技术编号:6830565
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体器件领域,特别涉及互补金属氧化物半导体场效应晶体管CMOS器件。背景技术金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是当今集成电路中最重要的基本有源器件。以N型MOSFET与P型MOSFET互补形成的CMOS器件是深亚微米超大集成电路的组成单元。提高MOSFET器件性能,减小其面积,就能够从根本上提高集成电路的性能和集成度。根据恒电场按比例缩小(CE Scaling)原则,如果CMOS器件特征尺寸缩小k倍,面积减小k2倍,功耗降低k2倍。在...
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