技术编号:6829718
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件及制造该半导体器件的一种方法,特别涉及一种能够实现进一步微粉化(micronization)的半导体器件及制造该半导体器件的方法。背景技术 SRAM(静态随机存取存储器)为一种半导体存储器,该存储器的存储单元为触发器电路,并且可以高速运行。由p沟道晶体管形式的负载晶体管和n沟道晶体管形式的驱动晶体管构成的CMOS型SRAM普遍用于需要非常小的备用电源电流和低耗电量的领域。在制造CMOS型SRAM过程中,在半导体衬底上形成构成存储单元...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。