始点，而执行该下一图框的曝光。曝光控制部140反复进行S320至S360的动作直到不存在应该曝光的图框。在无应该曝光的图框的情况下，曝光控制部140结束该图框的曝光(S370: Yes)。
[0134]如上所述，本实施方式的曝光装置100将阵列射束的可照射区域200分割成图框，在每一图框反复进行一边沿着线图案的长方向扫描阵列射束500的照射位置、一边控制多个电子束的照射的曝光动作，从而将该可照射区域200曝光。曝光装置100通过利用平台装置112使样品116移动，而能在样品116的表面上形成不同的多个可照射区域200，因此也能利用I个柱部120而对形成在样品116表面的全部线图案进行曝光。
[0135]图8表示形成在样品116的表面的线图案802的一例。本实施方式的曝光装置100对形成在这种线图案802上的抗蚀剂的以切割图案810所示的区域，执行图3中所说明的动作而进行曝光。通过该曝光而能将切割图案810的区域的抗蚀剂除去，因此能使位于该切割图案的线图案802露出，对该露出的线图案802进行蚀刻而形成微细的配线图案等。
[0136]图9表示形成在样品116的表面的微细的配线图案900的一例。根据本实施方式的曝光装置100，通过将预先形成有线图案的样品116曝光而能形成更微细的配线图案900。例如，图8所示的线图案802由于是单纯的线与间隙图案，所以能通过使用光学曝光技术等而以大致1nm左右的线宽及线间隔来形成。而且，由于通过使用利用电子束的本实施方式的曝光装置100，能对该线图案802进行加工，所以能形成仅以(例如栅极电极等的)光学曝光技术无法实现的微细的配线图案900。另外，通过利用光学曝光技术等来执行线图案802的形成，能减少至形成微细的配线图案900为止的总加工时间。
[0137]另外，由于是基于线图案802的设计中所使用的栅格而配置切割图案的坐标及阵列射束500的照射位置，所以曝光控制部140不进行复杂的反馈控制便能以简便的控制动作执行微细的曝光。此外，在以上的说明中，对本实施方式的曝光装置100是使用电子束的电子束曝光装置进行了说明，但实施方式并不限定于此，同样地也可应用于使用各种带电粒子束的曝光装置。另外，以切割图案的曝光为例进行了说明，但并不限定于此，同样地也可应用于通孔图案的曝光。在以上的说明中，对应用元件10的曝光装置100的装置构成及曝光动作进行了说明。以下，对设置在这种曝光装置100中的元件10进行说明。
[0138]图1OA表示本实施方式的元件10所具有的孔径层50的XY平面上的构成例。另外，图1OB表示本实施方式的孔径层50的截面的构成例。图1OA表示从朝向元件10的射束入射面即第I面侧观察的孔径层50的XY俯视图的一例。图1OB是表示图1OA所示的孔径层50的AA ’截面的剖视图的一例。孔径层50具有第I开孔52、及孔径层基板58。
[0139]第I开孔52形成在孔径层基板58上。如图1OA所示的例子，在与Y轴大致平行的方向上以预先设定的间隔设置有多个第I开孔52。第I开孔52是作为贯通孔径层50的贯通孔而形成，使从元件10的第I面侧入射的电子束成形并通过。作为一例，第I开孔52将XY平面的截面形状沿着与Y轴大致平行的方向延伸的电子束成形为截面形状为矩形的多个电子束。也就是说，孔径层50使电子束通过，由此在整体上形成截面形状为矩形的多个电子束在Y轴方向上呈阵列状排列而成的阵列射束。
[0140]第I开孔52的内径宽度W5决定通过第I开孔52而成形的射束的射束尺寸。而且，第I开孔52决定的该射束尺寸通过设置在孔径层50与样品116之间的电子透镜系统而缩小，从而决定投影在样品116上的各个射束的射束尺寸。因此，第I开孔52的内径宽度W5可根据应该照射至样品116上的射束尺寸、及电子透镜系统的缩小率而设定。例如，在样品116上所需的射束尺寸约为10nm，在电子透镜系统的缩小率为1/60的情况下，第I开孔52的内径宽度W5约设定为600nmo
[0141]孔径层基板58屏蔽从元件10的第I面侧入射的电子束的一部分。图1OB所示的孔径层基板58的厚度T5为能阻止电子束行进的程度的(或者，能充分地减少电子束行进的程度的)厚度即可。此处，能阻止电子束的行进的厚度依存于电子束的加速电压及孔径层基板58的材质。例如，在孔径层基板58的材质为硅，且电子束的加速电压为50KeV的情况下，阻止电子束的行进的厚度T5理想的是I Oym以上。
