技术编号:6829182
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种铁电存储器场效应晶体管器件(以下简称为FEMFET),该器件具有一个半导体基片;至少一个场效应晶体管,所述场效应晶体管设置在半导体基片上并具有一个源区、一个漏区、一个沟道区和一个栅堆(gate stack);栅堆具有至少一铁电层。在EP 0 566 585B1中对这种FEMFET做了记载。在EP 0566 585 B1中概括地揭示了作为多个存储单元的一个存储单元配置具有多个带有在栅极介质中的一个铁电层的场效应晶体管。在该文献中建议特别是将栅极...
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