技术编号:6829620
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电极膜及其制造方法和强电介质存储器及半导体装置。背景技术 强电介质存储器(Fe RAM)是利用使用了强电介质薄膜的强电介质电容器(capacitor)的自发极化来保持数据的装置。另外,近年来正在关注使用了强电介质存储器的半导体装置。在强电介质存储器的电极上,从夹持于电极间的强电介质膜的结晶取向性或强电介质膜的构成要素的防止扩散的观点来看,必须结晶性好,没有间隙。然而,在以往,例如使用溅射法提高基板温度,形成电极膜,虽然电极膜的结晶性良好,但如图2...
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