[0142]图1lA表示本实施方式的元件10所具有的偏向层60的平面的构成例。图1lA是从元件10的第I面侧观察的偏向层60的XY俯视图的一例。图1IB表示本实施方式的偏向层60的第I截面的构成例。图11B是表示图11A所示的偏向层60的AA ’截面的剖视图的一例。图11C表示本实施方式的偏向层60的第2截面的构成例。图1lC是表示图1lA所示的偏向层60的ΒΒ’截面的剖视图的一例。
[0143]偏向层60使通过孔径层50的射束通过并偏向。偏向层60具有射束通过空间62a、第I电极部63、第2电极部64a、绝缘部67、及偏向层基板68。射束通过空间62a是图1中所说明的开孔62的一例。关于射束通过空间62a将在下文叙述。
[0144]第I电极部63可成为一体而形成，作为一例，通过连接于外部的基准电位等，而整体上成为大致相同的基准电位。第I电极部63的一部分向+X方向及-X方向延伸，且该第I电极部63在XY平面上沿着+X方向及-X方向分别具有梳形的形状。
[0145]在偏向层60分别独立地设置有多个第2电极部64a。多个第2电极部64a经由对应的放大器172而分别与照射控制部170电连接，并分别供给对应的控制电压。也就是说，第2电极部64a是图1等中所说明的消隐电极64的一例。多个第2电极部64a的一部分向+X方向延伸，在延伸的前端部隔着射束通过空间62a与第I电极部63对向。多个第2电极部64a的剩余部分向-X方向延伸，在延伸的前端部隔着射束通过空间62a与第I电极部63对向。第I电极部63及第2电极部64a可包含赋有导电性的娃层。
[0146]绝缘部67—边保持第I电极部63及第2电极部64a，一边阻断第I电极部63与第2电极部64a之间的电连接。也就是说，绝缘部67使第I电极部63与第2电极部64a在空间上相隔而电绝缘。图1lA的例子表示如下例子:一部分第2电极部64a从-X侧的绝缘部67向+X方向延伸，剩余的第2电极部64a从+X侧的绝缘部67向-X方向延伸。
[0147]偏向层基板68是形成有所述射束通过空间62a、第I电极部63、第2电极部64a、及绝缘部67的基板。作为一例，偏向层基板68形成有在Z方向上贯通的贯通孔，且在与该贯通孔的朝向+X方向及-X方向的YZ面大致平行的壁面形成有绝缘部67。
[0148]如图1lB的AA’剖视图所示，在X轴方向上分别从相反方向延伸的第I电极部63及第2电极部64a在前端具有宽度W6的间隙(将在下文叙述，为形成射束通过空间62a的间隙)。另夕卜，如图1lC的BB’剖视图所示，第I电极部63及第2电极部64a在Y轴方向上，隔着预先设定的间隙d6而交替配置。第I电极部63及第2电极部64a利用图1lB所示的电极前端的间隙W6、及图1lC所示的电极间的间隙d6而在空间上相隔。
[0149]宽度W6可与第I开孔52的内径宽度W5相同，或比第I开孔52的内径宽度W5大。宽度W6可为500nm左右以上，作为一例，为900nm。另外，图1IC所示的电极间的间隙宽度d6可设定为与宽度W6相同。作为一例，间隙宽度d6为500nm左右。
[0150]图12是将图11A的一部分放大的俯视图。另外，图13表示从射束通过空间62a侧观察本实施方式的偏向层60的一部分的立体图的一例。也就是说，图13是表示偏向层60的一部分的三维结构的立体图。使用图12及图13对电极部的结构进行说明。
[0151]图12的虚线的四角形所示的区域在偏向层60是供通过孔径层50的第I开孔52的电子束通过的射束通过空间62a。也就是说，偏向层60具有与孔径层50的多个第I开孔52对应的多个射束通过空间62a ο多个射束通过空间62a在图的Y轴方向上排列，通过这些射束通过空间的多个电子束形成在Y轴方向上排列的阵列射束。
[0152]如图12所示，第I电极部63具有与射束通过空间62a相对的第I电极63d。第I电极63d可为第I电极部63的一部分。也就是说，第I电极部63与多个射束通过空间62a分别对应，而具有多个第I电极63d。多个第I电极63d可与第I电极部63—体化而结合，作为一例，电性地成为相同电位。
[0153]另外，第2电极部64a具有在偏向层60内独立并朝向射束通过空间62a延伸的延伸部64b、及在端部隔着射束通过空间62a而与第I电极63d对向的第2电极64c。此处所谓“独立”是指，电极部在空间上远离偏向层60内的其他电极及相邻的其他层，且与这些电极及层电绝缘。第2电极64c相对于射束通过空间62a的宽度可形成为与相对于延伸部64b的延伸方向的宽度相比较大。
