技术编号:6829715
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及使用氮化物系化合物半导体的半导体电子器件。背景技术 使用氮化物系化合物半导体,例如GaN系化合物半导体的场效应晶体管(以下称GaN系FET)是可以在近400℃的温度环境下也不发生热失控地工作的FET,因而作为高温工作的固体元件正引人注目。对于GaN系材料,要制造像Si晶体、GaAs晶体、InP晶体那样的大直径的单晶衬底是困难的。因此,难以用GaN单晶衬底进行GaN系材料的晶体层的外延生长,以形成GaN系FET的层结构。因此,在制造GaN系FET时...
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