技术编号:6830325
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及到采用非易失存储器的半导体存储器件、驱动半导体存储器件的方法、以及便携式电子装置。背景技术 通常,快速存储器被典型地用作非易失存储器。如图24所示,在快速存储器中,浮栅902、绝缘膜907、以及字线903(控制栅)按此顺序经由栅绝缘膜被形成在半导体衬底901上。源线904和位线905由扩散区形成在浮栅902的二侧上,从而构成存储单元。器件隔离区906被形成在存储单元周围(见例如日本未经审查的专利公开No.Hei 5-304277(1993))。存...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。