[0154]图13是从偏向层60的射束通过空间62a斜视第I电极部63及第2电极部64a延伸的X轴方向的立体图。第I电极部63在偏向层60内独立于相邻层及第2电极部64a，且在第2电极部64a的延伸部64b的侧方从绝缘部67延伸直至到达第I电极63d为止。也就是说，第I电极部63及第2电极部64a在偏向层60内相互独立，且沿着各自的电极延伸部的侧面从绝缘部67延伸直至到达射束通过空间62a为止。如上所述，第I电极部63与第2电极部64a之间的平均间隙宽度d6可约为500nm。另外，在电极间的间隙最窄的部分，间隙宽度也可设定为200nm左右O另外，电极的延伸部64b的长度L6可设定为50μηι以上。
[0155]图13表示在射束通过空间62a与绝缘部67之间隔着纵横比为100以上(例如，间隙宽度d6 = 500nm，长度L6 = 50μπι以上)的电极间间隙。在绝缘部67隔着这种电极间间隙而存在的情况下，即便电子束在孔径层50的第I开孔52、与射束通过空间62a相对的第I电极63d及第2电极64c的电极面等遭受散射，也能减少散射电子到达位于电极间间隙的深处的绝缘部67的表面的情况。也就是说，本实施方式的偏向层60能防止绝缘部67的带电。已知在使带电粒子束成形并偏向的这种元件10中，元件动作的不稳定性是因为绝缘材料带电而导致污染物质堆积、及发生静电破坏等。通过偏向层60采取所述结构，能防止绝缘部67的带电，从而提高元件10的动作稳定性。
[0156]图14表示本实施方式的偏向层60及挡板70的截面的构成例。也就是说，图14表示通过元件10的偏向层60的电子束的轨道的例子。电子束以与孔径层50的第I开孔52的宽度W5大致相等的宽度入射至偏向层60。宽度W6表示隔着偏向层60的射束通过空间62a而对向的第I电极63d与第2电极64c之间的间隔。另外，厚度T6表示相对于射束通过方向的电极的长度。进而，角度S表示通过偏向层60的电子束的扩散角度。
[0157]在未对第I电极63d与第2电极64c之间施加电压的情况下，电子束通过挡板70的开孔72，而到达样品116(射束持续状态)。另一方面，在对第I电极63d与第2电极64c之间施加了电压的情况下，电子束因电极间的电场而偏向。为了形成为射束断开状态，通过偏向层60之后的电子束需要至少具有比射束的扩散角度S大的偏向角(因偏向所导致的射束行进方向的倾斜角)。将在射束断开状态下施加于第I电极63d与第2电极64c之间的电压设为入射至元件10的电子的加速电压设为E0。在使偏向电极近似于足够宽大的平行板电极的情况下，所通过的电子束实现射束断开状态的条件如以下的数学式所示。
[0158](数学式3)
[0159](1/2).(T6/W6).(Vb/E0)>5
[0160]此处，使用数学式3，估算出所需的电极的厚度T6。例如，电子束的加速电压EO设定为50KeV，施加于第I电极63d与第2电极64c之间的偏向电压Vb设定为5V，第I电极63d与第2电极64c之间的电极间间隔W6设定为900nm。扩散角度δ是在产生因电子透镜系统所导致的缩小的影响之前，因此例如设定为δ ^ Imrad。在该情况下，计算出相对于射束通过方向的电极的长度Τ6为Τ6>18μπι。此外，数学式3是使偏向电极近似于足够宽大的平行板电极而计算的式子，因此在电极的端部，近似的精度降低。
[0161]图15Α表示本实施方式的第2电极64c的第I例。图15Α是将偏向层60的射束通过空间62a附近的电极结构放大而表示。与射束通过空间62a相对的第2电极64c是周围被第I电极部63包围而形成。此处，如果对第2电极64c施加偏向电压，那么从第2电极64c的Y轴方向中央部分产生的电场朝向对向的第I电极63d的方向，从第2电极64c的Y轴方向端部产生的电场朝向与第2电极64c的端部接近的上下的(+Y侧及-Y侧的)第I电极63d的方向。因此，在第2电极64c的Y轴方向的宽度与射束通过空间62a的Y轴方向的宽度相同的情况下，在相对于通过射束通过空间62a的+Y侧及-Y侧的端部的电子束的偏向电场中，包含相对较多的与附图的上下方向即Y轴方向大致平行的方向的电场成分。因此，射束通过空间62a的与X轴方向大致平行的方向的电场成分减少，X轴方向的偏向角相对变小。
[0162]图15A表示如下例子:为了降低这种影响，使第2电极64c的Y轴方向宽度比射束通过空间62a的Y轴方向宽度大出电极延长量。也就是说，第2电极64c相对于射束通过空间62a的宽度(也就是Y轴方向的宽度)形成为与射束通过空间62a的Y轴方向的宽度相比较大。由此，射束通过空间62a的+Y侧及-Y侧的端部远离第2电极64c的Y轴方向的端部，相对于通过射束通过空间62a的电子束的偏向电场可利用从第2电极64c的中央附近产生且电极端部的影响相对较少的电场。也就是说，能减少在射束通过空间62a内的偏向电场中产生与Y轴方向大致平行的电场成分的情况。
[0163]图15B表不本实施方式的第2电极64c的第2例。图15B表不如下例子:为了降低第2电极64c的端部对射束通过空间62a内的偏向电场的影响，而在第2电极64c的两端部分，还设置有朝向射束通过空间62a的电极突出部64d。也就是说，第2电极64c在与射束通过空间62a相对的面的端部，包含朝向射束通过空间62a突出的电极突出部64d。由此，第2电极64c的端部通过电极突出部64d而接近于第I电极63d，从该端部产生的电场朝向第I电极63d，因此第2例的第2电极64c也能减少在射束通过空间62a内的偏向电场中产生与Y轴方向大致平行的电场成分的情况。如上所述，图15A及图15B中所说明的第2电极64c结构能以对通过射束通过空间62a的电子束施以预先设定的偏向角的方式高效地产生偏向电场。
[0164]图15C表示本实施方式的电极延长量与射束行进方向的电极长度T6的关系的一例。图15C是实际制作电极而求出图15A所示的电极延长量与相对于大致相同的施加电压而形成为射束断开状态所需的射束行进方向的电极长度T6的关系。此处，图15C表示如下例子:电子束的加速电压EO为50KeV，且施加于第I电极63d与第2电极64c之间的偏向电压Vd为5V，第I电极63d与第2电极64c之间的电极间间隔W6为900nm。
[0165]图15C表示第2电极64c的电极延长量越大则能以越短的电极长度T6实现射束断开状态。例如，可知:为了实现电极长度T6为18μπι?19μπι，第2电极64c的电极延长量理想的是200nm?300nm。另外，图15C表示在第2电极64c的两端部分设置有宽度为120nm、高度为60nm的电极突出部64d的情况下的电极长度T6的减小效果。可知:通过设置电极突出部64d，能将电极长度T6缩短Ιμπι?I.5μπι左右。
[0166]图16表示本实施方式的元件10的第I变化例。图16是元件10的剖视图的一例。第I变化例的元件10还具备绝缘层700、及基底层710。绝缘层700设置在孔径层50与偏向层60之间。绝缘层700在XY平面上，在与形成孔径层50的第I开孔52的位置对应的部分，具有将范围比第I开孔52大的绝缘层700除去而形成的开孔。另外，偏向层60内的第I电极部63与第2电极部64a相隔，绝缘层700将该电极间电绝缘。绝缘层700可包含娃的氧化膜。
[0167]绝缘层700的厚度例如为200nm?500nm。绝缘层700的开孔在XY平面上，可形成为圆形，该圆形在与形成孔径层50的第I开孔52的位置对应的范围内具有中心，且半径超过50μπι。另外，绝缘层700可与偏向层60的绝缘部67接触而形成。如此，通过将绝缘层700形成在距离射束通过空间62a约50μπι以上的位置，能减少散射电子到达该绝缘层700的表面部分的情况。也就是说，本实施方式的元件10既能使用绝缘层700将孔径层50及偏向层60固定，又能防止该绝缘层700的带电，而提高动作稳定性。
[0168]第I变化例的元件10是孔径层50及偏向层60夹着绝缘层700而形成为一体。孔径层50、偏向层60、及绝缘层700—体化而成的元件10能预先对孔径层50的第I开孔52与偏向层60的射束通过空间62a的位置关系实施对位而形成。具备这种元件10的柱部120无需在内部设置用来使通过第I开孔52的电子束对准偏向层60的射束通过空间62a的对位部82(参照图1)，因此能使曝光装置100简化。
[0169]基底层710设置在比孔径层50更靠第I面侧。基底层710具有基底层开孔712，该基底层开孔712用来使孔径层50的第I开孔52部分露出于元件10的朝向电子枪20的第I面侧。基底层710通过保持形成为一体的孔径层50、偏向层60、及绝缘层700，而提高元件10整体的力学强度。另外，基底层710能有助于因电子束照射而发热的孔径层50的散热。
[0170]图17表示本实施方式的元件10的第2变化例。图17是从射束入射侧观察的元件10的偏向层60的俯视图的一例。在图1OA及图1IA中，对夹着在X轴方向上延伸的第I电极部63而在Y轴方向上分别设置两列元件10的孔径层50的第I开孔52及偏向层60的射束通过空间62a的例子进行了说明。第2变化例的元件10在Y轴方向上分别设置有多列第I开孔52及射束通过空间62a。图17所示的第2变化例的元件10表示设置有第I列至第4列共计4列射束通过空间62a的例子。另外，随之在相互平行的第I列侧及第2列侧分别各排列有多个包含孔径层50的第I开孔52、以及与第I开孔52对应的偏向层的射束通过空间62a、第I电极部63及第2电极部64a的偏向单元。此外，如图17所示，沿着第I列的多个偏向单元的多个第2电极部64a中的延伸部64b的延伸方向与沿着第2列的多个偏向单元的多个第2电极部64a中的延伸部64b的延伸方向配置为相反方向。
[0171]在图17中，将对应于第I列射束通过空间62a而形成的偏向单元设为偏向单元A，将对应于第3列射束通过空间62a而形成的偏向单元设为偏向单元B ο也就是说，第I列侧的偏向单元沿着Y轴方向而以Α、Β、Α、Β.._的方式交替排列。另外，将对应于第2列射束通过空间62a而形成的偏向单元设为偏向单元D，将对应于第4列射束通过空间62a而形成的偏向单元设为偏向单元C。也就是说，第2列侧的偏向单元沿着Y轴方向而以C、D、C、D...的方式交替排列。
[0172]曝光装置100在预先设置在样品116上的线图案的长方向即X轴方向上，扫描通过沿着Y轴方向以此方式配置的第I开孔52及射束通过空间62a而形成的阵列射束。按照偏向单元A、C、B、D、A、C、B、D...的顺序形成的射束的扫描位置是在Y轴方向上以大致相同的间距连续地排列，因此能与栅格线(参照图4)一致地扫描各射束的Y轴方向扫描位置。由此，利用第2变化例的元件10而形成的阵列射束能将基于在Y轴方向上以固定间隔排列的栅格线而设计的切割图案及通孔图案曝光。
[0173]另外，第2变化例的元件10是沿着多个第I列及多个第2列的各列而分别排列有多个偏向单元，因此能提高在射束通过空间62a产生偏向电场的偏向单元的设计自由度。第2变化例的元件10例如能使与该射束通过空间62a对向的第2电极64c的宽度形成为该射束通过空间62a的宽度以上，另外，能进而形成电极突出部64d。
[0174]图18表示图16所示的第I变化例的元件10的制造流程。在本实施方式中，对通过执行S1800至S1920的制造步骤而制造元件10的例子进行说明。此外，以上所说明的其他构成的元件10也能通过与图18所示的制造流程相同的流程而制造。
[0175]首先，在成为基底层710的基板上，形成依序积层有孔径层基板58、绝缘层700、及偏向层基板68的多层基板(S1800)。其次，将成为基底层710的基板的一部分除去，使孔径层基板58的形成开孔等的区域露出。也就是说，在该阶段的多层基板中，孔径层基板58的一部分露出于基底层710侧的第I面，且偏向层基板68位于与第I面为相反侧的第2面。基底层710的基板的材质例如为娃。孔径层基板58及偏向层基板68的材质例如为掺有杂质且赋有导电性的硅。绝缘层700的材质例如为硅氧化物。
[0176]其次，在未形成元件10的第I开孔52、第I电极部63、及第2电极部64a的状态下，形成从露出于第I面侧的孔径层基板58贯通至偏向层基板68的贯通孔950(S1820)。该贯通孔950在该制造步骤中，作为实施对位的标记结构而使用。
[0177]其次，在露出于第I面侧的孔径层基板58的表面，将形成第I开孔52的图案进行图案化(S1840)。然后，基于图案化所成的形状，从元件10的第I面侧对孔径层基板58进行蚀亥IJ，而形成第I开孔52(S1860)。此处，蚀刻理想的是使用各向异性蚀刻。由此，形成具有使从元件10的第I面侧入射的射束成形并通过的第I开孔52的孔径层50。包含图案化及蚀刻而形成孔径层50的阶段优选以第I面侧的贯通孔950的中心等为基准而定位第I开孔52的位置。
[0178]其次，在第2面侧的偏向层基板68的表面，将第I电极部63、第2电极部64a的图案进行图案化(S1880)。然后，基于图案化所成的形状，从元件10的第2面侧对偏向层基板68进行蚀刻，而形成第I电极部63及第2电极部64a(S1900)。此处，蚀刻理想的是使用各向异性蚀亥IJ。由此，形成使通过孔径层50的射束通过并偏向的偏向层60。包含图案化及蚀刻而形成偏向层60的阶段优选以贯通孔950的中心等为基准而定位第I电极部63及第2电极部64a的位置。
[0179]然后，通过各向同性蚀刻，将孔径层基板58与偏向层60之间的绝缘层700的一部分除去(S1920)。也就是说，在形成第I电极部63及第2电极部64a之后，通过蚀刻，将与第I电极部63的第I电极63d、以及第2电极部64a的第2电极64c及延伸部64b中的至少一部分接触的绝缘层700的部分除去。此外，与绝缘层700接触的电极63、64a的短边部分的宽度理想的是形成为与绝缘层700的厚度相同的程度。通过使用湿式蚀刻等各向同性蚀刻，蚀刻液回流至被电极63、64a与孔径层基板58夹着的绝缘层700侧，从而能同时进行绝缘层700的深度方向(Z轴方向)的除去与电极63、64a的短边部分的背面侧的宽度方向(X轴方向及Y轴方向)的除去。由此，能保留电极63、64a，而将其背面侧的(第I面侧的)绝缘层700除去。由此，形成孔径层基板58与偏向层60之间的绝缘层700。通过除去绝缘层700的一部分，偏向层60内的第I电极部63及第2电极部64a远离孔径层基板58，而成为独立的电极结构。
[0180]图19表示通过图18所示的制造流程而形成的元件10的剖视图的一例。贯通孔950理想的是作为在从第I面侧进行加工的情况与从第2面侧进行加工的情况下共通的基准来使用。由此，能简便地提高元件10的第I面侧及第2面侧的加工精度。
[0181]此外，在形成孔径层50及偏向层60的阶段，可使用电子束曝光装置作为图案化装置。电子束曝光装置可具有检测标记位置的功能，利用该功能，从第I面侧对露出于第I面侧的贯通孔950的位置及形状进行检测，而设定第I面侧的基准位置。电子束曝光装置对准该基准位置，而在第I面侧的孔径层基板58的表面曝光第I开孔52的图案。
[0182]另外，电子束曝光装置同样地，利用标记位置检测功能，从第2面侧对露出于第2面侧的贯通孔950的位置及形状进行检测，而设定第2面侧的基准位置。电子束曝光装置对准该基准位置，而在第2面侧的偏向层基板68的表面曝光第I电极63d及第2电极64c的图案。如此，使用同一基准的贯通孔950，对从元件10的第I面侧形成的第I开孔52、以及从第2面侧形成的由第I电极部63及第2电极部64a所包围的射束通过空间62a实施对位，因此能高精度地形成元件10。
[0183]在形成孔径层50的阶段、及形成偏向层60的阶段，作为一例，使用反应性离子蚀刻(RIE)作为各向异性蚀刻。图20表示实际形成的偏向层60的电极部的一例。图20表示对偏向层基板68进行各向异性蚀刻而制作偏向层电极(第I电极63d及第2电极64c)的结果的一例。在图20所示的偏向电极部的制作例中，通过深度蚀刻而被除去的电极间的间隙宽度为200nm?500nm。另外，通过蚀刻而形成的电极结构的射束通过方向的厚度约为18μηι。经过蚀刻的间隙部的结构的纵横比为40?90。
[0184]图21表示本实施方式的曝光装置100的变化例。在图21中，对于与图1所示的本实施方式的曝光装置100的动作大致相同的动作标注相同的符号，并省略说明。本变化例的曝光装置100具备多个柱部120、及多个具有选择部160、照射控制部170及偏向量决定部180的曝光控制部140。
[0185]此外，在本变化例的曝光装置100中，在使平台装置112移动而扫描阵列射束的照射位置的情况下，各曝光控制部140也可不具有扫描控制部190。图21表示曝光装置100具备I个平台装置112、多个柱部120、I个CPU130、不具有扫描控制部190的多个曝光控制部140、及I个扫描控制部190的例子。
[0186]多个柱部120各自分别连接于对应的曝光控制部140而将样品116曝光。各个柱部120的动作如图3等中所说明的那样，针对每一图框而将可照射区域200曝光。也就是说，扫描控制部190控制载置样品116并使该样品116移动的平台装置112而使样品116相对于多个柱部120移动，利用多个柱部120并排地对样品116照射带电粒子束。
[0187]如此，本变化例的电子束曝光装置100由于能利用多根柱部120而并行地进行曝光，所以能大幅提高曝光的处理量。另外，即便样品116是300mm以上的大口径的半导体晶片等，也能通过使柱部120的数量对应地增加而防止处理量显著下降。
[0188]此外，本变化例的曝光装置100存在多个柱部120所输出的多个阵列射束的强度各不相同的情况。因此，曝光装置100可在进行曝光之前，预先测定从各个柱部120输出的阵列射束的强度。另外，也可以在多个柱部120所产生的多个曝光结果中不产生不均的方式，修正在各曝光控制部140中的经过时间。另外，多个柱部120还可以将属于I个样品116上的不同半导体晶片的切割图案分别曝光的方式，针对每个柱部120，定位阵列射束及该阵列射束所要曝光的晶片的线图案。
[0189]以上，使用实施方式对本发明进行了说明，但本发明的技术范围并不限定于所述实施方式中所记载的范围。业者明白能对所述实施方式施加各种变更或改良。从权利要求书的记载可知这种施加了变更或改良的形态也可包含在本发明的技术范围内。
[0190]应当注意权利要求书、说明书、及附图中所示的装置、系统、程序、以及方法中的动作、顺序、步骤、及阶段等各处理的执行顺序，只要未特别明确表述为“在…之前”、“之前”等，且不在之后的处理中使用之前的处理的输出，那么就能按照任意的顺序而实现。关于权利要求书、说明书、及附图中的动作流程，即便为了方便起见而使用“首先”、“其次”等进行说明，也并不意味着必须按照该顺序进行实施。
[0191][符号的说明]
[0192]10元件
[0193]20电子枪
[0194]30孔径板
[0195]32开孔
[0196]40射束形状变形部
[0197]50孔径层
[0198]52第I开孔
[0199]58孔径层基板
[0200]60偏向层[0201 ] 62 开孔
[0202]62a射束通过空间
[0203]63第I电极部
[0204]63d第 I 电极
[0205]64消隐电极
[0206]64a第2电极部
[0207]64b延伸部
[0208]64c第 2 电极
[0209]64d电极突出部
[0210]67绝缘部
[0211]68偏向层基板
[0212]70挡板
[0213]72开孔
[0214]80调整部
[0215]82对位部
[0216]90外部存储部
[0217]100曝光装置
[0218]HO平台部
[0219]112平台装置
[0220]114平台位置检测部
[0221]116样品
[0222]120柱部
[0223]130CPU
[0224]132总线
[0225]140曝光控制部
[0226]150存储部
[0227]160选择部
[0228]162数据转换电路
[0229]164射束选择电路
[0230]166经过时间运算电路
[0231]170照射控制部
[0232]172放大器
[0233]180偏向量决定部
[0234]182偏向部驱动电路
[0235]190扫描控制部
[0236]192平台驱动电路
[0237]200可照射区域
[0238]210照射位置
[0239]220区域
[0240]232第 I 图框
[0241]234第 2 图框
[0242]236第 3 图框
[0243]400栅格
[0244]402线图案
[0245]410第 I 图案
[0246]412、414、416、418 图案
[0247]420第 2 图案
[0248]422、424图案
[0249]430第 3 图案
[0250]432、434、436、438 图案
[0251]500阵列射束
[0252]502照射区域
[0253]700绝缘层
[0254]710基底层
[0255]712基底层开孔
[0256]802线图案
[0257]810切割图案
[0258]900配线图案
[0259]950贯通孔
【主权项】
1.一种元件，用于使射束成形并偏向，其特征在于，所述元件具备: 孔径层，其具有使从所述元件的第I面侧入射的射束成形并通过的第I开孔;及 偏向层，其使通过所述孔径层的射束通过并偏向；且 所述偏向层具有: 第I电极部，其具有与对应于所述第I开孔的所述偏向层内的射束通过空间相对的第I电极;及 第2电极部，其具有在所述偏向层内独立于相邻层并朝向所述射束通过空间延伸的延伸部、及在端部隔着所述射束通过空间而与所述第I电极对向的第2电极。2.根据权利要求1所述的元件，其特征在于，所述第I电极部在所述偏向层内，独立于所述相邻层及所述第2电极部，且在所述第2电极部的所述延伸部的侧方延伸直至到达所述第I电极为止。3.根据权利要求1所述的元件，其特征在于，所述第2电极相对于所述射束通过空间的宽度与相对于所述延伸部的延伸方向的宽度相比较大。4.根据权利要求1所述的元件，其特征在于，所述第2电极在与所述射束通过空间相对的面的端部包含朝向所述射束通过空间突出的电极突出部。5.根据权利要求1所述的元件，其特征在于，其还具备设置在所述孔径层与所述偏向层之间的绝缘层;且 所述绝缘层在与所述孔径层的所述第I开孔对应的部分，具有将范围比所述第I开孔大的绝缘层除掉而形成的开孔。6.根据权利要求5所述的元件，其特征在于，所述第I电极部与所述第2电极部相隔，且利用所述绝缘层而被电绝缘。7.根据权利要求5所述的元件，其特征在于，所述绝缘层包含氧化硅膜。8.根据权利要求1所述的元件，其特征在于，所述第I电极部及所述第2电极部包含赋有导电性的硅层。9.根据权利要求1所述的元件，其特征在于，其还具备基底层，所述基底层设置在该元件，比所述孔径层更靠所述第I面侧，且在所述元件的所述第I面侧具有用来使所述第I开孔露出的开孔。10.根据权利要求1所述的元件，其特征在于，沿着相互平行的第I列及第2列的各列而分别排列有多个包含所述第I开孔以及对应于该第I开孔的所述第I电极部及所述第2电极部的偏向单元，沿着所述第I列的多个所述偏向单元的多个所述第2电极部中的所述延伸部的延伸方向与沿着所述第2列的多个所述偏向单元的多个所述第2电极部中的所述延伸部的延伸方向互为相反方向。11.根据权利要求10所述的元件，其特征在于，沿着多个所述第I列及多个所述第2列的各列分别排列有多个所述偏向单元。12.一种曝光装置，其特征在于，具备: 射束产生部，其产生射束； 根据权利要求1至11中任一项所述的元件，使所述射束成形并偏向；及 控制部，其控制所述元件实施的所述射束的偏向，而对是否使所述射束照射至样品进行切换。13.一种制造方法，用于制造使射束成形并偏向的元件，其特征在于， 具备: 孔径层处理阶段，形成具有使从所述元件的第I面侧入射的射束成形并通过的第I开孔的孔径层;及 偏向层处理阶段，形成使通过所述孔径层的射束通过并偏向的偏向层;且 所述偏向层处理阶段是形成第I电极部及第2电极部， 该第I电极部具有与对应于所述第I开孔的偏向层内的射束通过空间相对的第I电极，该第2电极部具有在所述偏向层内独立于相邻层并朝向所述射束通过空间延伸的延伸部、及在端部隔着所述射束通过空间而与所述第I电极对向的第2电极。14.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于，在所述孔径层处理阶段，从所述元件的所述第I面侧对所述孔径层进行蚀刻，而在所述孔径层形成所述第I开孔;且 在所述偏向层处理阶段，从所述元件的第2面侧对所述偏向层进行蚀刻，而在所述偏向层形成所述第I电极部及所述第2电极部。15.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于，还具备贯通孔形成阶段，该贯通孔形成阶段是在未形成所述第I开孔、所述第I电极部、及所述第2电极部的状态下，形成从所述元件的所述孔径层贯通至所述偏向层的贯通孔;且 在所述孔径层处理阶段，以所述贯通孔为基准而定位所述第I开孔；在所述偏向层处理阶段，以所述贯通孔为基准而定位所述第I电极部及所述第2电极部。16.根据权利要求13至15中任一项所述的制造方法，其特征在于，所述元件在所述孔径层与所述偏向层之间具备绝缘层， 所述绝缘层具有使所述射束通过的开孔;且 该制造方法包括: 在形成所述第I电极部及所述第2电极部之后，通过各向同性蚀刻，将与所述第I电极部的所述第I电极、以及所述第2电极部的所述第2电极及所述延伸部中的至少一部分接触的所述绝缘层的部分除去。
【文档编号】H01J37/04GK106098516SQ201610235948
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年4月15日 公开号201610235948.4, CN 106098516 A, CN 106098516A, CN 201610235948, CN-A-106098516, CN106098516 A, CN106098516A, CN201610235948, CN201610235948.4
【发明人】山田章夫, 菅谷慎二, 黑川正树, 泷泽昌弘, 岩下龙马
【申请人】爱德万测试株式会社